精编电子行业常用电子元器件的认识.docx

1、精编电子行业常用电子元器件的认识【电子行业】常用电子元器件的认识xxxx年xx月xx日xxxxxxxx集团企业有限公司Please enter your companys name and contentv 电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会见电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.1. 电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1. 电路符号和外形. (a) (b) (c)(a) 国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2. 电阻概念: 电阻具有阻碍电流的

2、作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(),千欧(K) 和兆欧(M).6 1M=10 K=10 3. 种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻, 可调电阻,水泥电阻.4. 性能参数(1) 标称阻值和允许误差(2) 额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3) 电阻温度系数(4). 工作温度范围 Carbon Film :-55-+155 Metal Film :-55-+155 Metal Oxide Film :-55-+200 Chip Fil

3、m :-55-+1255. 标注方法:(1) 直标法(2) 色标法 色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环 和五道环俩种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0123456789-1-2 四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍 数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法. 例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10 10%()6. 误差代码Tolerance 1%2%2.5%3%5%10%20%

4、SymbolsFGHIJKM7. 电阻的分类(1). 碳膜电阻(2). 金属膜电阻 （保险丝电阻）(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5). 保险丝二:电容器 英文Capacitor 1.电路符号 (a) (b) (a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念 电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定: C=Q/U=S/4d,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1) 标准容量及允许偏差(2) 额定电压(3) 损耗系数DF值 DF=P耗/P总 P耗为充放电损耗功率, P总为充放电总能量.

5、(4) 温度系数5.标注方法(1) 直标法(2) 色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF 6. 多层陶瓷电容器电介质分类NPO（COG）一类电介质电气性能最稳定基本上不随温度电压和时间的改变而改变适用于对稳定性要求高的电路X7R(2X1) : 二类电介质电气性能较稳定在温度电压和时间改变时性能变化且不显著适用于隔直,偶合旁路和对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电

6、压等测试条件较敏感. 7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器) High precision of capacitance. Low dissipation factor and low ESR. High insulation resistance High stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.(2) Polyester Film Capacitor (聚乙烯膜電容器) High moisture resistan

7、ce Good solderability Available on tape and reel for automatic insertion ESR is minimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor (金屬化聚乙烯膜電容器) High moisture resistance. Good solderability. Non-inductive construction and sell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor (聚丙烯膜電容器) Low dissipation

8、 factor and high insulation resistance. High stability of capacitance and DF VS temperature and frequency. Low equivalent series resistance. Non-inductive construction8. X電容9. Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1. 电路符号 (普通电感无极性)2. 主要参数(1) 电感量及允许偏差(2) 品质因子(Q值) 感抗xL=WL=2fL Q=2fL/R Q即为品质因子3. 种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器

9、四.半导体二极管 (英文 Diode)DIODETest #Description1VFForward voltage2IRReverse current leakage3BVRBreakdown voltage1. 电路符号2. 单向导电性 二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.60.7V,锗管0.20.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,

10、二极管会反向击穿. 3.结构 是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管 (4)变容二极管 (6)肖特基二极管 5.主要参数(1) 最大平均整流电流IF: 表征二极管所能流过的最大正向电流.在一 个周期内的平均电流值不能超过IF,否则二极管将会烧坏.(2) 最大反向工作电压VR(3) 反向电流IR:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4) 工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管ZENERTest #Description1VFForward voltage2BVZMinim

11、um Zener voltage.(Use test #5)3BVZMaximum Zener voltage.(Use test #5)4IRReverse current leakage5BVZBVz with programmable soak6ZZ1 KHz Zener Impedance(requires ZZ-1000 or Model 5310) 1.电路符号 (图一) (图二) 2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线能够见出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管俩端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反

12、向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3. 主要参数(1) 稳定电压(2) 稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差 些.(3) 额定功率损耗(4) 电压温度系数(5) 动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管) TRANSISTORTest #Description1hFEForward-current transfer ratio2VBEBase emitter voltage(see also Appendix F)3IEBOEmitter to base cutoff current 4VCESATSaturation voltage5ICBO

13、Collector to base cutoff current6ICEOCollector to emiter cutoff currentICER,with base to emiter load,ICEX,reverse bias,orICESshort(see also Appendix F)7BVCEOBreakdown voltage,collector to emitter,BVCERwith base to emiter load,BVCEXreverse bias,orBVCESshort(see also Appendix F)8BVCBOBreakdown voltage

14、,collector to base9BVEBOBreakdown voltage,emitter to base10VBESATBase emitter saturation voltage 1.电路符号 (a)NPN (b)PNP 2.结构 集电极 (a) NPN 结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成俩个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=Ib, 为三极管电流放大倍数.3.工作原理 (1)NPN (2) PNP (3)共发射极输出特性曲线(1) 放大区发射结正偏,集电

15、结反偏,E1E2,即 NPN型三极管VcVbVe,PNP型三极管 VcVbVe.三极管处于放大状态.由于Ic=Ib,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.60.7V(NPN硅管)(2) 截止Ib0的区域称截止区,UBE0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使UBE0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3) 饱和区 当VCEVBE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.饱和压降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)0.3V,锗管UCE(sat)0.1V4. 主要参数(1) 共发射极直流电流放大系数,即Hfe, =IC/IB(2)

16、 共发射极交流电流放大系数. =IC/IB(3) 集电极,基极反向饱和电流ICBO(4) 集电极,发射极反向饱和电流ICEO,即穿透电流(5) 集电极最大允许功耗PCM(6) 集电极最大允许电流ICM(7) 集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8) 发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9) 集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCRTest #Description1IGTGate-trigger current2IGKOReverse gate current5VGTGate-trigger voltage6BVGKOReverse

17、gaet breakdown voltage7IDRMForward Blocking current8IRRMReverse Blocking current9ILLatching current11IHHolding current(see also Appendix F)13VTMForward on voltage15VDRMForward blocking voltage16VRRMReverse blocking voltage1. 电路符号 A K 阳极 G 控制极 阴极2. 工作原理(1) 在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2) 可控硅导

18、通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3) 导通后,UAK=0.61.2V(4) 要使导通的可控硅截止,得降低 UAK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流IH时,可控硅仍能截止.3. 主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压 (2)通态平均电压UF,约为0.61.2V(3)擎住电流Ica由断态至通态的临界电流.(4) 维持电流IH:从通态至断态的临界电流(5) 控制极触发电压UG,一般15V (6) 控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器 变压器是变换电压的器件1.电路符号 . . L1 L2

19、(a)(a) 图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有俩组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的俩端上的信号相位是同样的.1. 结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时仍泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律和输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级俩端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1) 变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝

20、数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2) 效率 是在额定负载时,输出功率和输入功率之比值, 即=Po/Pi*100%(3) 电压,电流的关系若=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N 九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE) OPTOCOUPLERTest #(Requires Opto Adapter)1LCOFFCollector to emitter dark current 2LCBOCollector to base da

21、rk current3BVCEOBreakdown voltage,collector to emitter4BVCBOBreakdown voltage,collector to base5HFEForward current transfer ratio,transistor6VCESATSaturation voltage,base driven7IRReverse current8VFForward voltage9CTRCurrent transfer ratio,coupled10VSATSaturation voltage,coupled 光电藕合器主要由俩个组件组成,一个发光二

22、极管(LED),另一个是光敏器件,它能够是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1. 电路符号2. 3. 工作原理 当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个和LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比. IF IC IC/IF=CTR十.场效应管JEFTTest #Description1VGSOFFGate to source cutoff voltage.2 lDssZero gate voltage drain current.3BVDGODrain to gate breakdown

23、voltage.4IGSSGate reverse current.5IDGODrain to gate leakage.6IDOFFDrain cut-off current.7BVGSSGate to source breakdown voltage.8VDSONDrain to source on-state voltage. 场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体 三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高. 场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)俩 大类. 结型应管1. 结型场效应管有N型和P型沟道俩种,电路符号如下 d d 结型场效应管有

24、三极:珊极 g g 源极 N型 s P型 s 漏极 二.工作原理结型场效应管有俩个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就能够从沟道中流过,即通过 源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1. 夹断电压UDS(off),当UDS等于某一个定值(10v),使Id等于某一 个微小电流(如50uA)时, 源极间所加的UGS即为夹断电压. UDS(off)一般为110V2. 饱和漏极电流IDS:当UGS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电 流.3.直流输入电阻RGS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS

25、6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率PDM 绝缘珊场效应管MOSFETTest #Description1VGSTHThreshold voltag2IDssZero gate voltage drain current.lDSxwith gate to Source reverse bias.3BVDssDrain to Source breakdown voltage.4VDSONDrain to Source on-state voltage.5IGSSFGate to Source leakage current forward.6IGSSRGate to Source le

26、akage current reverse.7 VFDiode forward voltage.8VGSFGate to Source voltage (forward)required for specified In at specified Vos.(see SISQ Appendix F)9VGSRGate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appendix F)10VDSONOn-state drain current11VGSONOn-state gate

27、voltage 一.结构和符号 它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS管,其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性 d iD iD g b - s s (1)增强型 NMOS (2)增强型 PMOS iD iD g (3)耗尽型 NMOS (4)耗尽型PMOS二.主要参数1.漏源击穿电压BVDS 2.最大漏极电流IDMSX3.阀值电压VGS (开启电压) 4.导通电阻RON5.跨导(互导) (GM) 6.最高工作濒率7.导通时间TON和关断时间十一.集成电路 (英文 Integraed Circuit 缩写为IC) 集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC (一).TL431 它是一