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计算机组成原理课后答案第四章庞海波.docx

1、计算机组成原理课后答案第四章庞海波 第四章 思考题与习题 1解释下列概念 主存、 辅存、 Cache、 RAM、 SRAM、 DRAM、 ROM、 PROM、 EPROM、 EEPROM、 CDROM、 Flash Memory 答: 主存:与 CPU 直接交换信息,用来存放数据和程序的存储器。 辅存:主存的后援存储器,不与 CPU 直接交换信息。 CACHE:为了解决 CPU 和主存的速度匹配,设在主存与 CPU之间,起缓冲作用,用于提高访存速度的一种存储器。 RAM:随机存储器:是随机存取的,在程序执行过程中既可读出也可写入,存取时间与存储单元所在位置无关。 SRAM:静态 RAM,以触发

2、器原理存储信息。 DRAM:动态 RAM,以电容充放电原理存储信息。 ROM:只读存储器,在程序执行过程中只能读出,而不能对其写入。 PROM:一次性编程的只读存储器。 EPROM:可擦除的可编程只读存储器,用紫外线照射进行擦写。 EEPROM:用电可擦除的可编程只读存储器。 CDROM:只读型光盘 Flash Memory:快擦型存储器,是性能价格比好,可靠性高的可擦写非易失型存储器 2计算机中哪些部件可用于存储信息,请按其速度、容量和价格/位排序说明。 答: 寄存器、缓存、主存、磁盘、磁带等。 速度按顺序越来越慢,容量越来越高和价格/位越来越低 3存储器的层次结构主要体现在什么地方?为什么

3、要分这些层次,计算机如何管理这些层 次? 答:存储器的层次结构主要体现在Cache主存和主存辅存这两个存储层次上。 Cache主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用,即从整体运行的效果分析,接近于Cache的速度,而容量和位价却接近于主存。 主存辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,其容量和位价接近于辅存,而速度接近于主存 4说明存取周期和存取时间的区别。 答: 存取周期和存取时间的主要区别是:存取时间仅为完成一次存取操作的时间,而存取周期不仅包含操作时间,还包含操作后线路的恢复时间。即: 存取周期 = 存取时间 + 恢复时间 5什么是存储器的带宽?若存储器的数据总线宽度为 32 位,存

4、取周期为 200ns,则存储器 的带宽是多少? 解:存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。 存储器带宽 = 1/200ns32位= 160M位/秒 = 20MB/S = 5M字/秒 6某机字长为 32 位,其存储容量是 64KB,按字编址它的寻址范围是多少?若主存以字节 编址,试画出主存字地址和字节地址的分配情况。 答: 存储容量是64KB时,按字节编址的寻址范围就是64KB,则:按字寻址范围 = 64K8 / 32=16K字 按字节编址时的主存地址分配图如下: 7一个容量为 16K32 位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?当选用下列不同规 格的存储芯片时,各需要多少片?

5、1K4 位,2K8 位,4K4 位,16K1 位,4K8 位,8K8 位 答: 地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46根; 各需要的片数为: 1K4:16K32 /1K4 = 168 = 128片 2K8:16K32 /2K8 = 8 4 = 32片 4K4:16K32 /4K4 = 4 8 = 32片 16K1:16K32 /16K1 = 32片 4K8:16K32 /4K8 = 4 4 = 16片 8K8:16K32 / 8K8 = 2X4 = 8片 8试比较静态 RAM 和动态 RAM。 特性SRAMDRAM存储触发器电容破坏性读出非是需要刷新不要需要地址复用无有运行速度快慢

6、集成度低高功耗高低适用场合cache大容量主存9什么叫刷新?为什么要刷新?说明刷新有几种方法。 答: 刷新对DRAM定期进行的全部重写过程; 刷新原因因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充,因此安排了定期刷新操作; 常用的刷新方法有三种集中式、分散式、异步式。 集中式:在最大刷新间隔时间内,集中安排一段时间进行刷新; 分散式:在每个读/写周期之后插入一个刷新周期,无CPU访存死时间; 异步式:是集中式和分散式的折衷 10半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种? 答: 半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种:线选法和重合法。 线选法:地址译码信号只选中同一个字的所有位,结构简单,费器材

7、; 重合法:地址分行、列两部分译码,行、列译码线的交叉点即为所选单元。可大大节省器材用量,是最常用的译码驱动方式 11. 一个8K8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256256形式,存取周期为0.1s。试问采用集中刷新、分散刷新及异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少? 答: 设DRAM的刷新最大间隔时间为2ms, 则异步刷新的刷新间隔 =2ms/256行 =0.0078125ms =7.8125s 即:每7.8125s刷新一行。 集中刷新时,死时间为256*0.1us=25.6us。 分散刷新,刷新间隔0.2us,死时间为0.1us,读写周期0.2us 异步刷新,死时间0.1us,刷新间隔7

8、.8125us。 12. 画出用10244位的存储芯片组成一个容量为64K8位的存储器逻辑框图。要求将64K分成4个页面,每个页面分16组,指出共需多少片存储芯片。 答: 设采用SRAM芯片,则: 总片数 = (64K8位) / (10244位)= 642 = 128片 题意分析:本题设计的存储器结构上分为总体、页面、组三级,因此画图时也应分三级画。首先应确定各级的容量: 页面容量 = 总容量 / 页面数 = 64K8 / 4 = 16K8位,4片16K8字串联成64K8位 组容量 = 页面容量 / 组数 = 16K8位 / 16 = 1K8位,16片1K8位字串联成16K8位 组内片数 =

9、组容量 / 片容量 = 1K8位 / 1K4位 = 2片,两片1K4位芯片位并联成1K8位 存储器逻辑框图: 13 设有一个 64K8 位的 RAM 芯片, 试问该芯片共有多少个基本单元电路 (简称存储基元) ? 欲设计一种具有上述同样多存储基元的芯片, 要求对芯片字长的选择应满足地址线和数 据线的总和为最小,试确定这种芯片的地址线和数据线,并说明有几种解答。 答: 存储基元总数 = 64K 8位 = 512K位 = 219位; 设存储器有X根地址线和Y根数据线 则有 2X *Y=219 Y=1,X=19 X+Y=20 Y=2,X=18 X+Y=20 Y=4,X=17 X+Y=21 Y=8,X

10、=16 X+Y=24 Y=16,X=15 X+Y=31 Y=32。 由上可看出:片字数越少,片字长越长,引脚数越多。片字数、片位数均按2的幂变化。 结论:如果满足地址线和数据线的总和为最小,这种芯片的引脚分配方案有两种:地址线 = 19根,数据线 = 1根;或地址线 = 18根,数据线 = 2根。 因此,有两种解答,512K*1位和256K*2位 14某 8 位微型机地址码为 18 位,若使用 4K4 位的 RAM 芯片组成模块板结构的存储器, 试问: (1)该机所允许的最大主存空间是多少? (2)若每个模块板为 32K8 位,共需几个模块板? (3)每个模块板内共有几片 RAM 芯片? (4

11、)共有多少片 RAM? (5)CPU 如何选择各模块板? 答: (1)218 = 256K,则该机所允许的最大主存空间是256K8位(或256KB); (2)模块板总数 = 256K8 / 32K8 = 8块; (3)板内片数 = 32K8位 / 4K4位= 8 2 = 16片; (4)总片数 = 16片 8 = 128片; (5)CPU通过最高3位地址译码选板,次高3位地址译码选片。地址格式分配如下: 15设 CPU 共有 16 根地址线,8 根数据线,并用 MREQ (低电平有效)作访存控制信号, R W 作读写命令信号(高电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片: ROM(2K8 位,4

12、K4 位,8K8 位), RAM(1K4 位,2K8 位,4K8 位) 及 74138 译码器和其他门电路(门电路自定)。 试从上述规格中选用合适芯片,画出 CPU 和存储芯片的连接图。要求: (1)最小 4K 地址为系统程序区,409616383 地址范围为用户程序区; (2)指出选用的存储芯片类型及数量; (3)详细画出片选逻辑。 答: (1)地址空间分配图如下 A15A12 A11A8 A7A4 A3A0 04K 0000 0000 0000 0000 0000 1111 1111 1111 4K8K 0001 0000 0000 0000 0001 1111 1111 1111 8k1

13、2k 0010 0000 0000 0000 0010 1111 1111 1111 12k16k 0011 0000 0000 0000 0011 1111 1111 1111 (2)选片:ROM:4K 4位:2片; RAM:4K 8位:3片; (3)CPU和存储器连接逻辑图及片选逻辑 16CPU 假设同上题,现有 8 片 8K8 位的 RAM 芯片与 CPU 相连,试回答: (1)用 74138 译码器画出 CPU 与存储芯片的连接图; (2)写出每片 RAM 的地址范围; (3)如果运行时发现不论往哪片 RAM 写入数据后,以 A000H 为起始地址的存储芯片 都有与其相同的数据,分析故

14、障原因。 (4)根据(1)的连接图,若出现地址线 A13 与 CPU 断线,并搭接到高电平上,将出 现什么后果? 答: (1)CPU与存储器芯片连接逻辑图:(此题画法不标准,见15题答案画法) (2)地址空间分配 00001FFF 08K; 20003fff 8K16K; 40005fff 16k24K 60007FFF 24k32k 80009FFF 3240K;A000Bfff 40K48K; C000Dfff 48k56K E000FFFF 56k64k (3)如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后,以A000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据,则根本的故障原因为:该存储芯片的片

15、选输入端很可能总是处于低电平。可能的情况有:该片的-CS端与-WE端错连或短路;该片的-CS端与CPU的-MREQ端错连或短路;该片的-CS端与地线错连或短路。在此,假设芯片与译码器本身都是好的。 (4)如果地址线A13与CPU断线,并搭接到高电平上,将会出现A13恒为“1”的情况。此时存储器只能寻址A13=1的地址空间,A13=0的另一半地址空间将永远访问不到。若对A13=0的地址空间进行访问,只能错误地访问到A13=1的对应空间中去。 17. 写出1100、1101、1110、1111对应的汉明码。 答: 有效信息均为n=4位,假设有效信息用b4b3b2b1表示 校验位位数k=3位,(2k

16、=n+k+1) 设校验位分别为c1、c2、c3,则汉明码共4+3=7位,即:c1c2b4c3b3b2b1 校验位在汉明码中分别处于第1、2、4位 c1=b4b3b1 c2=b4b2b1 c3=b3b2b1 当有效信息为1100时,c3c2c1=011,汉明码为1110100。 当有效信息为1101时,c3c2c1=100,汉明码为0011101。 当有效信息为1110时,c3c2c1=101,汉明码为1011110。 当有效信息为1111时,c3c2c1=010,汉明码为0110111。 18. 已知收到的汉明码(按配偶原则配置)为1100100、1100111、1100000、1100001

17、,检查上述代码是否出错?第几位出错? 答: 假设接收到的汉明码为:c1c2b4c3b3b2b1 纠错过程如下: P1=c1b4b3b1 P2=c2b4b2b1 P3=c3b3b2b1 如果收到的汉明码为1100100,则p3p2p1=110,说明代码有错,第6位(b2)出错,有效信息为:1100 如果收到的汉明码为1100111,则p3p2p1=111,说明代码有错,第7位(b1)出错,有效信息为:0110 如果收到的汉明码为1100000,则p3p2p1=011,说明代码有错,第3位(b4)出错,有效信息为:1000 如果收到的汉明码为1100001,则p3p2p1=100,说明代码有错,第

18、4位(c3)出错,有效信息为:0001 19. 已经接收到下列汉明码,分别写出它们所对应的欲传送代码。 (1)1100000(按偶性配置) (2)1100010(按偶性配置) (3)1101001(按偶性配置) (4)0011001(按奇性配置) (5)1000000(按奇性配置) (6)1110001(按奇性配置) 答: (一)假设接收到的汉明码为C1C2B4C3B3B2B1,按偶性配置则: P1=C1B4B3B1 P2=C2B4B2B1 P3=C3B3B1 (1)如接收到的汉明码为1100000, P1=1000=1 P2=1000=1 P3=000=0 P3P2P1=011,第3位出错,

19、可纠正为1110000,故欲传送的信息为1000。 (2)如接收到的汉明码为1100010, P1=1000=1 P2=1010=0 P3=000=0 P3P2P1=001,第1位出错,可纠正为0100010,故欲传送的信息为0010。 (3)如接收到的汉明码为1101001, P1=1001=0 P2=1001=0 P3=101=0 P3P2P1=000,传送无错,故欲传送的信息为0001。 (二)假设接收到的汉明码为C1C2B4C3B3B2B1,按奇性配置则: P1=C1B4B3B11 P2=C2B4B2B11 P3=C3B3B11 (4)如接收到的汉明码为0011001, P1=0101

20、1=1 P2=01011=1 P3=1011=1 P3P2P1=111,第7位出错,可纠正为0011000,故欲传送的信息为1000。 (5)如接收到的汉明码为1000000, P1=10001=0 P2=01001=0 P3=0001=1 P3P2P1=100,第4位出错,可纠正为1001000,故欲传送的信息为0000。 (6)如接收到的汉明码为1110001, P1=11011=0 P2=11011=0 P3=0011=0 P3P2P1=000,传送无错,故欲传送的信息为1001。 20.欲传送的二进制代码为1001101,用奇校验来确定其对应的汉明码,若在第6位出错,说明纠错过程。 答

21、: 欲传送的二进制代码为1001101,有效信息位数为n=7位,则汉明校验的校验位为k位,则:2k=n+k+1,k=4,进行奇校验设校验位为C1C2C3C4,汉明码为C1C2B7C3B6B5B4C4B3B2B1, C1=1B7B6B4B3B1=110111=1 C2=1B7B5B4B2B1=110101=0 C3=1B6B5B4=1001=0 C4=1B3B2B1=1101=1 故传送的汉明码为10100011101,若第6位(B5)出错,即接收的码字为10100111101,则 P1=1C1B7B6B4B3B1=1110111=0 P2=1C2B7B5B4B2B1=1011101=1 P3=

22、1C3B6B5B4=10011=1 P4=1C4B3B2B1=11101=0 P4P3P2P1=0110说明第6位出错,对第6位取反即完成纠错。 21. 为什么在汉明码纠错过程中,新的检测位P4P2P1的状态即指出了编码中错误的信息位? 答: 汉明码属于分组奇偶校验,P4P2P1=000,说明接收方生成的校验位和收到的校验位相同,否则不同说明出错。由于分组时校验位只参加一组奇偶校验,有效信息参加至少两组奇偶校验,如果校验位出错,P4P2P1的某一位将为1,刚好对应位号4、2、1;如果有效信息出错,将引起P4P2P1中至少两位为1,如B1出错,将使P4 P2P1均为1, P4P2P1=111,

23、22某机字长 16 位,常规的存储空间为 64K 字,若想不改用其他高速的存储芯片,而使访 存速度提高到 8 倍,可采取什么措施?画图说明。 解:若想不改用高速存储芯片,而使访存速度提高到8倍,可采取八体交叉存取技术,8体交叉访问时序如下图: 线路图如下图: 23. 设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用M/-IO作为访问存储器或I/O的控制信号(高电平为访存,低电平为访I/O),-WR(低电平有效)为写命令,-RD(低电平有效)为读命令。设计一个容量为64KB的采用低位交叉编址的8体并行结构存储器。现有右图所示的存储芯片及138译码器。 画出CPU和存储芯片(芯片容量自定)的连接图,并写

24、出图中每个存储芯片的地址范围(用十六进制数表示)。 答: 芯片容量=64KB/8=8KB 每个芯片(体)的地址范围以8为模低位交叉分布如下: 方案1:8体交叉编址的CPU和存储芯片的连接图: 注:此设计方案只能实现八体之间的低位交叉寻址,但不能实现八体并行操作。 方案2:8体交叉并行存取系统体内逻辑如下 由于存储器单体的存取周期为T,而CPU的总线访存周期为(1/8)T,故体内逻辑要支持单体的独立工作速率。因此在SRAM芯片的外围加了地址、数据的输入/输出缓冲装置,以及控制信号的扩展装置。 CPU和各体的连接图:由于存储器单体的工作速率和总线速率不一致,因此各体之间存在总线分配问题,存储器不能

25、简单地和CPU直接相连,要在存储管理部件的控制下连接。 24. 一个4体低位交叉的存储器,假设存取周期为T,CPU每隔1/4存取周期启动一个存储体,试问依次访问64个字需多少个存取周期? 答: 本题中,只有访问第一个字需一个存取周期,从第二个字开始,每隔1/4存取周期即可访问一个字,因此,依次访问64个字需: 存取周期个数 =(64-1)(1/4)T+T =(63/4+1)T =15.75+1 =16.75T 25. 什么是“程序访问的局部性”?存储系统中哪一级采用了程序访问的局部性原理? 答: 程序运行的局部性原理指:对局部范围的存储器地址频繁访问,而对此范围以外的地址则访问甚少的现象。 时间:在一小段时间内,最近被访问过的程序和数据很可能再次被访问; 空间:在空间上,这些被访问的程序和数据往往集中在一小片存储区; 在访问顺序上,指令顺序执行比转移执行的可能性大。 存储系统中Cache主存层次采用了程序访问的局部性原理。 26. 计算机中设置Cache的作用是什么?能不能把Cache的容量扩大,最后取代主存,为什么? 答: 计算机中设置Cache主要是为了加速CPU访存速度; 不能把Cache的容量扩大到最后取代主存,价格以及体积原因不适合。 27.Cache做在CPU芯片内有什么好处?将指令Cac

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