三极管的高频等效模型.ppt

1、4.7.2 晶体管的高频等效模型 三极管在高频运用时的物理过程与低频运用时不同。例如，在高频时，三极管极间电容的作用及接线电容的影响不可忽略。一、晶体管的混合模型二、晶体管电流放大倍数的频率响应1一、晶体管的混合模型1、完整的混合模型2、简化的混合模型3、混合模型的主要参数2一、晶体管的混合模型1、完整的混合模型 我们在计算h参数的h11(rbe)时，曾用到了晶体管的物理模型，当时没有考虑极间电容，考虑到极间电容后的物理模型如图所示：3一、晶体管的混合模型与此相对应的混合模型如下：图中gm为跨导：4一、晶体管的混合模型2、简化的混合模型 通常，rce远大于负载电阻，而 也远大于C的容抗，认为二

2、者开路，如图：5一、晶体管的混合模型 由于C跨接在输入与输出回路之间，使电路分析变复杂。因此，为简单起见，将C等效在输入回路和输出回路，称为单向化。如图所示：6一、晶体管的混合模型 等效变换过程如下，变换前，从左往右看流过C的电流为：7一、晶体管的混合模型 为保证等效变换，要求流过C的电流不变，端电压为 ，其容抗为：8一、晶体管的混合模型近似计算时，取中频时的值，即 因此：同理，从C的右端看进去，可得出：9一、晶体管的混合模型 一般情况下，的容抗远大于集电极的总负载，可以忽略，由此可得出简化的混合模型如下：10一、晶体管的混合模型3、混合模型的主要参数 简化的混合模型有四个电路参数：半导体器件

3、手册中给出；：11一、晶体管的混合模型gm：与h参数模型相比，受控电流源的表达方 式不同，但表述的是同一物理量，即：12一、晶体管的混合模型 C：C的求解过程下面分析。13二、晶体管电流放大倍数的频率响应 在高频段，由于极间电容的存在，使晶体管的电流放大倍数不再象低频时保持常数，而是频率的函数。根据定义：因此14二、晶体管电流放大倍数的频率响应如图所示：15二、晶体管电流放大倍数的频率响应 16二、晶体管电流放大倍数的频率响应可见 的频率响应与低通电路相似，令：称为共射截止频率。17二、晶体管电流放大倍数的频率响应其对数幅频特性与对数相频特性为：18二、晶体管电流放大倍数的频率响应由此画出波特图：图中T是使 下降到1（0dB）时的频率。19二、晶体管电流放大倍数的频率响应令对数幅频特性等于零可以求出T：20二、晶体管电流放大倍数的频率响应因为T，所以21二、晶体管电流放大倍数的频率响应在半导体手册可以查出T和C(Cob)，这样就可以计算出C，而：至此，我们已得到混合模型的所有四个参数。22二、晶体管电流放大倍数的频率响应利用 的表达式，可以求出 的截止频率：23二、晶体管电流放大倍数的频率响应 是 下降到0.7070的频率，称为共基截止频率。24