电子技术习题册DOC.docx

1、电子技术习题册DOC一、 判断题（正确的在括号内打“”，错误的打“X”）1. 半导体随温度的升高，电阻会增大。 （ ）2. PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（ ）二、 选择题1. PN结的最大特点是具有（ ）。A. 导电性 B.绝缘性 C.单向导电性2. 半导体受光照，导电性能（ ）。A. 增强 B.减弱 C.不变3. 最常用的半导体材料是（ ）。A. 铜 B.硅 C.铝 D. 锗一、 判断题1. 二极管是线性元件。 （ ）2. 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。 （ ）3. 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。 （ ）4. 二极管具有单向导电性。

2、 （ ）5. 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 （ ）6. 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。 （ ）7. 二极管加正向电压时一定导通。 （ ）8. 二极管加反向电压时一定截止。 （ ）9. 有两个电极的元件都叫二极管。 （ ）10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。 （ ）11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。 （ ）12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。（ ）13. 发光二极管可以接收可见光线。（ ）14. 若增大变容二极管两端的的反向电压，其接电容减小。（ ）二、 选择题1. 当加在硅二极管

3、两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（ ）。A：立即导通B：到0.3V才开始导通C：超过死区电压时才开始导通D：不导通2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。A：基本正常B：将被击穿C：将被烧坏D：电流为03. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（ ）。A：很小的电阻B：很大的电阻C：短路D：电阻4. 某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）.A：约等于150VB：略大于150VC：等于75VD：等于300V5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）。A：增大B：减小C：不变D：先变大，

4、后变小6. 测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆档拨到（ ）A：RX100B：RX1KC：RX1D：RX10K7. 用万用表RX100档来测试二极管，如果二极管（ ），说明管子是好的。A：正反向电阻均为0 B：正反向电阻均为无穷大C：正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D：正反向电阻均为几百欧8. 用万用表的电阻档判断小功率二极管的管脚时，应选用（ ）。A：RX1B：RX100C：RX1kD：RX109. 测量二极管正向电阻时，若把两手把管脚捏紧，电阻值将会（ ）A：变大B：变小C：不变D：不能确定10. 变容二极管工作时，应加（ ）A：反向电压B：正向电压C：正向电压或反向电压11.

5、发光二极管工作时，应加（ ）A：正向电压B：反向电压C：正向电压或反向电压12. 变容二极管常用在（ ）电路中。A：高频B：低频C：直流D：中频13. 交通信号灯采用的是（ ）管。A：发光二极管B：光电二极管C：变容二极管D：整流二极管一、 判断题1. 三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。 （ ）2. 三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。 （ ）3. 三极管的发射区和集电区 是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所以集电极和发射极可以调换使用。 （ ）4. 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 （ ）5. 发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。 （

6、）6. 测得正常放大电路中，晶体管三个管脚的电位分别是-9V、-6V和-6.3V，则这个晶体三极管是PNP锗管 （ ）7. 某晶体三极管的IB=10uA时，IC=0.44mA；当IB=20uA时，IC=0.894mA ，则它的电流放大系数为45。. （ ）二、 选择题1. 三极管放大的实质是（ ）。A：将小能量换成大能量B：将小电压放大成大电压C：将小电流放大成大电流D：用较小的电流控制较大的电流2. 在一块正常的放大板上，测得三极管1、2、3脚电位分别为-10V、-10.3V、-14V，下列符合该三极管的叙述是（ ）。A：管型是PNPB：材料是硅C：1脚是发射极D：2脚是基极3. 用直流电压

7、表测量NPN型三极管仲各极电位是UB=4.7V，UC=4.3V，UE=4V，则该管的工作状态是（ ）。A：截止B：饱和C：放大D：击穿4. 用万用表测得电子线路中的晶体三极管UE=-3V，UCE=6V，UBC=-5.4V，则该三极管是（ ）型，处于（ ）状态。A：PNP 放大B：NPN 放大C：PNP 截止D：NPN 截止5. 在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（ ）。A：NPN管的集电极B：PNP管的集电极C：NPN管的发射极D：PNP管的基极6. 三极管各极电位如图21所示，处于饱和状态的三极管是（ ），A：B:C:7. 满足IC=IB的关系时，三极管工作在（ ）。A：饱和B：放大C

8、：截止D：击穿8. 晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（ ）。A：随基极电流的增加而增加B：随基极电流的增加而减小C：与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc9. 三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于（ ）A：ICM B：ICBOC：ICEOD：010. 三极管是一种（ ）的半导体器件。A：电压控制B：电流控制C：既是电压又是电流控制D：功率控制11. 三极管的（ ）作用是三极管最基本和最重要的特性。A：电流放大B：电压放大C：功率放大D：电压放大和电流放大12. NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（ ）。A：UCUEUBB：UCUBUEC：UCUBUED：UCUEU

9、B13. 三极管的伏安特性是指它的（ ）。A：输入特性B：输出特性C：输入特性和输出特性D：正向特性14. 三极管的输出特性曲线是簇曲线，每一条曲线都与（ ）对应。A：IC B：UCEC：IBD：IE15. 如图22所示电路，电源电压为9V，三极管CE两极间电压为4V，e极电位1V，说明该三极管处于（ ）状态。A：放大B：截止C：饱和D：短路图2216. 在三极管的输出特性曲线中，当IB减少时。它对应的输出特性曲线（ ）。A：向下平移B：向上平移C：向左平移D：向右平移17. 有三只晶体三极管，除、ICEO不同外，其他参数一样，用作放大器时，应选用（ ）。A：=50 ICEO=0.5mAB：=

10、140 ICEO=2.5mAC：=10 ICEO=0.5mA18. 某晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=30V，如果将它接到Ic=15mA，UCE=20V的电路中，则该管（ ）A：被击穿B：工作正常C：功耗太大过热甚至烧坏D：截止19. 用万用表RX1K档测量一只正常的三极管，用红表笔接触一只管脚，黑表笔分别接触另外两只管脚时，测得的电阻都很大，则该三极管是（ ）。A：PNP型B：NPN型C：无法确定20. 用万用表的电阻档测得三极管任意两管脚间的电阻均很小，说明该管（ ）。A：两个PN结均击穿B：两个PN结均开路C：发射结击穿，集电结正常D：发射结正常，集电

11、结击穿一、 判断题1. 放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。 （ ）2. 放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。（ ）3. 在共射极基本放大电路中，RB的作用一是提供合适的直流电压，二是通过它将集电极电流的变化转化为电压的变化，以实现电压放大。（ ）4. 在共射极放大电路中，输出电压和输入电压同相。（ ）5. 放大器具有能量放大作用。（ ）6. 变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器，（ ）7. 信号源和负载不是放大器的组成部分，但它们对放大器有影响。（ ）8. 放大器在工作时，电路同时存在有直流分量和交流分量。（ ）9. 放大

12、电路的电压放大倍数随负载RL而变化，RL越大，电压放大倍数越大。（ ）10. 放大电路的输出端不接负载，则放大器的交流负载线和直流负载线重合。（ ）11. 放大器的交流负载线比直流负载线陡。（ ）12. 放大器静态工作点过高时，在Ucc和Rc不变情况下，可增加基极电阻RB。（ ）二、 选择题1. 三极管构成放大器时，根据公共端的不同，有（ ）种连接方式。A：1 B：2C：3D：42. 放大器的静态是指（ ）。A：输入信号为0B：输出信号为0C：输入、输出信号均为0D：输入输出均不为03. 表征放大器静态工作点的参数主要指（ ）。A：IBQB：IEQC:UCEQD:ICQ4. 放大器的静态是指输入信号（ ）三极管的工作点。A：为零时B：为正时C：为负时D：很小时5. 低频放大电路放大的对象是电压、电流的（ ）。A：稳定值B：变化量C：平均值D：直流量6. 放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（ ）。A：直流分量大B：交流分量大C：直流分量和交流分量相等D：以上均可7. 在共射极低频电压放大电路中，输出电压应视为（ ）。A：u o=icRcB：u