静电防护知识 2.docx

1、静电防护知识 2Q / ZX深圳市中兴通讯股份有限公司企业标准（质量保证管理标准） 1999-06-01发布 1999-06-01实施深圳市中兴通讯股份有限公司交换产品事业部 发 布前 言为了规范防静电管理，特编写本管理标准。本标准由深圳市中兴通讯股份有限公司交换产品事业部生产部提出并归口。本标准由交换产品事业部生产部起草，主要起草人：姚戎本标准于1999年 6 月首次发布。深圳市中兴通讯股份有限公司企业标准（质量保证管理标准）静电防护知识 1 适用范围： 适用于对静电放电敏感的电子设备的设计、制造、使用安装和维修。2 定义2.1 ESD Electrostatic Discharge 静电放

2、电：两个具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电场感应引起的两物 体间的静电电荷的转移。2.2 ESDS Electrostatic Discharge Sensitivity 静电放电敏感2.3 操作在检查、制造、装配、试验、维修、安装、运输、失效分析、包装、打标志或挂标签等类活动中，用手搬运机器装运产品的活动。3 防静电要求3.1 敏感度分级 1级 不大于1999V 2级 20003999V 3级 400015999V 元器件、组件和设备的ESD敏感电压为16000V或以上者为非静电敏感产品。 元器件的ESDS分级 见附录A3.2 防静电设计3.2.1 设计保护组件和设备的设计应能为最敏

3、感的ESD元器件提供ESD保护，其最低要求是： a） 组件 2000V b） 设备 4000V c） 关键和重要特性产品的耐ESD电压值应高于一般产品。3.2.2 优先选用ESD敏感度不低于2级的电子元器件。3.2.3 设计人员在电路设计中对ESDS器件必须采取防静电损伤设计，以提高电子元器件的抗静电能力。 a) 在MOS器件的每个输入端外部串联电阻器； b) MOS器件所有不用的输入端引线不能悬空，应视不同电路接到电源池、电源（源极）VSS或电源（漏极）VDD上；c) CMOS器件的输出端（模拟开关除外）可用一个电阻器把每个输出端与电缆线路隔离并用两个高速开关二极管反电路箝位在VSS和VDD

4、上；d) 使用长输入电缆时，应采用滤波网络；e) 在ESDS双极型元器件的输入端外接由一个电阻值较大的电阻器和一个容量不小于100pF的电容器组成的RC网络以降低ESD的影响。当电路特性有规定时，也可用两个并联二极管在每个极性上箝位0.5V电压，将输入分流到地； f) 不准将安装在印制电路板上的ESDS元器件的引线，不经任何保护电路直接与电连接器的端子相连； g) 产品的接口电路尽量采用ESD敏感度为3级或不敏感的元器件； h) 与ESDS产品联结的键盘、控制面板、手控装置、开关及锁定装置等应设计成能通过机壳地线直接泄放人体上的静电荷； i) 元器件和组件布置应将ESDS元器件远离产生静电场的

5、部件如排风扇等，必要时应采用静电抑制技术或静电屏蔽； j) ESDS产品应设置与大地的金属壳体相连接的接地端子。3.2.4 设计文件和图样中应明确提出： a) 组件和产品的ESD敏感度级别和标志 b) 电子元器件ESD敏感度级别要求3.3 防静电培训 对有关人员（包括生产人员、管理人员、采购人员、库房保管人员及一切与ESDS电子元器件有接触的人员）均应结合其工作按下表的规定内容进行防静电培训和考核。 培训内容培训人员静电原理和静电危害静电防护方法防静电器材性能产品防静电设计防静电工程设计地线基本知识有关防静电规定防静电包装和运输设计人员管理人员采购、库房人员生产线工作人员检验人员维修人员其它人

6、员 该规定应根据各类工种分别制订。至少应包括该工种应遵守的操作规程及该配备的防静电设施。 表示该有关人员应该培训和考核的内容。3.4 制定防静电制度 ESDS产品从使用、安装和维修应制订详细的防静电操作规程，并列入工艺文件和使用技术文件中。配备必要的防静电材料和设备。3.5 各工作部位的防静电3.5.1 部位线（插件、焊接）的防静电a) 工作区设防静电警告标志 。b) 工作区内的地板、桌面应铺设防静电垫，并按要求接地。c) 工作区内的工作人员应穿着防静电工作服和防静电工作鞋、手套，配戴防静电腕带，并在上岗前检测腕带是否合格。d) 在整个插件、焊接过程中，应把印制电路板放在防静电周转箱中传递。e

7、) 使用的电烙铁、吸锡器应硬接地。f) 操作人员操作时应尽量避免直接接触器件的引脚。g) 手工焊接时不得使用化纤毛刷，应使用天然棉。3.5.2 供应部门的防静电 a) 购货合同中必须明确包装、运输过程中防静电要求。 b) 应观察供应商的防静电意识和防静电措施。 c) 取货时，力争不使静电敏感元器件脱离防静电封装。必须脱离时，取、装元器件都必须注意满足防静电要求。3.5.3 库房（收、发、领、退料）的防静电 a) 库房应建立防静电电子元器件专柜，并贴有醒目的防静电标志。 b) 发放静电敏感器件的工作台应铺有防静电桌垫并按要求接地。 c) 工作人员应穿防静电工作服，操作时应戴防静电手环。 d) 发

8、放的静电敏感器件应放入防静电容器中，才能交出。库房发料人员配置防静电手套。 e) 防静电工作区应挂置防静电门帘。3.5.4 产品或组件调试的防静电 a) 测试仪器、稳压电源设备等应硬接地。 b) 不允许用万用表测ESDS元器件的引线或接线端子。 c) 不允许在电源接通情况下，插拔ESDS组件或更换元器件。 d) 当MOS器件电源断开时，输入端不应加信号。 e) 应控制稳压电源设备不出现电压瞬变或使瞬变最小。3.5.6 ESDS产品做各项环境试验时，试验设备、产品和测试仪器均应正确，可靠接地。振动台应采用消磁装置。3.5.7 ESDS产品维修时的防静电a) 维修人员上岗前应配戴好防静电腕带。若不

9、能使用腕带时，在接触ESDS组件前用手 触摸机壳地线，以泄放静电荷。b) 一般不要用测试仪器的探头探测ESDS元器件。必要时，应在接触ESDS元器件引线 前将探头瞬时接地。c) 维修人员在更换ESDS元器件，组件过程中应避免直接用手触摸元器件引线，电连接 器端子。3.5.8 包装 ESDS产品及其ESDS元器件、组件等备件均应用导电、静电耗散或抗静电材料进行包装。3.6 运输和贮存 a) ESDS产品应在ESD保护包装和标志完整的条件下运输和贮存。b) 贮存周围环境应无强磁场和辐射电场。各工序部位应使用的防静电器材 工作部位 器材名称待检库库房插件在 单 整线 板 机测 调 调试 试 试维修现

10、 场维 修运输工 实 验 艺 室静电识别标签 防静电盒（袋）防静电桌垫防静电周转箱防静电运输车防静电工作服防静电腕带腕带测试器防静电工作鞋防静电工作手套防静电电烙铁防静电吸锡器防静电印制板架静电电位计人体泄漏电阻检测器3.7 防静电器材性能的检验周期防静电器材名称检验周期桌垫、地垫、地线、防静电椅子一年防静电容器、印制板、元器件袋、周转箱半年防静电服一个月烙铁、吸锡器一个周腕带一天3.8 维护3.8.1 工具的绝缘部分和由非静电保护材料制成的塑料容器的表面，应均匀地喷涂抗静电剂。3.8.2 使用中性洗净剂（加水）或抗静电剂清洁防静电安全工作台垫和地垫。3.8.3 对工作场所的建筑地板使用抗静电

11、溶液进行维护保养。3.8.4 对工作环境和有关物件等按4.9.14.9.3条的要求每周应进行一次处理。 3.8.5 接地极分系统的接地状况应按GJB 1696规定的周期性进行检测。必要时，在每批次产品生产前进行检测。4 防静电器材和设施要求4.1 防静电桌垫、地垫 防静电桌垫、地垫的任一点对地线的（接地）电阻在，106109之间。 桌垫（或地垫）必须对地串联一个106值的电阻。 对水泥类和水磨石地面，如电阻值合适，则可以用。4.2 防静电腕带 腕带电阻应为106左右。 静电泄放至100V以下的时间应小于0.1S。4.3 工具与设备4.3.1 电铬铁应接地。电烙铁热头与地之间的电阻应不大于2。

12、电烙铁热头与地之间的电位差应不大于2mV（有效值）。4.3.2 防静电工作服，其带电电荷量应小于0.6C/件。 穿用要求应符合GB12014第8.18.4条要求。4.3.3 防静电胶底鞋，其电阻值应在0.51051.0108范围内。 穿用要求应符合GB4385第3.13.3条要求。附 录 AESDS电子元器件A1 电子元器件静电敏感度的分级 按QJ 1875规定的敏感度试验方法进行分级。A1.1 1级（ 1999V）ESDS元器件 a) 微波器件（肖特基二极管，点接触二极管和f 1Ghz的检波二极管）； b) MOS场效应晶体管（MOSFET）； c) 结型场效应晶体管（JFET）； d) 声

13、表面波器件（SAW）； e) 电荷耦合器件（CCD）； f) 精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5）； g) 运算放大器（OP AMP）； h) 集成电路（IC）； i) 混合电路（1级ESDS元件组成）； j) 特高速集成电路（VHSIC）； k) 薄膜电阻器； l 可控硅整流器（SCR）（环境温度100 时，I0 0.175A）。A1.2 2级（20003999V）ESDS元器件 a) MOS场效应晶体管； b) 结型场效应晶体管； c) 运算放大器； d) 集成电路； e) 特高速集成电路； f) 精密电阻网络（RZ型）； g) 混合电路（2级ESDS元件组成）； h) 低功率

14、双极型晶体管（Pt 100mV，I0 100mA）。A1.3 3级（400015999V）ESDS元器件 a) MOS场效应晶体管； b) 结型场效应晶体管； c) 运算放大器； d) 集成电路； e) 特高速集成电路； f) ESDS1级或2级不包括的所有其它微电子器件； g) 小信号二极管（P 1W或I0 1A）； h) 一般硅整流器； i) 可控硅整流器（I0 0.175A）； j) 小功率双极型晶体管（350mW Pt 100mV 和400mA I0 100mA）； k) 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）； l) 片状电阻器； m) 混合电路（3级ESDS元器件组成）； n) 压电晶体。