TLV3501.docx

1、TLV3501延迟时间为4.5ns轨至轨，高速比较器Microsize软件包特点 ？高速：延迟时间为4.5ns ？轨到轨I / O ？电源电压：+2.7 V至+5.5 V ？推挽式CMOS输出阶段 ？关闭（TLV3501只） ？微套餐： 采用SOT23 - 6（单人） SOT23 - 8（双） ？低电源电流：3.2毫安 应用 ？自动测试设备 ？无线基站 ？阈值检测器 ？过零检测器 ？窗口比较器 TLV350x相关产品 功能产品 精密超高速，低功耗比较器TLC3016 差分输出比较TL712 高速运算放大器，16位精度，150MHz的OPA300 高速运算放大器，38MHz，轨到轨OPA350

2、OPA357 250MHz的高速运算放大器，带有关断 描述 推挽输出比较TLV350x家庭 设有一个快速的延迟时间为4.5ns的传播延迟和操作 +2.7 V至+5.5 V。以后的护栏输入共模 范围使得它为低电压应用的理想选择。 轨到轨输出，直接驱动的CMOS或 TTL逻辑。 Microsize包提供了用于便携式选项 空间受限的应用。单（TLV3501） 采用SOT23 - 6和SO - 8封装。双 （TLV3502）采用SOT23 - 8和SO - 8封装。PAGE2绝对最大额定值（1）电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

3、。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +5.5 V，信号输入端子，电压（2）。 。 。 。 。 （V） - 0.3V（V +）+ 0.3V信号输入端子，电流（2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安输出短路（3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74毫安工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 C至+125 C存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

4、 。 。 。 。 。 。 -65 C至+150 C结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +150 C铅温度（焊接，10S）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300 C额定ESD（人体模型）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3000V带电器件模型（CDM）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500V（1）强调以上这些收视率可能会造成永久性损坏。长时间暴露

5、在绝对最大条件可能会降低设备的可靠性。这些仅仅是极限参数，并设备的功能操作在这些或任何其他条件超出指定的那些不支持。（2）输入端子二极管钳位的电源轨。输入信号的摆幅可超过0.3V超出供应导轨应电流为10mA或更小有限。（3）短路到地，其中一个比较每包。该集成电路可被ESD损坏。得克萨斯州NI建议所有集成电路处理适当的预防措施。不遵守妥善处理和安装程序，可以造成损害。ESD损害的范围可以从细微的性能退化完整的设备故障。精密集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化导致设备不能满足其公布的规格。订货信息（1）产品包装引线封装代号封装标识TLV3501采用SOT23 - 6 DBV NXATL

6、V3501的SO -8个D TLV3501ATLV3502 SOT23 - 8封装的DCN NXCTLV3502的SO -8个D TLV3502A1）是由1引脚SOT23- 6封装标识上图所示方向。（2）NC表示没有内部连接。PAGE 3电气特性（黑体字限额适用于在指定的温度范围内，TA=0.40C125C。在TA = +25C和VS=2.7 V至+5.5 V，除非另有说明。TLV3501，TLV3502参数条件最小典型最大单位失调电压（1）输入失调电压VOS VCM =0V，IO=0毫安【1【6.5毫伏与温度dVOS/ DT，TA =0.40C至+125C【5V /C与电源PSRR VS=

7、2.7V至5.5V100 400V / V，输入迟滞6 MV输入偏置电流输入偏置电流IB的VCM= VCC/ 2【2【10 PA输入偏置电流（2）内部监督办公室的VCM= VCC/ 2【2【10帕输入电压范围共模电压范围VCM（V）。 0.2V（V +）+0.2 V共模抑制共模抑制比（CMRR）的VCM=.0.2 V至（V+）+0.257 70分贝VCM=.0.2 V至（五）+0.2V55分贝输入阻抗共模1013 2 pF的 4 pF的差分1013开关特性传输延迟时间（3）T（PD）螖VIN=100mV时，高速=20mV的4.5 6.4 NS螖VIN=100mV时，高速=20mV的7 NS螖V

8、IN=100mV时，高速为5mV7.5=10 ns的螖VIN=100mV时，高速=5mV的12纳秒传播延迟偏差（4）螖T（歪斜）螖VIN=100mV的，高速=20mV的0.5纳秒最大切换频率fmax高速=50mV的，VS= 5V80兆赫TR1.5 ns的上升时间（5）下降时间（5）TF1.5纳秒输出输出电压从铁路的VOH，VOL IOUT=卤1毫安30 50毫伏关机TOFF为30 ns的tON为100 nsVL（比较器使能）（6）（V +）。 1.7V VVH（比较器被禁止）（6）（V +）。 0.9V V关断引脚2 pA的电流输入偏置IQSD（关机静态电流）2渭一个电源供应器指定的电压和2.

9、7+5.5 V工作电压范围2.2至5.5 V静态电流IQ VS=5V，VO=高3.2 5 mA的温度范围指定范围0.40125掳彗星经营范围：0.40125掳彗星存储范围0.65150掳彗星热电阻司法机构政务长采用SOT23 - 5200掳C / W，SOT23- 8200掳C / W，SO -8 150（1）被定义为平均的积极和负面的开关阈值的VOS。（2）之间的差别IB+和IB。（3）传播延迟，不能准确地测量与低过载自动测试设备。此参数是保证100mV的过载特性和测试。（4）持续高传播延迟和传播延迟之间的差异变低。（5）之间测量VS10和90的VS。（6）当关断引脚在最积极的供应0.9V是

10、，部分被禁用。当它超过1.7V以下的最积极的供应，部分启用PAGE 7应用信息TLV3501和TLV3502都具有高速内部的滞后反应和包括6MV改善与输入共模噪声抑制能力范围可超出电源轨0.2V。关机一个停机引脚允许器件进入空闲时，在不使用。当关断引脚高电平时，器件约2A绘制和输出变为高阻抗。当关断引脚低，TLV3501是可用的。TLV3501关机功能不使用时，只需最负电源关断引脚连接，作为如图1所示。走出来的，大约需要100ns的关断模式。 TLV3502没有关机功能。VINVREFVOUTVS0.1F2.2FTLV3501图1。 TLV3501的基本连接工作电压TLV3501比较器都被指定

11、为一个单一的使用电源+2.7 V至+5.5 V（或从 1.35V双电源供电 2.75V）在一个温度范围为-40 C至+125 C。器件将继续低于此范围的功能，但未指定性能。增加外部滞回TLV350x有一个强大的性能与使用时良好的布局。然而，比较器的输入噪音小指定的偏移电压范围内的免疫力（ 5mV的）。对于滞销或嘈杂的输入信号，输入比较器的输出可能会显示多个开关信号通过开关阈值移动。在这种应用程序，内部滞回的TLV350x 6MV可能没有足够。情况下，较大的噪声免疫力需要，可能会增加外部滞回连接少量的积极反馈输入。图2显示了一个典型的拓扑结构，用于引入25mV的额外的滞后，为总31mV从单一5V

12、电源操作时的滞后。共有滞后是近似公式1：VHYST？（五）R1R1的？R2？6MVVHYST需要设置过渡电压值通过扩大阈值开关比较器输出区域，从而减少对噪声的敏感性。图2。添加滞后的TLV350x输入过电压保护设备投入将ESD二极管保护进行，如果输入电压超过电源超过约300mV的。瞬间电压电源可大于300mV的更大的超越输入电流10mA的电流是有限的，如果容忍。这限制很容易实现与串联一个小的输入电阻比较，如图3所示。图3。输入电流电压保护超过电源电压PAGE 8张弛振荡器TLV350x可以作为一个简单而方便地进行配置廉价的张弛振荡器。在图4中的R2网络设置跳闸阈值在1 / 3和2 /3的供应。

13、由于这是一个高速电路，电阻值相当低，以减少寄生效应电容。积极输入候补之间的1 / 3V +和V +取决于是否产量低2 /3或高。充电时间一定要（或放电）0.69R1C。因此，这一时期是1.38R1C。对于62pF和1k作为如图4所示，输出计算为10.9MHz。在9.6MHz振荡的这条赛道的实施。寄生电容和元件公差解释理论和实际表现之间的差异。图4。张弛振荡器高速窗口比较器一个窗口比较器电路是用来确定何时两个电压信号。 TLV3502可以很容易地用于创建一个高速窗口比较器。 VHI是高电压阈值，和VLO的是低电压阈值。当VIN这两个阈值之间，在图5中的输出是很高的。图6显示了一个简单的方法取得了

14、积极的低输出。请注意，参考图5和之间的连接不同水平图6。任何一个电路的工作电压范围2.7V至5.5V。图5。窗口比较高电平图6。窗口比较低有效PAGE 9PCB布局对于任何高速比较器或放大器，适当的设计印刷电路板（PCB）布局是必要的最佳的性能。过量的杂散电容。积极投入，或不正确的接地，可以限制最大高速电路的性能。最大限度地减少阻力，从信号源比较器的输入是必要的，为了尽量减少整个电路的传播延迟。源沿输入和杂散电容与电阻的创建一个RC滤波器，延迟的输入电压转换 ，并减少高频信号的振幅。 “输入电容的TLV350x流浪结果在几个地面电容从输入引脚皮法的电容。用于电源的位置和类型的电容绕过是高速比较

15、器的关键。 “建议2.2F钽电容不需要被视为靠近器件为0.1F的电容，并可能与其他设备共享。 2.2F电容缓冲电源线对石激起千层浪，和0.1F的电容在高频提供了一个比较负责切换。在高速电路，快速上升和下降开关瞬变创建线之间的电压差将在相同的电位直流。为了减少这种影响，地平面是经常被用来降低电压差电路板内的潜力。地平面有的优势，最大限度地减少了杂散电容的影响电路板提供一个更理想的路径电流流过。比地平面的信号跟踪，在高频率的返回电流（地平面）往往流权下的信号跟踪。断裂处地平面（如导致通孔和通孔的简单）增加飞机的电感，从而降低在更高的频率生效。休息中的地平面必要的孔应随机间隔。图7显示了一个为TLV

16、3501的SO - 8的评价布局包图8是为SOT23 - 5封装。他们是显示将信号上的SMA连接器和关闭董事会。 RT1和RT2为+ VIN端接电阻和VIN的分别。 C1和C2是电源旁路电容。将最接近的0.1F电容比较。地平面不显示，但电阻器和电容器的连接垫，是所示。图9显示了该电路的原理图。朗读图7。TLV3501D（SO- 8）样板图8。TLV3501DBV（SOT23）样板图9。图7和图8示意图PAGE 10封装信息订购的设备状态（1）包装类型包绘图引脚封装数量环保计划（2）铅/焊球涂层MSL峰值温度（3）TLV3501AID主动SOIC D 875绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜

17、镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3501AIDBVR主动的SOT-23 DBV63000绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3501AIDBVT主动SOT-23 DBV6 250绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3501AIDG4主动SOIC D 875绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3501AIDR主动SOIC D 82500绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3501AIDRG4主动SOIC82500绿色环保（RoHS无

18、Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3502AID主动SOIC D 875绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级别3- 260C-168小时TLV3502AIDCNR主动SOT23 DCN83000绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3502AIDCNT主动SOT23 DCN8250绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1年TLV3502AIDR主动SOIC D 82500绿色环保（RoHS无Sb / Br）铜镍钯金级别3- 260C-168小时1）营销状态值定义如下：ACTIVE：产品设备推荐用于

19、新设计。LIFEBUY：TI日前宣布，将停止该设备，并买了一辈子期间生效。NRND：不建议用于新设计。设备在生产中，以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分一个新的设计。PREVIEW：设备已经公布，但不生产。样品可能会或可能无法使用。废弃：TI已经停产的生产设备。（2）环保计划 - 计划的环保分级：无铅（符合RoHS）或绿色环保（RoHS和无Sb / Br） - 请检查待定：Pb-Free/Green转换计划尚未确定。无铅（RoHS）指令：TI的条款“无铅免费”或“无铅”的半导体产品兼容目前的RoHS要求所有6种物质，其中包括导致均质材料中按重量不超过0.1的要求。凡设计焊接在高温下，TI无铅

20、产品适用于在指定的无铅工艺使用。绿色（RoHS和无Sb / Br）：TI定义的“绿色”的意思无铅（符合RoHS），溴（Br）和锑（Sb）基于火焰阻燃剂（溴或锑不超过均质材料重量的0.1）（3）MSL，山顶温度。- 潮湿敏感度等级评级根据JEDEC工业标准分类和峰值焊接温度。重要信息和免责声明：此页上提供的信息代表的日期，这是TI的知识和信仰提供。 TI由第三方提供的信息为基础的知识和信念，不作任何陈述或保证的这些信息的准确性。正在努力，以更好地整合来自第三方的信息。 TI已采取并继续采取合理步骤，以提供有代表性的和准确的信息，但可能没有进行破坏性测试或化学分析来料和化学品。 TI和TI供应商认

21、为某些信息是专有的，从而CAS号码和其他有限信息可能无法发布。TI的责任在任何情况下所产生的这些信息，在问题超过出售本文件由TI TI器件的总购买价（S）在年度基础上的客户。封装选项增编 7月26日2005年附录 LAST PAGE重要通知德州仪器公司及其附属公司（TI）的储备有权作出更正，修改，增强，改进和其他改变其产品和服务在任何时间和停止任何产品或服务，恕不另行通知。客户之前获取最新的相关信息订单，并应验证这些信息是否完整且是最新的。所有产品的销售受到TI的条款在订单确认时提供的销售条件。TI的权证其硬件产品的性能，适用于在销售时的规范按照TI的标准保修。测试和其它质量控制技术被用来在多

22、大程度上钛认为有必要支持这项保修。除授权政府要求，所有测试每个产品的参数不一定执行。TI应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户负责他们使用TI组件的产品和应用。为了尽量减小与客户产品相关的风险和应用，客户应提供充分的设计与操作安全措施。TI不保证或代表任何许可证，明示或暗示的，是在任何TI专利权授予，版权，口罩工作的权利，或其他TI知识产权权利有关的任何组合，机器或过程在TI产品或服务的使用。由TI所发布的信息，关于第三方产品或服务不构成从TI许可使用这些产品或服务，或保修或认可。使用此类信息可能需要从第三方的许可下，专利或其他知识产权的第三方，或从TI TI的专利或其他知识产权的许可下。

23、TI的数据手册或数据表中的信息复制是允许的，只有在繁殖是没有是伴随着改建和所有相关的担保，条件，限制和通告。复制此信息的篡改是一个不公平和欺诈性商业行为。 TI不负责或承担责任forAddendum朗读这种改变的文件。转售TI产品或服务与陈述或超出了由TI表示为参数不同，所有的快递和相关的TI产品或服务的任何隐含保证产品或服务的空隙是一个不公平和欺诈性商业行为。 TI不负责或承担任何此类陈述。以下是在那里你可以获取其它TI产品和应用信息的网址解决方案：产品应用放大器 数据转换器汽车DSP 宽带接口数字控制 digitalcontrol逻辑军事电源管理光网络 opticalnetwork微控制器安全电话视频与成像无线邮寄地址：德州仪器邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265版权所有 2005年，德州仪器