模电第四版习题解答.docx

1、模电第四版习题解答模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组 编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件 3第2章 基本放大电路 14第3章多级放大电路 31第4章集成运算放大电路 41第5章放大电路的频率响应 50第6章放大电路中的反馈 60第7章信号的运算和处理 74第8章波形的发生和信号的转换 90第9章功率放大电路 114第10章直流电源 126第1章常用半导体器件自测题一、 判断下列说法是否正确，用 伙”和 V”表示判断结果填入空内。(1) 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素， 可将其改型为 P型半导体。(V )(2) 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

2、(X )(3) PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 (V )(4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压， 才能保证其Rgs大的特点。(V )若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。 (X )二、 选择正确答案填入空内。(1) PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。A.变窄 B.基本不变 C.变宽(2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。A.前者反偏、后者也反偏 B

3、.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏(4) Ugs=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A、C 。A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管三、 写出图TI.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 Ud=0.7V。?-O+Tnz+O.图 T1.3解：Uoi=1.3V, Uo2=0V, Uo3=-1.3V, Uo4=2V, Uo5=1.3V, Uo6=-2V。四、已知稳压管的稳压值 Uz=6V ,稳定电流的最小值lzmin = 5mA。求图TI.4所示电路中Uoi和Uo2各为多少伏。(b)图 T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故 Uoi=6V。右图中稳压管没有击穿，

4、故 UO2= 5V。五、电路如图T1.5所示，Vcc=15V, -= 100，试问：(1) Rb=50k.时，Uo=?若T临界饱和，贝U Rb=?解: (1)IB =VBB Ube =26A ,Rblc = 0|B =2.6mA,Uo 二Vcc -IcRc =2/。Ibs cs/ 28.6AVBB -U be 一I BS=45.5kf 1六、测得某放大电路中三个 MOS管的三个电极的电位如 表TI.6所示，它们的开启 电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。表 T1.6AvV 口吕号U GS(th)/VUs/VUg/VUd/V工作状态T14-513恒流区

5、T2-43310截止区T3-4605可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如 表TI.6最后一栏所示。习题1.1选择合适答案填入空内。（1） 在本征半导体中加入（A ）元素可形成N型半导体，加入（C ）元素可形成P型半导 体。A.五价 B.四价 C.三价（2） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 （A）。A.增大 B.不变 C.减小（3） 工作在放大区的某三极管，如果当 Ib从12 uA增大到22 uA时，lc从ImA变为2mA，那么它的B约为（C ）。A. 83 B.91 C.100当场效应管的漏极直流电流 I

6、d从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将（A ）。A.增大； B.不变； C.减小1.2电路如图P1.2所示，已知Ui =10sint（v）,试画出Ui与u。的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图 P1.2解：ui与u的波形如 解图PI.2所示。1.3电路如图P1.3所示，已知ui =5si nt（v），二极管导通电压 Ud=0.7V。试画出ui与u的波形图，并标出幅值。1.4电路如图P1.4所示,二极管导通电压 交流信号可视为短路； ui为正弦波，有效值为 的有效值为多少？解：二极管的直流电流Ud=0.7V,常温下Ut : 26mV，电容C对10mV。试问二极管中流过的交流电流Id =(V

7、 -Ud)/R =2.6mA其动态电阻：图 P1.4rD Vdd -ioRd : 10V，因此， UGD = UGS _ UDS -2V，小于开启电压,说明假设成立，即 T工作在恒流区。图 Pl.15当U| =12V时，由于Vdd =12V，必然使T工作在可变电阻区。(b)DD(c)图 P1.16(d)1.16分别判断图Pl.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。补充1.电路如补图P1、（b）所示，稳压管的稳定电压 Uz =3V , R的取值合适,Ui的波形如图（C）所示。试分别画出Uoi和u2的波形。补图P1解：波形如下图所示补充2.在温度20C时某晶体管的Icbo =2A,试问温度是60C时的Icbo二？ 解：ICBO60 “CBO20 2 4 =2 24 =32A。补充3.有两只晶体管，一只的 3=200 , Iceo=2004A ；另一只的 3=100Iceo =ioa，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用3=100 , Iceo MIOPIA的管子，因其3适中，Leo较小，因而温度稳定性较另一只管子好。补充4.电路如补图P4所示，试问3大于多少时晶体管饱和?解：取UCES U BE，若管子饱和，则VCC UE=VCC We,即 R