1、常用电平及接口电平一.常用逻辑电平标准附图1:附图2:附图3:附图4:1.1 COMS电平电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC)5.554.5V输入高压(VIH)3.5V输入低压(VIL)1.5V输出高压(VOH)4.44V输出低压(VOL)0.5V共模电压(VT)2.5V最高速率传输延迟时间(25-50ns)耦合方式1.2 LVCOMS电平LVCOMS电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC)3.63.32.7V输入高压(VIH)0.7VCCV输入低压(VIL)0.2VCCV输出高压(VOH)VCC-0.1V输出低压(VOL)0.1V共模电压(VT)0.5VC
2、CV最高速率耦合方式2.1 TTL电平电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC)5.554.5V输入高压(VIH)2V输入低压(VIL)0.8V输出高压(VOH)2.4V输出低压(VOL)0.5V共模电压(VT)1.5V最高速率传输延迟时间(5-10ns),耦合方式2.2 LVTTL电平电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC)3.63.33V输入高压(VIH)2V输入低压(VIL)0.8V输出高压(VOH)2.4V输出低压(VOL)0.4V共模电压(VT)1.5V最高速率耦合方式3.1 LVDS电平最高速率:3.125Gbps耦合方式:4.1 PECL(VCC=5
3、V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平最高速率:LVPECL为10+Gbps耦合方式:5.1 CML电平最高速率: 10+Gbps耦合方式:VCC相同时CML与CML之间采用直流耦合,VCC不同时CML与CML之间采用交流耦合6.1 VML电平电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC)V输入高压(VIH)V输入低压(VIL)V输出高压(VOH)1.65V输出低压(VOL) 0.85V共模电压(VT)1.25V最高速率耦合方式VML电平与LVDS电平兼容,TLK2711输出是VML电平。7.1 HSTL电平HSTL 最主要的应用是可以用于高速存储器读可。7.2 SSTL电平该标
4、准专门针对高速内存(特别是SDRAM)接口,它可获得高达200MHz的工作频率,SSTL 主要用于DDR 存储器。和HSTL 基本相同。V¬¬CCIO=2.5V,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度),HSTL 和SSTL 大多用在300M 以下.二常用接口电平标准1. RS232、RS485、 RS4222 DDR1 ,DDR2,DDR3备注 DDR4: 速率1.63.2Gbps;I/O接口 SSTL_12; VDD 1.2V;3 PCIE2. 0、PCIE3.0 参考时钟直流规范辅助信号直流规范4 USB2
5、.0, USB3.0USB引脚定义接口型号引脚功能电线颜色USB2.01 VBUS 红 2 D- 白 3 D+ 绿 4GND 黑 MicroUSB2.01 VBUS 红 2 D- 白 3 D+ 绿 4 ID B型悬空,A型接地5 GND 黑 USB3.01VBUS 红2D- 白3D+ 绿4GND黑5StdA_SSRX-蓝6StdA_SSRX+黄7GND_Drain8StdA_SSTX-紫9StdA_SSTX+橙5 SATA2.0, SATA3.0SATA规范最大带宽理论速率SATA 1.01.5 Gbps150 MB/sSATA 2.03.0 Gbps300 MB/sSATA 3.06.0 Gbps600 MB/s6 GTX高速接口