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温度传感器DS18B20与MCS51单片机的接口.docx

1、温度传感器DS18B20与MCS51单片机的接口1.1 温度传感器DS18B20与MCS-51单片机的接口数字温度传感器问世于20世纪90年代中期。它是微电子技术、计算机技术和自动测试技术的结晶。数字温度传感器具有价格低、精度高、封装小、温度围宽、使用方便等优点,被广泛应用于工业控制、电子测温计、医疗仪器等各种温度控制系统中。数字温度传感器一般部包含温度传感器、A/D转换器、信号处理器、存储器和相应的接口电路,有的还带多路选择器、中央控制器(CPU)、随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。数字温度传感器的种类繁多,一般按总线形式可分为单总线(1-wire)接口、双总线(I2C)接口和三总

2、线(SPI)接口。下面主要以单总线接口数字温度传感器芯片DS18B20为例来介绍数字温度传感器的使用。1.1.1 DS18B20简介DS18B20是DALLAS公司生产的单总线数字温度传感器芯片,具有3引脚TO-92小体积封装形式;温度测量围为-55+125;可编程为912位A/D转换精度;用户可自设定非易失性的报警上下限值;被测温度用16位补码方式串行输出;测温分辨率可达0.0625;其工作电源既可在远端引入,也可采用寄生电源方式产生;多个DS18B20可以并联到3根或两根线上,CPU只需一根端口线就能与诸多DS18B20通信,占用微处理器的端口较少。可广泛用于工业、民用、军事等领域的温度测

3、量及控制仪器、测控系统和大型设备中。1.1.2 DS18B20的外部结构DS18B20可采用3脚TO-92小体积封装和8脚SOIC封装。其外形和引脚图如图7.17所示。图1.1 DS18B20的外形及引脚图图中引脚定义如下。(1) DQ:数字信号输入/输出端。(2) GND:电源地。(3) VDD:外接供电电源输入端(在寄生电源接线方式时接地)。1.1.3 DS18B20的部结构DS18B20部主要由4部分组成:64位光刻ROM、温度传感器、非易失性温度报警触发器TH和TL、配置寄存器等。其部结构图如图7.18所示。DS18B20的存储部件有以下几种。1光刻ROM存储器光刻ROM中存放的是64

4、位序列号,出厂前已被光刻好,它可以看作是该DS18B20的地址序列号。不同的器件地址序列号不同。64位序列号的排列是:开始8位(28H)是产品类型标号,接着的48位是该DS18B20自身的序列号,最后8位是前面56位的循环冗余校验码。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。图7.18 DS18B20的部结构图2高速暂存存储器高速暂存存储器由9个字节组成,其分配如表7.6所示。第0和第1个字节存放转换所得的温度值;第2和第3个字节分别为高温度触发器TH和低温度触发器TL;第4个字节为配置寄存器;第5、6、7个字节保留;第8个字节为

5、CRC校验寄存器。表7.6 DS18B20高速暂存存储器的分布字节序号功 能0温度转换后的低字节1温度转换后的高字节2高温度触发器TH3低温度触发器TL4配置寄存器5保留6保留7保留8CRC校验寄存器DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量,当温度转换命令发布后,转换后的温度以补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节中。以12位转化为例:用16位符号扩展的二进制补码数形式提供,以0.0625/LSB形式表示,其中S为符号位。表7.7是12位转化后得到的12位数据,高字节的前面5位是符号位,如果测得的温度大于0,这5位为0,只要将测到的数值乘以0.0625即可得到实际温度;如果温度小

6、于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘以0.0625即可得到实际温度。表7.7 DS18B20温度值格式表D7D6D5D4D3D2D1D0LS Byte232221202-12-22-32-4D7D6D5D4D3D2D1D0MS ByteSSSSS262524例如,+125的数字输出为07D0H,+25.0625的数字输出为0191H,-25.0625的数字输出为FF6FH,-55的数字输出为FC90H。 表7.8列出了DS18B20部分温度值与采样数据的对应关系。表7.8 DS18B20部分温度数据表温度/16位二进制编码十六进制表示1250000 0111 1101 000007D0

7、H850000 0101 0101 00000550H+25.06250000 0001 1001 00010191H+10.1250000 0000 1010 001000A2H+0.50000 0000 0000 10000008H00000 0000 0000 00000000H-0.51111 1111 1111 1000FFF8H-10.1251111 1111 0101 1110FF5EH-25.06251111 1110 0110 1111FE6FH-551111 1100 1001 0000FC90H高温度触发器和低温度触发器分别存放温度报警的上限值TH和下限值TL;DS18B

8、20完成温度转换后,就把转换后的温度值T与温度报警的上限值TH和下限值TL作比较,若TTH或TTL,则把该器件的告警标志置位,并对主机发出的告警搜索命令作出响应。配置寄存器用于确定温度值的数字转换分辨率,该字节各位的意义如下:D7D6D5D4D3D2D1D0TMR1R011111其中:低五位一直都是1 ,TM是测试模式位,用于设置DS18B20是在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0,用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率,如表7.9所示(DS18B20出厂时被设置为12位)。表7.9 温度值分辨率设置表R1R0分辨率/位温度最大转换时间/ms00993.750110

9、187.51011275.001112750.00CRC校验寄存器存放的是前8个字节的CRC校验码。1.1.4 DS18B20的温度转换过程根据DS18B20的通信协议,主机控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤:每一次读写之前都要对DS18B20进行复位,复位成功后发送一条ROM指令,最后发送RAM指令,这样才能对DS18B20进行预定的操作。DS18B20的ROM指令和RAM指令如表7.10和表7.11所示。表7.10 ROM指令表指 令约定代码功 能读ROM33H读DS18B20温度传感器ROM中的编码(即64位地址)匹配 ROM55H发出此命令之后,接着发出 64 位 ROM

10、编码,访问单总线上与该编码相对应的 DS18B20 使之作出响应,为下一步对该 DS18B20 的读写作准备搜索 ROM0F0H用于确定挂接在同一总线上 DS18B20 的个数和识别 64 位 ROM 地址。为操作各器件做好准备跳过 ROM0CCH忽略 64 位 ROM 地址,直接向 DS1820 发温度变换命令。适用于单片工作告警搜索命令0ECH执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才作出响应表7.11 RAM指令表指 令约定代码功 能温度变换44H启动DS18B20进行温度转换,12位转换时最长为750ms(9位为93.75ms)。结果存入部9字节RAM中读暂存器0BEH读部RAM中9字

11、节的容写暂存器4EH发出向部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令,紧跟该命令之后,是传送两字节的数据复制暂存器48H将RAM中第3、4字节的容复制到EEPROM中重调 EEPROM0B8H将EEPROM中的容恢复到RAM中的第3、4字节读供电方式0B4H读DS18B20的供电模式。寄生供电时DS18B20发送“0”,外接电源供电时DS18B20发送“1”每一步骤都有严格的时序要求,所有时序都是将主机作为主设备,单总线器件作为从设备。而每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始,如果要求单总线器件回送数据,在进行写命令后,主机需启动读时序完成数据接收。数据和命令的传输都是低位在前。时

12、序可分为初始化时序、读时序和写时序。复位时要求主CPU将数据线下拉500 s,然后释放,DS18B20收到信号后等待1560 s左右,后发出60240 s的低电平,主CPU收到此信号则表示复位成功。读时序分为读“0”时序和读“1”时序两个过程。对于DS18B20的读时序是从主机把单总线拉低之后,在15 s之就得释放单总线,以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20完成一个读时序过程至少需要60 s。对于DS18B20的写时序仍然分为写“0”时序和写“1”时序两个过程。DS18B20写“0”时序和写“1”时序的要求不同,当要写“0”时,单总线要被拉低至少60 s,以保证DS18B20

13、能够在15 s到45 s之间正确地采样I/O总线上的“0”电平;当要写“1”时,单总线被拉低之后,在15 s之就得释放单总线。 1.1.5 DS18B20与51单片机的接口DS18B20与51单片机的连接非常简单,只须把DS18B20的数据线DQ与51单片机的一根并口线连接即可,51单片机通过这根并口就能实现对DS18B20的所有操作,这根并口线一般通过电阻接电源。DS18B20的电源可采用外部电源供电,也可采用部寄生电源供电。当外部电源供电时,VDD接外部电源,GND接地地。当采用部寄生电源供电时,VDD与GND一起接地。另外,也可用多片DS18B20连接组网形成多点测温系统,在多片连接时,

14、DS18B20必须采用外部电源供电方式。图7.19 单片DS18B20与51单片机的一种连接图图7.19是单片DS18B20与51单片机的连接电路,DS18B20的数据线DQ连接在51单片机的P1.0上,并通过上拉电阻接电源,采用外部电源供电方式。为了便于显示温度结果,在图7.19中加一块LCD显示器用显示DS18B20测量的当前温度值。由于DS18B20对时间非常敏感,如果延时时间不准确不能对DS18B20进行正确的操作。因此不同的系统时钟,编制的程序会有所区别,在这里假定系统时钟频率为12MHZ,测量的温度围-55+99,精度为小数点后一位,相应程序如下。汇编语言程序:;*;程序适合单个DS18B20和MCS-51单片机的连接,晶振为12MHz;测量的温度围-55+99,温度精确到小数点后一位 ;*TEMPER_L EQU 30H ;存放从DS18B20中读出的高、低位温度值TEMPER_H EQU 31HTEMPER_NUM EQU 32H ;存

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