8试验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用.docx

1、8试验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用实验八 锑化铟磁阻特性测量磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探 矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量 等，其中最典型的锑化铟(InSb)传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重 要的应用价值。本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓(GaAS霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟(InSb)磁阻传感器的电阻随磁感应强度 的变化情况。一、 实验目的1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。2、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感

2、应强度的关系曲线。3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。二、 实验仪器FD-MR-II型磁阻效应实验仪(直流双路恒流电源、 02V直流数字电压表、电磁铁、数 字式毫特仪、锑化铟磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等)、示波器、电阻箱、正弦交流 低频发生器及导线若干。三、 实验原理在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R随磁感应强度B变化的规律称为磁阻效应。如图43-1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用， 发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场， 如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发

3、生偏转， 因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大出现横向磁阻效应。如果将图 43-1中的a端和b端短路，磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 拧/珥。)表示。其中;?(0)为零磁场时的电阻率，设磁阻在磁感应强度为 B的磁场作用下的电阻率为r(B)，则 2二J(B) - ?(0)。由于磁阻传感器电阻的相对变化率 R/R(0)正比于 ”/珥0)， 这里 R = R(B) R(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量 R/R(0)来表示磁阻效应的大小。测量磁阻电阻值R与磁感应强度B的关系所用实验装置及线路如图 43-2所示。图43-1 磁阻效应实验证明，当金

4、属或半导体处于较弱磁场中时，磁阻传感器电阻相对变化率厶 R/R(0)正比于磁感应强度B的二次方，而在强磁场中 R/R(0)与磁感应强度B呈线性函数关系。磁 阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为 3的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量 R/R(0)正比于B2,那么磁阻传感器的电阻 R将随角频率2 3作周期性变化。图43-2测量磁电阻实验装置若外界交流磁场的磁感应强度 B为:(43-1)B=Bcos3t(43-1)式中，Bo为磁感应强度的振幅，为角频率，t为时间设在弱磁场中(43-2)(43-3)2 R/R(O)=KB(43-2)式中，K为

5、常量。由(43-1)式和(43-2)式可得R(B) =R(0) DR= R(0) R(0)：R/R(0)二 R(0) R(0)KBo cos2 t二 R(0) 1 R(0) KB0 1 R(0) KB0 cos2 t1 2 1 2(43-3) 式中，R(0) R(0)KBo为不随时间变化的电阻值， 而-R(0)kB0cos2 -t为以角频率2作余弦变化的电阻值。因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中， 将产生频交流电阻阻值变化。以锑化铟为例，磁阻在交流磁场下对正弦信号的倍频效应可以形象直观地说明磁场在小 于0.06T时，该磁阻器件的特性非常类似于光学二阶非线性效应。与锑化铟器件有类似性质

6、 的由四只薄膜合金器件组成的非平衡电桥磁阻传感器已将磁阻器件集成化， 并通过附加场的补偿作用使测量区域处于线性区域，更方便地应用于工业、医疗、探矿和军事等领域中。四、实验内容及步骤1 在锑化铟磁阻传感器电流或电压保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻 与磁感应强度的变化关系，作厶R/R(0)与B的关系曲线，并进行曲线拟合。实验时注意GaAs 和InSb传感器工作电流应小于3mA具体实验步骤如下：(1)直流励磁恒流源与电磁铁输入端相连，通过调节该直流恒流电源控制电位器改变输 入电磁铁电流大小，从而改变电磁铁间隙中磁感应强度的大小。(2)按图43-2所示将锑化铟磁阻传感器与电阻箱串联，并与可

7、调直流电源相接，数 | 字电压表的一端连接磁阻传感器电阻箱公共接点，另一端与单刀双向开关的刀口处相连。(3)确定通过锑化铟磁阻传感器的工作电流。(4) 通过电磁铁的直流电流逐渐由小增加，读出磁感应强度 B。通过测量锑化铟磁阻传感器两端的电压值。以求得锑化铟磁阻传感器的电阻 R，作出R与B的关系图。注：由上述实验数据和曲线得出锑化铟磁阻器件在 B V0.06T时， R/R(0)为二次函数。B 0.12T时， R / R (0)为B的一次函数，如果要使磁阻器件工作在线性范围内， 应使其工作在大于0.12T强的磁场下，其他的正常磁阻器件也有类似的特性。2 如图43-3所示，将电磁铁的线圈引线与正弦交

8、流低频发生器输出端相接；锑化铟 磁阻传感器通以2.5mA直流电，用示波器测量磁阻传感器两端电压与电磁铁两端电压构成 的李萨如图形如43-4所示，证明在弱正弦交流磁场情况下，磁阻传感器的阻值具有交流正 弦倍频特性。A C八图43-3磁阻传感器倍频效应原理图五、思考题1 什么叫做磁阻效应？霍尔传感器为何有磁阻效应？2.锑化铟磁阻传感器在弱磁场时和强磁场时的电阻值与磁感应强度关系有何不同？这 两种特性有什么应用？附录一实验数据处理参考1.取样电阻R= 300 Q 电压U=300mV2.求出电流 I = U = 300 = 1.00mA 。R 300表 43-1电磁铁In SbBA R/R(0)对应关

9、系I m (mA)UR(mV)B (mT)R ( Q )A R/R(0)0395.10.0395.109.9396.110.0396.10.00319400.520.0400.50.01429406.830.0406.80.03038415.040.04150.05047425.150.0425.10.07656436.360.0436.30.10466449.070.04490.13494491.5100.0491.50.244141552.1150.0552.10.397188590.3200.0590.30.494236623.9250.0623.90.580284655.6300.06

10、55.60.659332688.3350.0688.30.742381722.5400.0722.50.829430758.0450.0758.00.919479793.5500.0793.51.0083.对表43-1数据在B : 0.06T时，对 R/R ( 0)作曲线拟合见表43-2，拟合得：R/R(0) =37.51B2 (43-4)可知，在BV0.06T时，磁阻变化率 R/R(0)与磁感应强度B成二次函数关系。表 43-2R/ R(0)iBiR/R(0 p23R/R(0)JBi20.0025310.010.00025310.00000640.00010.01366740.020.000

11、27330.00018670.00040.02961270.030.00088830.00087690.00090.05036690.040.00201460.00253680.00160.07613260.050.00380660.00579610.00250.10427730.060.00625660.01087370.00360.27405690.210.01330.020280.00914.对表43-1数据在B0.12T时对 R/R(0)作曲线拟合见表43-3 ，拟合得：R/R(0) =1.72B 0.14 (43-5)可知，在B0.12时磁阻变化率 R/R(0)与磁感应强度B成一次函

12、数关系。整体磁阻 变化率 R/R(0)与磁感应强度B的关系曲线如图43-5所示。表 43-3AR/R(0)iBR/R(0)i x Bi(R/R(0)i)2Bi20.39730.150.059560.1578470.02250.4940.200.09880.2440360.040.57990.250.14477340.33534970.06250.65930.300.197790.43467640.090.742090.350.259730.55069750.12250.82860.400.331440.68657790.1 60.91850.450.4133250.84364220.20251.00830.500.505141.01666880.250.27405692.62.00956844.26949550.95TB/的关系曲线O2OO30.2 0 8 6 4 - - -1 1 o o OOO.图43-5 R/R与B的关系曲线