1、第一章常用半导体器件课件资料第一章 常用半导体器件第一节 半导体的基本知识一、填空题:1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 、 、和 三类。2、常用的半导体材料是 和 ,它们都是 价元素。3、半导体中导电的不仅有 ,而且还有 ,这是半导体区别于导体导电的重要特征。4、掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度与 有很大的关系。5、半导体按导电类型分为 型半导体和 型半导体。6、P型半导体的多数载流子是 ,少数载流子是 ;N型半导体的多数载流子是 ,少数载流子是 。7、PN结又叫 层, 层,也叫 区。8、PN结正偏时,P区接电源的 极,N区接电源的 极;PN结反偏时,P
2、区接电源的 极,N区接电源的 极。9、PN结具有 性能,即加正向电压时PN结 ,加反向电压时的PN结间 。二、判断题(正确的在括号内打“”,错误的打“” )( )1、只有单晶硅或锗才能制作半导体器件。( )2、在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。( )3、在硅或锗晶体中掺入三价元素形成N型半导体。( )4、PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。( )5、PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。( )6、PN结反向偏置时,反向电流随反向电压增大而增大。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)1、半导体中传导电流的载流子是( )A、电子 B、空穴 C、电子和空穴2、P型半导体是( )A、纯
3、净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的3、PN结形成以后,它的最大特点是具有( ) A、导电性 B、绝缘性 C、单向导电性四、问答题试述PN结的特性。第二节 二 极 管一、填空题1、二极管实质就是一个 ,P区的引出端叫 极或 极,N区的引出端叫 极或 极。2、按二极管制造工艺的不同,二极管可分为 型、 型和 型三种。3、按晶体二极管所用的材料可分为 管和 管两类。4、2CW是 材料的 二极管,2AK是 材料的 二极管。2CZ是 材料的 二极管,2AP是 材料的 二极管。5、二极管的正向接法是 接电源的正极, 接电源的负极,反向接法相反。6、二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极
4、管的死区电压约 V。7、硅二极管导通时的正向压降约 V,锗二极管导通时的正向压降约 V。8、使用二极管时,应考虑的主要参数是 , , 。9、电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会 ;如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管会 。10、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已 ;有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明二极管已 。11、在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较 。二、判断题(正确的在括号中打“”,错误的打“” )( )1、晶体二极管是线性元件。( )2、在整流电路中,一般采用点接触型晶体二极管。( )3、一
5、般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。( )4、无论是哪种类型的晶体二极管,其正向电压都为0.3V左右。( )5、晶体二极管具有单向导电性。( )6、晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。( )7、当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。( )8、晶体二极管加正向电压时一定导通。( )9、晶体二极管加反向电压时一定截止。( )10、在图1-1中,晶体二极管V若为硅管则能导通,为锗管则不通。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)1、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,干电池的负极
6、直接接到硅二极管的负极,则该管( )。 A、基本正常 B、击穿 C、烧坏2、如果晶体二极管的正反向电阻都很大,则该晶体二极管( )。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路3、当硅晶体二极管加上0.4V正向电压时,该晶体二极管相当于( )。 A、很小的电阻 B、很大的电阻 C、短路4、面接触型晶体二极管比较适用于()。 A、高频检波 B、大功率整流 C、大电流开关5、某晶体二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压( )。 A、约等于150V B、略大于150V C、等于75V四、问答题1、什么是晶体二极管的反向击穿?2、从晶体二极管的电压、电流特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?3、怎样
7、用万用表判断硅二极管和锗二极管?怎样用万用表判断小功率二极管的好坏与极性?4、在测量大功率晶体二极管的正向电阻时,用万用表R1档和R100档测量结果是否相同?为什么?五、综合题1、在图1-2中,设晶体二极管的正向压降为0.7V,当UA分别为+5V、-5V、0V时,求电压UB。、如图13所示电路,E13V ,E26V,V为理想二极管,求电路电压Uab。3、在图14中,R1R21K,R39K,V1、V2为理想二极管,当UA+10V,UB0V时,求输出端电压UO及各元件中通过的电流。4、输入电压u1如图15a所示,V 为理想二极管,试在图a中,画出图b、图C中电路的输出电压u01、u02。图 1-
8、5 第三节 三极管 一、填空题1、晶体三极管有两个PN结,即 结和 结;有三个电极,即 极、 极和 极,分别用 、 和 表示。2、晶体三极管有 型和 型,前者的图形符号是 ,后者的图形符号是 。3、晶体三极管3DG56是 材料 型 三极管,序号为 ,3AD30C是 材料 型 三极管。4、某晶体三极管的UCE不变,基极电流IB=30uA时,IC=1.2mA,则发射极电流IE= mA,如果基极电流IB增大到50uA时,IC增加到2mA,则发射极电流IE= mA,三极管的电流放大系数= 。5、晶体三极管的输入特性是指 。6、硅三极管发射极的死区电压约 V,锗三极管发射结的死区电压约 V。晶体三极管处
9、在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约 V,锗管发射结的导通电压约 V。7、晶体三极管的输出特性曲线是指 。8、晶体三极管的输出特性可分为三个区域,即 区、 区、 区。9、当晶体三极管的发射结 ,集电结 时,工作在放大区;发射结 ,集电结 时,工作在饱和区;发射结 或 ,集电结 时,工作在截止区。10、晶体三极管具有正常放大作用时,集电极、基极、发射极各极电位必须符合一定的大小关系,对于NPN管,应符合 ,对于PNP管应符合 。11、晶体三极管发射极电流IE,基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是 ,其中ICIB叫做 ,用 表示;IC/IB叫做 系数,用 表示。12、晶体三极管临界饱和时,
10、有UBE UCE。13、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而 ,硅三极管的穿透电流比锗三极管 ,所以硅三极管的热稳定性比锗三极管 。14、晶体三极管的三个主要极限参数是 、 、 ,三极管正常工作时,应满足 、 和 。15、晶体三极管电流放大系数太小时,电流放大作用 ,电流放大系数太大时,会使晶体三极管的性能 。16、工作在放大状态的三极管可作为 器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为 器件。二、判断题(正确的在括号中打“”,错误的打“” )( )1、晶体三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( )2、发射结正向偏置的晶体三极管一定工作在放大状态。( )3、发射结反向偏置的晶体三极管
11、一定工作在截止状态。( )4、一般来说,晶体三极管的电流放大系数随温度升高而减小。( )5、常温下,硅晶体三极管的UBE约为0.7V,且随温度升高而减小。( )6、晶体三极管的交流放大系数表示为IC/IB,它不随工作点改变而改变。( )7、晶体三极管集电极和发射极可以互换使用。( )8、晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。( )9、晶体三极管不允许工作在过损耗区。( )10、测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是9V,6V和6.2V,则这个晶体三极管是PNP锗管。三、选择题(将正确答案的序号填入括号中)( )1、当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在 A、放大状态 B、饱和
12、状态 C、截止状态( )2、用直流电压表测量NPN型晶体三极管中管子各极电位是UB4.7V,UC4.3V,UE4V,则该晶体三极管的工作状态是 A、截止状态 B、饱和状态 C、放大状态( )3、晶体三极管各电极对地电位如图16所示,工作于饱和状态的三极管是 ( )4、满足ICIB关系时,晶体三极管工作在 A、饱和区 B、放大区 C、截止区( )5、晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关,只取决于UCC和RC( )6、三极管输出特性曲线中,当IB0时,IC等于 A、ICM B、ICBO C、ICEO( )7、有三只晶体
13、三极管,除和ICEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用 A、50,ICEO0.5mA B、140,ICEO2.5mA C、10,ICEO0.5mA( )8、用万用表RX1K挡测量一只正常的三极管,若用红表棒接触一只管脚,黑表棒分别接触另外两只管脚时测得的电阻均很大,则该三极管是 A、PNP型 B、NPN型 C、无法确定( )9、三极管放大作用的实质是A、 三极管可以把小电流放大成大电流B、 三极管可以把小电流放大成大电压C、 三极管可以用较小的电流控制较大的电流四、问答题1、什么是晶体三极管电流放大系数?和hFE有什么区别?2、什么是晶体三极管的穿透电流?它和晶体三极管的性能有何关系
14、?3、晶体三极管的主要功能是什么?放大作用的实质是什么?晶体三极管为什么具有电流放大作用?4、如何用万用表判别晶体三极管的管脚和管型?又如何判断是硅管和锗管?五、综合题1、用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电位是UA=9.5V,UB=-5.9V,UC=-6.2V,试根据此判断晶体三极管的管脚、材料与类型。2、测得某放大器中三极管各脚间电压如图17所示,问、脚各是什么电极?是锗管还是硅管?是PNP型还是NPN型? 3、测得工作在放大状态的某三极管,其电流如图18所示,在图中标出各管的管脚,并说明三极管是NPN型还是PNP型? 4、根据图19所示的各晶体三极管对地电位数据分析各管的
15、情况。(说明是放大、截止、饱和或哪个结已开路或短路。 5、已知某三极管PCM100mW,ICM20mA,U(BR)CEO15V,试问下列几种情况下,哪种情况能正常工作?哪种情况不能正常工作?为什么? (1)UCE3V IC10mA (2)UCE2V IC40mA (3)UCE10V IC20mA (4)UCE15V IC10mA6、某三极管的输出特性曲线如图110所示,根据 输出特性曲线求穿透电流ICEO,当IC2mA,UCE10V时电流放大系数是多少? 7、某NPN型晶体三极管的输入、输出特性曲线如图111所示: (1)当IB60uA、UCE8V时,求IC; (2)当UCE6V时、UBE0.7V时,求IC; (3)当UCE10V,UBE由0.6V变化到0.7V时,求IC的变化
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