1、20套电力电子技术选择填空题和答案考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_状态。当器件的工作频率较高时,_开关_损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_,当它为常数时的调制方式称为_同步_调制。在逆变电路的输出频率围划分成若干频段,每个频段载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_调制。 4、面积等效原理指的是,_相等而_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。5、
2、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_,单管输出功率最大的是_,应用最为广泛的是_。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0t1时间段,电流的通路为_;(2) t1t2时间段,电流的通路为_;(3) t2t3时间段,电流的通路为_;(4) t3t4时间段,电流的通路为_;(5)
3、t4t5时间段,电流的通路为_;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角
4、为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1t2时间段,有( )晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图,在t1t2时间段,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( )A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的围是( )A、30150 B、0120 C、15125 D、0150 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( )A、加快功率晶体管的开通 B、
5、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种( )变换电路。A、AC/AC B、DC/ACC、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下 10、IGBT是一个复合型的器件,它是( )A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管
6、 D、MOSFET驱动的GTO考试试卷( 2 )卷一、填空题(本题共6小题,每空1分,共15分)1、_存在二次击穿现象,_存在擎住现象。 2、功率因数由和 这两个因素共同决定的。 3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是 _措施。 4、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL_IH。 5、电力变换通常可分为: 、 和。6、在下图中,_和_构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;_和_构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于_象限。二、选择题(本题共11小题,9,10,11小题每题2分,其余每题1分共14分
7、)1、下列电路中,不可以实现有源逆变的有( )。A、三相半波可控整流电路 B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路D、单相全波可控整流电路外接续流二极管 2、晶闸管稳定导通的条件( )A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 3、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60 4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是
8、( )A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度 5、三相半波可控整流电路中,晶闸管可能承受的反向峰值电压为()A、U2B、U2 C、2U2D.U26、晶闸管电流的波形系数定义为( )A、B、C、Kf =IdTITD、Kf =IdT-IT7、降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=( )A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 8、关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是()A、在一个周期单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平B、在一个周期单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平C、在
9、一个周期单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平D、在一个周期单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平9、对于单相交交变频电路如下图,在t2t3时间段,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变10、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如图所示,在t2t3时间段,有()晶闸管导通。A、1个 B、2个C、3个 D、4个考试试卷( 3 )卷一、填空题:(本题共7小题,每空1分,共20分)1、请在正确的空格标出下面元件的简称:电力晶体管;可关断晶闸管 ;功率场效应晶体管 ;绝缘栅双极型晶体管 ;
10、IGBT是 和 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题,解决的方法是 。4、在电流型逆变器中,输出电压波形为 波,输出电流波形为 波。5、三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行,称为_导电型6、当温度降低时,晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 ;7、常用的过电流保护措施有 、 、 、。二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差( )度。A、180 B、60C、360 D、1202、为 度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临
11、界状态。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度,3、晶闸管触发电路中,若改变( )的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、以上都不能4、可实现有源逆变的电路为( )。 A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路5、在一般可逆电路中,最小逆变角min选在下面那一种围合理( )。A、30-35 B、10-15C、0-10D、0。6、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角的最大移相围是( )A、90 B、120 C、150 D、1807、若增大SPWM逆变器的输出电
12、压基波频率,可采用控制方法是( )A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度8、采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A、减小输出幅值 B、增大输出幅值C、减小输出谐波 D、减小输出功率9、为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用( )A、抑制电路 B、抗饱和电路 C、抑制电路 D、吸收电路10、一般认为交交变频输出的上限频率( )A、与电网有相同的频率 B、高于电网频率C、可达电网频率的80% D、约为电网频率的1/21/3考试试卷( 4 )卷一、填空题:(本题共5小题,每空1分,共20分)1、由波形系数可知,晶闸管在额
13、定情况下的有效值电流为ITn等于 倍IT(AV),如果IT(AV)=100安培,则它允许的有效电流为 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 倍的裕量。2、三相桥式全控整流电路是由一组共 极三只晶闸管和一组共 极的三只晶闸管串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组的元件进行的。每隔 换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通 度。要使电路工作正常,必须任何时刻要有 只晶闸管同时导通,一个是共 极的,另一个是共 极的元件,且要求不是 的两个元件。3、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为 与 两大类。4、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、几种。5、三
14、相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相围 ,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相围,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相围 。三、选择题:(本题共10小题,每题1分,共10分)1、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角=0时,输出的负载电压平均值为( )。A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U22、变流装置的功率因数总是( )。A、大于1B、等于1C、小于1大于0 D、为负3、三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角的有效移相围是( )。A、0-90B、30-120C、60-150 D、90-1504、三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角的大小与哪几个参数有关(
15、)。A、Id、 XL、U2B、Id; C、U2D、U2、XL;5、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路6、单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的作用是( )。A、增加晶闸管的导电能力 B、抑制温漂C、增加输出电压的稳定性 D、防止失控现象的产生7、功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和_A、基极最大允许直流功率线 B、基极最大允许电压线C、临界饱和线 D、二次击穿功率线8、直流斩波电路是一
16、种_变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC9、三相半波带电阻性负载时,为 度时,可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度。10、在晶闸管触发电路中,改变 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、整流变压器变比考试试卷( 5 )卷一、填空题(本题共17小题,每空1分,共20分)1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有与。2、选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以。3、晶闸管的导通条件是。4、晶闸管的断态不重复峰值电压UDS
17、M与转折电压UBO在数值大小上应为UDSMUBO。5、从晶闸管的伏安特性曲线可知,晶闸管具有的特性。6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法,目前采用较多的是触发方法。8、可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。9、在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。10、三相桥式整流电路中,当控制角300时,则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏抗的相比,则使输出电压平均值。12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变
18、电路。13、有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成相连,且满足|Ud|/2时,电流主要是依靠电动势Ed来维持的,所以总的能量是电动机回馈给。14、有环流可逆电路常见的主电路联结方式有、。15、在无源逆变与直接斩波电路中,都必须设置换流,强迫导通的晶闸管可靠关断。16、晶闸管元件并联时,要保证每一路元件所分担的电流。17、根据对触发电路的要求知道,触发电路应包括同步信号发生器、脉冲整形与功放电路。二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分)1、具有自关断能力的电力半导体器件称为( )A、全控型器件 B、半控型器件C、不控型器件 D、触
19、发型器件2、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的( )A、转折电压 B、反向击穿电压C、阈值电压 D、额定电压3、单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时,晶闸管承受正向电压的最大值为( )A、 B、C、 D、4、单相桥式半控整流电路中,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流IT( )A、I B、0.5I C、(/)*I D、()*I5、三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相围为( )。A、001800 B、001500 C、001200 D、009006、单相全控桥式有源逆变电路,控制角为a,则输出电压的平均值为( )A、Ud=1.17U2co
20、sa B、Ud=0.9U2cosa C、Ud=-2.34U2cosaD、Ud=0.45U2cosa 7、三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( )A、 B、C、 D、8、为了防止逆变失败,最小逆变角限制为( )。A、100150 B、200250 C、300350 D、4004509、电流型三相桥式逆变电路,120导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( ) A、各一只B、各二只C、共三只 D、共四只 10、定宽调频是斩波器的一种( )A、时间比控制方式B、瞬时值控制C、移相控制方式 D、模糊控制考试试卷( 7 )卷一、填空题(本题共14小题,每空1分,共20分)1
21、、晶闸管是三端器件,三个引出电极分别为:阳极、阴极和极。2、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的电流来标定。3、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断,通常在管子阳极电压下降为零之后,加一段时间的电压。4、同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL的数值大小上有ILIH。5、某晶闸管的型号为KP200-5,其中200表示,5表示。6、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为。7、为了保证三相全控桥电路能启动工作,触发脉冲必须采用或。8、三相半波整流电路有和两种接法。9、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120为间隔,依次在半周触发共阴极组的各晶闸管。10、电阻性负载三相桥式可控整流电路中,晶闸
22、管所承受的最大正向电压UFm等于,设U2为相电压有效值。11、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中,若使变流器工作于有源逆变状态时,需使控制角a/2,同时|Ed|Ud|。12、为了防止逆变失败,对于工作在逆变状态的电路,对其的可靠性,的质量以与的保护功能,都比整流电路要求高,同时对逆变角的限制为。13、电压型逆变器其中间直流环节以贮能。14、晶闸管串联时,给每只管子并联相同的RC电路是措施。二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分)1、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定2、在型号KP
23、1012G中,数字10表示( )A、额定电压10V B、额定电流10AC、额定电压1000V D、额定电流100A3、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角的最大移相围是( ) A、90 B、120C、150 D、1804、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后605、在晶闸管三相桥式可控整流电路电流断续时的机械特性中,当( )时,所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。A、300 B、600 C、900 D、12006、在大电感负载三相全控桥中,当60时,在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前,整流输出ud为负值,交流电源接受回馈的能量,电感( )A、释放储能 B、既不释放能量也不储能C、吸收能量 D、以储能为主7、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器 B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器8、采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A、减小输出幅值
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