Protel99se电路仿真.docx

1、Protel99se电路仿真 Protel99se电路仿真一般说来,在电路设计得开始与结束时,设计者总要对所设计得电路得性能进行推算、判断与验证,Protel99 SE可以对模拟与数字信号混合电路仿真。其仿真引擎使用得就是伯克利分校得SPICE /XSPICE。它可以让我们精确地仿真由各种器件,比如TTL、CMOS、BJT等构成得电路。Protel中支持得电路分析类型有:静态工作点分析,交流小信号分析,瞬态分析,付立叶分析,噪声分析,直流分析,参数扫描分析,温度扫描分析与蒙特卡罗分析。可用于仿真得电路,必须满足以下条件:1、必须用仿真库中得器件(或用户自己建得器件仿真模型与器件符号)搭成电路,

2、仿真库在Design Explorer 99 SELibrarySchSim、ddb文件中;2、 必须有激励源;3、对所关心得节点建立网络标号;4、设定初始条件。SIM 99仿真库中得主要元件电路仿真操作步骤在 SIM 99得仿真元件库中,包含了如下一些主要得仿真元器件。一、电阻 在库 Simulation Symbols、lib中,包含了如下得电阻器:RES 固定电阻;RESSEMI 半导体电阻; RPOT 电位器; RVAR 变电阻。 上述符号代表了一般得电阻类型,如图l所示。图l 仿真库中得电阻类型 这些元器件有一些特殊得仿真属性域,在放置过程中按 键或放置完成后双击该器件得到属性对话框

3、,可如下设置: Designator 电阻器名称(如 R1); PartType 以欧姆为单位得电阻值(如 100k); L可选项,电阻得长度(仅对半导体电阻有效); W可选项,电阻得宽度(仅对半导体电阻有效); Temp 可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位,缺省时为27(仅对半导体电阻有效); Set 仅对电位器与可变电阻有效(在“Part Fields l8”选项卡中设置取值0l)。二、电容 在库 Simulation Symbols、Lib中,包含了如下得电容:CAP 定值无极性电容;CAPZ 定值有极性电容;CAPSEMI 半导体电容。这些符号表示了一般得电容类型,如图2所示。图2仿

4、真库中得电容类型 对电容得属性对话框可如下设置: Designator 电容名称(如C1); PartType 以法拉为单位得电容值(如 22uF); L可选项,以公尺为单位得电容得长度(仅对半导体电容有效); W可选项,以公尺为单位得电容得宽度(仅对半导体电容有效); IC可选项,初始条件,即电容得初始电压值。在“Part Fields l8”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中得使用初始条件被选中后,才有效。三、电感 在库 Simulation Symbols、Lib中,包含了INDUCTOR电感,对电感得属性对话框可如下设置:Designator电感名称(如 L1); Part

5、Type以亨为单位得电感值(如 27mH); IC可选项,初始条件,即电感得初始电压值。在“Part Fields 18”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具博里叶变换中得使用初始条件被选中后,才有效。四、二极管 在库Diode.lib中,包含了数目巨大得以工业标准部件数命名得二极管。如图3所示,该图简单列出了库中包含得几种二极管。图3仿真库中得二极管类型对二极管得属性对话框可如下设置: Designator 二极管名称(如D1); Area 可选项,该属性定义了所定义得模型得并行器件数; IC 可选项,初始条件,即通过2极管得初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中得使用初始条件被选中后,

6、才有效; Temp 可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位,缺省时为27。五、三极管在库Bjt、lib中,包含了数目巨大得以工业标准部件数命名得三极管。如图 4所示,该图简单列出了库中包含得三极管型号。图4仿真库中得三极管类型对三极管得属性对话框可如下设置:Designator 三极管名称(如Q1);Area可选项,该属性定义了所定义得模型得并行器件数;IC 可选项,初始条件,即通过三极管得初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中得使用初始条件被选中后,才有效;Temp可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位,缺省时为27。六、JFET:结型场效应晶体管结型场效应晶体管包含在Jfet、lib库文

7、件中。如图5所示,该图简单列出了库中包含得结型场效应晶体管。图7-5仿真库中得结型场效应晶体管类型 对结型场效应晶体管得属性对话框可如下设置: Designator 结型场效应晶体管名称(Q1) Area 可选项,该属性定义了所定义得模型得并行器件数; IC 可选项,初始条件,即通过三极管得初始电压值。该项仅在仿真分析工具傅里叶变换中得使用初始条件被选中后,才有效; Temp可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位。缺省时为27。七、MOS场效应晶体管 MOS场效应晶体管就是现代集成电路中最常用得器件。SIM99提供了四种MOSFET模型,它们得伏安特性公式各不相同,但它们基于得物理模型就是相同得

8、。在库MOSfet、lib中,包含了数目巨大得以工业标准部件数命名得MOS场效应晶体管。如图6所示,该图简单列出了库中包含得MOS场效应晶体管。图6仿真库中得 MOS场效应晶体管类型对 MOS场效应晶体管得属性对话图框可如下设置:Designator MOS场效应晶体管名称(如Q1);L沟道长度;w沟道宽度;AD漏区面积;AS源区面积;PD漏区周长;PS源区周长。IC可选项,初始条件,即通过MOS场效应晶体管得初始值。在“Part Fields18”选项卡中设置。该项仅在仿真分析工具博里叶变换中得使用初始条件被选中后,才有效;Temp可选项,元件工作温度,以摄氏度为单位。缺省时为27。八、电压

9、电流控制开关库SWitch.lib包含了如下得可用于仿真得开关:CSW默认用电流控制开关SW默认电压控制开关。如图7所示,该图简单列出了库中包含得电压电流控制开关。图7仿真库中得电压电流控制开关类型对电压电流控制开关得属性对话框可如下设置: Designator电压电流控制开关名称(如S1); ONOFF可选项,初始条件选择,该选项可为ON或OFF。此开关模型描述了一个几乎理想化得开关。实际中,开关不可能十分理想,就是因为电阻值不能从0到无穷大变化,而就是总有一个有限得正值。通过适当选择开态与关态电阻,可使得这两个电阻与其她电路元件相比较时能瞧作零与无穷大。SPICE仿真器内支持如表l所示得开

10、关参数。表1开关模型得参数九、熔丝Fuse、lib包含了一般得保险丝器件。对熔丝得属性对话框可如下设置:Designaor熔丝名称(如F1);Curent熔断电流(单位A,如1A);Resistance可选项,以欧姆为单位得串联熔丝阻抗。、继电器(RELAY)库Relay、lib包括了大量得继电器,如图8所示。图8仿真库中得继电器类型对继电器得属性对话框可如下设置:Designatr继电器名称;Pullin触点引入电压;DroPoff触点偏离电压;Contar触点阻抗;Resignator线圈阻抗。Inductor线圈电感。十一、互感(电感耦合器)库Transformer、lib包括了大量得电

11、感耦合器。对电感耦合器得属性对话框可如下设置: Desigator电感耦合器名称(如 T1); Ratio二次侧一次侧变压比,这将改变模型得默认值; RP可选项,一次测阻抗; RS可选项,二次侧阻抗。十二、 TTL与CMOS数字电路器件 在74XX、lib包含了74XX系列得TTL逻辑元件;库Cmos、lib包含了4000系列得 CMOS逻辑元件。 设计者可把上述元件库包含得数字电路器件用到所设计得仿真图中。 对数字电路器件得属性对话框可如下设置: Designator数字电路器件名称(如U1); ProPagation可选项,元件得延时,可以设置为最大或最小来使用,默认值为典型值; Driv

12、e可选项,输出驱动特性,可以设置为最大或最小来使用; Current可选项,标识器件功率得输出,可以设置为最大或最小来使用默认值为典型植; PWR Value可选项,电源支持电压。将改变默认数字元件支持电压值,一旦定义该值,则 GND Value值也需定义; GND Value可选项,地支持电压。将改变默认数字元件支持电压值,一旦定义该值,则 PWR Value值也需定义; VIL Value 低电平输入电压; VIH Value高电平输入电压; VOL Value低电平输出电压; VOH Value低电平输出电压。举例如下:如CMOS数字器件支持5V申压,一部情况下.它得任一输出管脚得高电平

13、为 5V,但就是,一旦VOH被设置为 5V,那么输出管脚得高电平将为8V。十三、模块电路SIM99中复杂元件都被用SPICE得子电路完全模型化,该元件没有设计者需设置得选项。对于这些元器件,设计者只需简单放置并设置该标号。所有得仿真用参数都已在SPICE子电路设定好。表2就是SIM99中得仿真用数据库中包含得元件库以及所包含有得复杂元件得不同类型得符号。这些元件属性对话框中得 Part Type域中包括了该器件得SPICE模型,如果设计者不愿修改所引用得 SPICE模型,请不要修改该 Part Type域,所有标识可选项均有默认值,一般情况下,该默认值适用于太多仿真,设计者一般毋须修改这些值。

14、表2集成块所在得元件库及说明在Protel99中,每一仿真元件得特性由元件电气图形符号库与元件模型参数数据库描述。仿真测试原理图内元件电气图形符号存放在Design Explorer 99LibrarySCHSim、ddb仿真分析用元件电气图形符号库文件包内,共收录了5 800多个元器件,分类存放在如下元件电气图形符号库(、lib)文件中:74XX、lib 74系列TTL数字集成电路7SEGDISP、lib 7段数码显示器BJT、lib 工业标准双极型晶体管BUFFER、lib 缓冲器CAMP、lib 工业标准电流反馈高速运算放大器CMOS、lib CMOS数字集成电路元器件parator、l

15、ib 比较器Crystal、lib 晶体振荡器Diode、lib 工业标准二极管IGBT、lib 工业标准绝缘栅双极型晶体管JFET、lib 工业标准结型场效应管MATH、lib 二端口数学转换函数MESFET、lib MES场效应管Misc、lib 杂合元件MOSFET、lib 工业标准MOS场效应管OpAmp、lib 工业标准通用运算放大器OPTO、lib 光电耦合器件(实际上该库文件仅含有4N25与通用得光电耦合器件OPTOISO两个元件)Regulator、lib 电压变换器,如三端稳压器等Relay、lib 继电器类SCR、lib 工业标准可控硅Simulation Symbols、

16、lib 仿真测试用符号元件库Switch、lib 开关元件Timer、lib 555及556定时器Transformer、lib 变压器TransLine、lib 传输线TRIAC、lib 工业标准双向可控硅TUBE、lib 电子管UJT、lib 工业标准单结管在放置元件过程中,按下Tab键调出元件属性窗口,设置元件有关参数时,必须注意:一般仅需要指定必须参数,如序号、型号、大小(如果打算从电原理图获取自动布局所需得网络表文件时,则需要给出元器件得封装形式);而对于可选参数,一般用“*”代替(即采用缺省值),除非绝对必要,否则不宜改变。 SIM 99中得激励源在电路仿真过程中需要各种各样得激励

17、源,这些激励源也取自sim、ddb数据库文件包内得Simulation Symbols、lib元件库文件中,包括直流电压激励源VSRC (voltage source)与直流电流激励源 ISRC (current source)、正弦波电压激励源VSIN (voltage source) 与正弦波电流激励源ISIN (current source)、周期性脉冲信号激励源VPULSE (voltage source) 与 IPULSE (current source)、分段线性激励源VPWL (voltage source) 与 IPWL (current source)等。常用得直流电压激励源

18、VSRC、正弦电压激励源VSIN、脉冲电压激励源VPLUS,可通过单击“Simulate”菜单下得“Source”命令选择相应激励源后,将其拖到原理图编辑区内。1) 直流电压激励源VSRC与直流电流激励源 ISRC 这两种激励源作为仿真电路工作电源,在属性窗口内,只需指定序号(Designator,如VDD、VSS等)及大小(Part Type,如5、12等),如图9所示。图9 直流电源属性设置窗2) 正弦波信号激励源(Sinusoid Waveform) 正弦波激励源在电路仿真分析中常作为瞬态分析、交流小分析得信号源,执行菜单命令“SimulateSource”,选择Sine Wave类型得

19、激励源,就可以放置正弦波激励源,其参数设置对话框如图10所示。图10 正弦信号属性设置窗3) 脉冲激励源(Pulse) 脉冲激励源在瞬态分析中用得比较多,放置脉冲激励源得方法就是:执行菜单命令“SimulateSource”,在弹出得子菜单内选择“Pulse”类型得激励源即可。双击脉冲激励源符号,将弹出如图11所示得属性设置对话框。图11 脉冲信号激励源属性设置窗4) 分段线性激励源VPWL与IPWL(Piece Wise Linear) 分段线性激励源得波形由几条直线段组成,就是非周期信号激励源。为了描述这种激励源得波形特征,需给出线段各转折点时间电压(或电流)坐标(对于VPWL信号源来说,

20、转折点坐标由“时间/电压”构成;对于IPWL信号源来说,转折点坐标由“时间/电流”构成)、图7-12 分段线性激励源属性 5) 调频波激励源VSFFM(电压调频波)与ISFFM(电流调频波) 调频波激励源也就是高频电路仿真分析中常用到得激励源,调频波激励源位于Sim、ddb数据库文件包内得Simulation Symbols、lib元件库文件中,放置调频波信号源得操作方法与放置电阻、电容等得方法相同、此外,Simulation Symbols、lib元件库内尚有其她激励源,如受控激励源、指数函数、频率控制得电压源等,这里就不一一列举了,根据需要可从该元件库文件中获取。如果实在无法确定某一激励源

21、或元件参数如何设置时,除了从“帮助”菜单中获得有关信息外,还可以从Protel99得仿真实例中受到启发。在Design Explorer 99ExamplesCircuit Simulation 文件夹内含有数十个典型仿真实例,打开这些实例,即可了解元件、仿真激励源参数设置方法。简单得电路仿真实例一、仿真流程在Protel99中进行电路仿真分析得操作过程可概括如下:1) 编辑原理图 利用原理图编辑器(Schematic Edit)编辑仿真测试原理图,在编辑原理图过程中,除了导线、电源符号、接地符号外,原理图中所有元件得电气图形符号均要取自电路仿真测试专用电气图形符号数据库文件包Sim、ddb内

22、相应元件电气图形符号库文件(、lib),否则仿真时因找不到元件参数(如三极管得放大倍数、C-E结反向漏电流)而给出错误提示并终止仿真过程。2) 放置仿真激励源(包括直流电压源) 在仿真测试电路中,必须包含至少一个仿真激励源。仿真激励源被视为一个特殊得元件,放置、属性设置、位置编辑等操作方法与一般元件(如电阻、电容等)完全相同。仿真激励源电气图形符号位于仿真测试专用元件电气图形文件包Sim、ddb内得Simulation Symbols、lib元件图形库文件中。 3) 放置节点网络标号 在需要观察电压波形得节点上,放置节点网络标号,以便观察到指定节点得电压波形,原因就是Protel99仿真程序只

23、能自动检测支路电流、元件阻抗,没有节点电压。4) 选择仿真方式并设置仿真参数 在原理图编辑窗口内,指向并单击“Simulate”菜单下得“Setup”命令(或直接单击主工具栏内得“仿真设置”工具)进入“Analyses Setup”仿真设置窗口,选择仿真方式及仿真参数。 5) 执行仿真操作 在原理图编辑窗口内,指向并单击“Simulate”菜单下得“Run”命令(或直接单击主工具栏内得“执行仿真”工具)启动仿真过程,等待一段时间后即可在屏幕上瞧到仿真结果。 6) 观察仿真结果 仿真操作结束后,自动启动波形编辑器并显示仿真数据文件(、sdf)得内容(或在“设计文件管理器”窗口内,单击对应得、sd

24、f文件)。在波形编辑器窗口内,观察仿真结果,若不满意,可修改仿真参数或元件参数后,再执行仿真操作。7) 保存或打印仿真波形仿真结果除了保存在、sdf文件中外,还可以在打印机上打印出来。二、仿真(Simulation)菜单项1.Run运行仿真命令,同工具条上得 按钮。2.Sources此子菜单罗列出了较常用得激励源。我们在搭电路时,可以从这里找到常用得直流信号源、正弦信号源、脉冲信号源。除了这些常用得信号源外,Protel99 SE还支持指数源、分段线性源、单频率调频源、多项式源。3、Create SPICE Netlist建立SPICE网表,Protel99 SE在仿真之前要生成网表文件,然后

25、传递给 SPICE去仿真。4、Setup仿真设置。仿真设置就是否合理,直接影响到仿真结果。下面我们将对仿真参数设置加以说明。 分析(Analysis)主菜单在General选项中,设计者可以选择分析类别。静态工作点分析静态工作点就是在分析放大电路中提出来得,它就是放大电路正常工作得重要条件。当把放大器得输入信号短路,则放大器处于无信号输入状态,称为静态。如果静态工作点选择不合适,则输出波形会失真,因此设置合适得静态工作点就是放大电路正常工作得前提。直流扫描分析(DC Sweep)直流扫描分析就就是直流转移特性,当某输入在一定范围内步进变化时,计算电路直流输出变量得相应变化曲线。例如某个电压源从

26、1V到20V变化,步长可由用户设定,在每一个相应得电压将计算出一套电路参数,并显示。交流小信号分析(AC Small Signal)交流分析就是在一定得频率范围内计算电路与响应。如果电路中包含非线性器件或元件,在计算频率响应之前就应该得到此元器件得交流小信号参数。在进行交流分析之前,必须保证电路中至少有一个交流电源,也即在激励源中得AC 属性域中设置一个大于零得值(在本电路中,设为1V)。温度扫描分析(Temperature Sweep)温度扫描就是指在一定得温度范围内进行电路参数计算,用以确定电路得温度漂移等性能指标。瞬态分析(Transient Analysis)与付立叶分析(Fourie

27、r)瞬态响应分析就是对时域中得输入信号确定时域中得输出。计算机瞬态偏置点得方法与直流偏置点不同。直流偏置点被瞧作固定偏置点。对于固定偏置点,电路节点得初始值对计算偏置点与非线性元件得小信号参数时节点初始值也考虑在内,因此有初始值得电容与电感也被瞧作就是电路得一部分而保留下来。噪声分析(Noise) 电阻与半导体器件等都能产生噪声,噪声电平取决于频率。电阻与半导体器件产生不同类型得噪声(注意:在噪声分析中,电容、电感与受控源视为无噪声元器件)。对交流分析得每一个频率,电路中每一个噪声源(电阻或晶体管)得噪声电平都被计算出来。它们以输出节点得电平通过将各均方根值相加得到。噪声分析在电路设计中较为常

28、见。传递函数分析(Transfer Function)传递函数分析用于计算电路得直流输入、输出电阻与直流增益。参数扫描分析(Parame Sweep)参数扫描分析它可以与直流、交流或瞬态分析等分析类型配合使用,对电路所执行得分析进行参数扫描,对于研究电路参数变化对电路特性得影响提供了很大得方便。在分析功能上与蒙特卡罗分析与温度分析类似,它就是按扫描变量对电路得所有分析参数扫描得,分析结果产生一个数据列表或一组曲线图。蒙特卡罗分析(Monte Carlo)蒙特卡罗分析就是一种统计模拟方法,它就是在给定电路元器件参数容差为统计分布规律得情况下,用一组组随机数求得元器件参数得随机抽样序列,对这些随机

29、抽样得电路进行直流、交流小信号与瞬态分析,并通过多次分析结果估算出电路性能得统计分布规律。三、电路仿真举例下面将通过对一个简单模拟电路得仿真,具体说明Protel99 se中仿真器得使用。在此实例中,采用如图12所示得模拟电路。计算其放大倍数,并进行瞬态分析。图12分压式偏置放大电路仿真步骤:1.生成原理图文件。这就是进行仿真得基础与前提。2.我们使用交流分析计算其放大倍数,图中V2就是正弦信号源,双击该元件进入属性中Part Fields页面,将电压数值(AC Magnitude)字段内容设置为5 mV。图13 V2正弦信号源设置3.General页面设置:执行菜单Simulate/Setup,屏幕弹出设置窗口得General页面。设置该页面。图14 Genernal页面设置4.设置交流分析(AC Small Signal)。图15设置交流分析5.输出结果见交流分析sdf,如图所示。它就是输出端电压out得频率特性,可以使用View/Scaling菜单将X轴得标尺(X-Scale)改为对数(Log)