AMOLED显示技术.docx

1、AMOLED显示技术第六章 AMOLED显示技术6.1 OLED技术基础6.2 AMOLED显示面板技术6.1 OLED技术基础6.1.1 OLED的原理6.1.2 无源驱动OLED显示技术6.1.3 有源驱动（AMOLED）显示技术6.1.1 OLED的结构及发光机理阴极载流子注入载流子传输 有机层载流子的复合与激子的形成激子的衰减与发光 阳极发光OLED的彩色化6.1.2 无源驱动方式PMOLED优劣势 缺点 优点 象素发光时间只有Tf/N（N为行 简单数） 成本低 行脉冲电流大 适用于手机、汽车仪 对器件寿命不利表、数字表等显示容 亮度低、分辨率低量小的场合。 行电极电压降、显示亮度不均

2、匀6.1.3 AMOLED显示技术 模拟驱动技术 采用有源矩阵使象素在一帧时间内连续发光，一帧时间内象素的发光亮度基本不变。提高显示亮度、分辨率、亮度均匀性、寿命。 数字驱动技术 每一像素与一开关相连,TFT 仅作模拟开关使用, 灰度级产 生方法包括时间比率灰度和面积比率灰度,或者两者的结合非晶硅与多晶硅 驱动比较TFT 非晶硅TFT驱动电路 多晶硅TFT驱动电路 技术成熟，生产线规模大 成本高，投资大 TFT体积大，减小开口率 TFT体积小，显示开口率大（50%） TFT压降大，驱动功耗大，显示屏效率低。 TFT压降小 IOFF偏大，但已经有一些降低IOFF的措施。显示技术的发展趋势下一代的

3、TFT技术呼之欲出追求图像效果 高临场感显示CRT显示技术平板显示技术(TFT LCD、PDP)追求方便性电子纸显示追求可视性可与印刷品媲美的显示过去 现在 未来的显示技术无处不在OTFT载流子迁移率的进展下一代金属氧化物TFT技术日本东京工业大学细野秀雄教授 1964年SnO2作为有源层的TFT 1968年ZnO TFT 2003年多晶ZnO TFT 2004年 Fortunato和Nomura全透明室温 ZnO和IGZO TFT a-Si:H是应用最广泛的TFT有源层材料 下一代的TFT技术是?TFT的应用AMOLED,LCD6.2 AMOLED显示面板技术6.2.1 OLED的器件特性6

4、.2.2 AMOLED像素电路6.2.3 OLED集成策略6.2.4 AMOLED像素补偿电路6.2.1 OLED的器件特性（I-V与电路模型）OLED老化特性6.2.2 AMOLED像素电路电压驱动型基本像素电路 工作原理 Cs为存储电容，T1为驱动TFT，T2为开关。在采样阶段，将与OLED亮度 呈一定关系的电信号充到Cs中；在保持阶段，存储在Cs中的驱动信号保 证OLED在的非采样阶段信号持续发光在T1 管工作于饱和的条件下,恒定电流结构可以克服负载 OLED 阻抗的轻微变化对栅源电压的影响AMOLED制造问题分析！ TFT的阈值电压漂移 时间漂移（非晶硅TFT）：且漂移量与驱动管的工作

5、时间及所流过的电流大小有关 空间漂移（LTPS-TFT） OLED的阈值电压漂移（OLED老化，电压上升VDD 电源线的IR影响VscanVdataT2 T1Cs IdOLEDI1 2D = ,其中 = k V V k Ci( )GS TH FE2WLVGS=VG-VOLEDVssGND实例T1管的阈值漂移6.2.3 OLED集成策略6.2.4 AMOLED像素补偿电路 根据数据信号的不同，AMOLED像素电路可以分为电流驱动型和电压驱动型。补偿类型：电压控制、电流控制及光反馈、电反馈 电流控制型驱动电路中由于是直接的电流驱动, 输出和输入是线性关系, 对电流的调节比较方便, 能容易地实现亮度

6、的均匀性和显示灰度的准确性调节。电路补偿原理T1管为驱动管；T2管提供存储电容 Cs的放电回路，使Cs存放T2管的阈 值电压VTH2；T3管、T4管、T5管、 T6管为像素电路的开关管预充电阶段：数据电压-Vdata(0)，且脉冲电压源VDD为Vdd。因 此，通过T4管和T5管，B点电位将被 充电到一个高电位。 补偿阶段：在预充电阶段和补偿阶段，OLED都处于反向偏置状态。C点电位为VSS。存储电容Cs经T2管放电，直至T2管关闭，存储于电容Cs的电压为VCs=Vdata+VTH2驱动阶段：存储于电容Cs中的电压VCs (T1管的栅源电压VGS)会保持为Vdata+VTH2。 OLED开启电压

7、的上升会同时使T1管栅极电压VB、源极电压VA上升，而T1管栅源电压VGS则保持不变。作业1、分析如图所示两管像素电路面临的问题及产生这些问题的物理机制2、针对两管电路中驱动管阈值电压漂移以及OLED阈值电压变化，人们提出了大量的像素补偿电路。请分析如图所示电路对驱动 管阈值电压漂移或OLED阈值电压变化的补偿原理。 如果你能进一步给出仿真结果 如果你能进一步给出版图 如果你能提出新的电路并给出补偿原理实验作业 实验报告 实验原理 实验步骤 MOSFET 画出转移特性和输出特性图 实验任选其中之一，提取迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅。作业通过讨论、交流、网上搜索等方法提 磁控溅射 写出如下薄膜特性测试方法 以及基本原理高作业质量 薄膜电阻、薄膜透过率与反射率、薄膜表面形貌、薄膜厚度、薄膜的结晶状况等 光刻 另外举出一例半导体工艺中的图形化技术，介绍其原理并对照光刻技术进行优劣势分析