电力电子填空.docx

1、电力电子填空考试试卷（1)1、电子技术包括_信息电子技术_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_开关_状态。当器件的工作频率较高时，_开关_损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_载波比_，当它为常数时的调制方式称为_同步_调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_分段同步_调制。 4、面积等效原理指的是,_冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。5、在GTR、GTO、I

2、GBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET_，单管输出功率最大的是_GTO_,应用最为广泛的是_IGBT_。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为2U27、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源 逆变，如果接到负载,则称为 无源 逆变。8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路（用V1，VD1，V2，VD2表示）。（1)0t1时间段内,电流的通路为_；(2） t1t2时间段内，电流的通路为_;（3)t2t3时间段内，电流的通路为_;（4）t3t4时间

3、段内，电流的通路为_；(5） t4t5时间段内，电流的通路为VD1考试试卷（2）1、_GTR_存在二次击穿现象,_IGBT_存在擎住现象。 2、功率因数由基波电流转移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。 3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压措施. 4、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL_2-4IH。 5、电力变换通常可为：交流变直流、直流变交流、直流变直流、和交流变交流6、在下图中，_和_构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；_和_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于_象限。考试卷（3

4、）电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率和触发脉冲前沿要陡幅值要高触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法串专用均流电抗器4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波，输出电流波形为 方波。5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行,称为180_导电型6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；7、常用的过电流保护措施有快速熔断器；串进线电抗器；接入直流快速

5、开关;控制快速移相使输出电压下降。考试试卷( 4 )卷一、填空题:（本题共5小题，每空1分，共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于1.57倍IT（AV)，如果IT（AV）=100安培,则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出1。5-2倍的裕量.2、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳 极的三只晶闸管串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60 换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通120 度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有两 只晶闸管同时导通，一个是共 阴 极的，另一个是共 阳 极的元件，且要求不是不在同一

6、桥臂上 的两个元件.3、为了减小变流电路的开关损耗，通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路两大类。4、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角；增加整流相数； 采用多组变流装置串联供电； 设置补偿电容；几种。5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0150，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0120，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0-180 。考试试卷( 5 )卷一、填空题(本题共17小题，每空1分,共20分)1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 螺栓型与平板型。 2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算

7、后至少还要乘以 1。52。 3、晶闸管的导通条件是阳极和门极同时承受正向电压.4、晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM 小于 UBO.5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有 单向可控导电性的特性.6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 控制角 。7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是双窄脉冲 触发方法.8、三相半波 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角 大于30 时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。10、三相桥式整流电路中，当控制角30时，

8、则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为 90 。11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比,则使输出电压平均值 降低 。12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 电网 的逆变电路。13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成 反极性 相连，且满足|Ud|Ed|。14、为了防止因逆变角过小而造成逆变失败,一般min应取 3035 ，以保证逆变时能正常换相。15、载波比（又称频率比)K是PWM主要参数.设正弦调制波的频率为fr，三角波的频率为fc，则载波比表达式为K= fc/fr .16、抑制过电压的方法之一是用

9、 阻容电路 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。17、斩波器的时间比控制方式分为脉冲宽度调制、频率调制；混合调制三种方式. 考试试卷( 6 )卷一、填空题(本题共17小题，每空1分，共20分)1、晶闸管的内部结构具有 三 端、四 层、三 个PN结。2、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是 阳 极。3、晶闸管的关断条件是 阳极电流下降到维持电流以下4、额定电流为100A的晶闸管，流过单向正弦全波时的最大可能平均电流是1141，4A .5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作在 阻断状态。6、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通

10、，对应的电角度称为 换相重叠角。 7、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差 180 。8、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角小于等于30 时，电流连续。9、三相桥式可控整流电路适宜在 高 电压而电流不太大的场合使用。10、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路并联组成。11、三相半波可控整流电路，供电变压器每相漏感折合到次级的B为100H，直流负载电流Id150A，则换相压降=14.5V 。12、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接输出到 负载 的过程称为无源逆变.13、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中,当a/

11、2时，电流主要是依靠电动势Ed来维持的,所以总的能量是电动机回馈给 电网 。14、有环流可逆电路常见的主电路联结方式有反并联；交叉连接; 、 15、在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流辅助电路 ，强迫导通的晶闸管可靠关断。16、晶闸管元件并联时,要保证每一路元件所分担的电流 平均 。17、根据对触发电路的要求知道,触发电路应包括同步信号发生器、 移相控制 、脉冲整形与功放电路。考试试卷( 7 )卷一、填空题（本题共14小题，每空1分,共20分）1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和 门 极。2、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的通态平均 电流来标定。3、为了保证晶闸管可靠

12、与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后， 加一段时间的 反电压。4、同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL的数值大小上有IL 大于 IH。5、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示额定电流、，5表示额定电压等级 。6、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为控制角 .7、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用单宽脉冲 或 双窄脉冲 。8、三相半波整流电路有 、共阴极组、共阳极组 两种接法。9、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120为间隔，依次在 正 半周触发共阴极组的各晶闸管。10、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于

13、 ，设U2为相电压有效值。11、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角a/2，同时|Ed Ud.12、为了防止逆变失败，对于工作在逆变状态的电路，对其触发电路、晶闸管、 的可靠性， 的质量以及 电源 的保护功能，都比整流电路要求高，同时对逆变角的限制为303513、电压型逆变器其中间直流环节以 电容 贮能。14、晶闸管串联时,给每只管子并联相同的RC电路是 均压 措施.考试试卷8一、填空题(本题共14小题，每空1分，共20分）1、晶闸管的三个电极分别是阳极、阴极、控制极（门极） 2、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大23 倍

14、，使其有一定的电压裕量.3、当晶闸管加上正向 阳极电压 后，门极加上适当的 正向 电压,使晶闸管导通的过程，称为触发。4、晶闸管和负载串联,接在正弦交流电源上，晶闸管的额定电流为100A,如果导电角为90,允许通过的最大电流平均值是 70.7 。5、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 导通角 。6、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UTM等于 （设U2为相电压有效值）。7、在三相可控整流电路中，0的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点,它距对应线电压波形的原点为 60 8、三相桥式全控整流电路,电阻性负载，当控制角 小于等于60 时，电流连续。9、对于三相半波可控整流

15、电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值 降低10、逆变器可分为无源逆变器和 有源 逆变器两大类。11、在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势 顺向 相连。12、变流器换流的方式有电容换流、电感换流 两种。13、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压 措施。14、锯齿波同步的晶体管触发电路由 同步环节、移相控制环节、脉冲形成与放大环节 及其它环节成。 考试卷1二、选择题（本题共10小题,前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交

16、替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断，V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是( D ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1t2时间段内,有(C ）晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频

17、电路如下图，在t1t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( C ）A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D ）A、30150 B、0120 C、15125 D、0150 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A )A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种（C ）变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间,桓

18、流驱动电路经常采用（B ）A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下 10、IGBT是一个复合型的器件,它是（ B ）A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO考试卷21、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ D ）。A、三相半波可控整流电路 B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路 D、单相全波可控整流电路外接续流二极管

19、 2、晶闸管稳定导通的条件( A ）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 3、三相半波可控整流电路的自然换相点是（ B ）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60 4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( C ）A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度 5、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压

20、为( D ）A、U2 B、U2 C、2U2 D。U2 6、晶闸管电流的波形系数定义为（ B ）A、 B、 C、Kf =IdTIT D、Kf =IdT-IT 7、降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms,则开通时Ton=（ C ）A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 8、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是( C ）A、在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平B、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平

21、9、对于单相交交变频电路如下图，在t2t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( D ）A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断,P组逆变10、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如图所示，在t2t3时间段内，有( B ）晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个考试卷三1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（ A ）度.A、180 B、60 C、360 D、1202、为C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度，

22、3、晶闸管触发电路中，若改变（ B ）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、以上都不能4、可实现有源逆变的电路为（ A ）。 A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路5、在一般可逆电路中,最小逆变角min选在下面那一种范围合理（ A ）。A、30-35 B、1015 C、010 D、0。6、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相范围是（ D ）A、90 B、120 C、150 D、1807、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（ C

23、）A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（ C ）A、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率9、为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用(B ）A、抑制电路 B、抗饱和电路 C、抑制电路 D、吸收电路10、一般认为交交变频输出的上限频率( D ）A、与电网有相同的频率 B、高于电网频率 C、可达电网频率的80 D、约为电网频率的1/21/3考试卷四1、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角=0时,输出的负载电压平均值为（ D ）。A、0.45U2 B、0.

24、9U2 C、1.17U2 D、2.34U22、变流装置的功率因数总是( C ）。A、大于1 B、等于1 C、小于1大于0 D、为负3、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角的有效移相范围是（ A ).A、0-90 B、30-120 C、60-150 D、90-1504、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角的大小与哪几个参数有关（ A ）。A、Id、 XL、U2 B、Id； C、U2 D、U2、XL；5、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间，桓流驱动电路经常采用( B ）。A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路6、单相半控桥电感性负载电路中,在负

25、载两端并联一个续流二极管的作用是（ D ）.A、增加晶闸管的导电能力 B、抑制温漂C、增加输出电压的稳定性 D、防止失控现象的产生7、功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和_D_A、基极最大允许直流功率线 B、基极最大允许电压线C、临界饱和线 D、二次击穿功率线8、直流斩波电路是一种_C_变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC9、三相半波带电阻性负载时,为 C 度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度。10、在晶闸管触发

26、电路中，改变 的大小,则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的.BA、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、整流变压器变比考试卷五1、晶闸管的伏安特性是指( )A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为( )A、 B、 C、Kf =IdTIT D、Kf =IdT-IT3、接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是（ )A、第二象限 B、第三象限 C、第四象限 D、第一象限4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为U2,当控制角30时，整流输出电压平均值等于（

27、 ) A、1.17U2cos B、1.17U2sin C、1。41U2cos D、1.41U2sin 5、在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（）A、60 B、180 C、120 D、906、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角与哪几个参数有关( ）A、U2、负载电流Id以及变压器漏抗XC B、和U2C、以及负载电流I D、U2以及变压器漏抗XC7、单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,在逆变角期间，处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是（ ）A、反向电压 B、正向电压 C、零电压 D、交变电压8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值IT为( ）A、 B、 C、

28、D、Id9、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是（ ）A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度10、晶闸管固定脉宽斩波电路，一般采用的换流方式是（ ）A、电网电压换流 B、负载电压换流C、器件换流 D、LC谐振换流 考试卷六1、具有自关断能力的电力半导体器件称为（ C ）A、全控型器件 B、半控型器件 C、不控型器件 D、触发型器件2、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( B ）A、转折电压 B、反向击穿电压 C、阈值电压 D、额定电压3、单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时

29、，晶闸管承受正向电压的最大值为( D ）A、 B、 C、 D、4、单相桥式半控整流电路中,电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流IT（ A )A、I B、0。5I C、（/）I D、（）*I5、三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（ D ）。A、0180 B、0150 C、0120 D、0906、单相全控桥式有源逆变电路，控制角为a,则输出电压的平均值为（ A ）A、Ud=1。17U2cosa B、Ud=0。9U2cosa C、Ud=2.34U2cosaD、Ud=0.45U2cosa 7、三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( A )A、 B、 C、 D、8、为了防止逆变失败,最小逆变角限制为（ B ).A、100150 B、200250 C、300350 D、4004509、电流型三相桥式逆变电路，120导通型，则在任一时刻开