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计算机组成原理第五章答案.docx

1、计算机组成原理第五章答案5 4 教材习题解答 如何区别存储器和寄存器 两者是一回事的说法对吗解:存储器和寄存器不是一回事。存储器在CPU 的外边,专门用来存放程序和数据,访问存储器的速度较慢。寄存器属于CPU 的一部分,访问寄存器的速度很快。 存储器的主要功能是什么 为什么要把存储系统分成若干个不同层次 主要有哪些层次解:存储器的主要功能是用来保存程序和数据。存储系统是由几个容量、速度和价存储系统和结构第5章129 格各不相同的存储器用硬件、软件、硬件与软件相结合的方法连接起来的系统。把存储系统分成若干个不同层次的目的是为了解决存储容量、存取速度和价格之间的矛盾。由高速缓冲存储器、主存储器、辅

2、助存储器构成的三级存储系统可以分为两个层次,其中高速缓存和主存间称为Cache 主存存储层次(Cache 存储系统) ;主存和辅存间称为主存 辅存存储层次(虚拟存储系统) 。 什么是半导体存储器 它有什么特点解:采用半导体器件制造的存储器,主要有MOS 型存储器和双极型存储器两大类。半导体存储器具有容量大、速度快、体积小、可靠性高等特点。半导体随机存储器存储的信息会因为断电而丢失。 SRAM 记忆单元电路的工作原理是什么 它和DRAM 记忆单元电路相比有何异同点解:SRAM 记忆单元由 个MOS 管组成,利用双稳态触发器来存储信息,可以对其进行读或写,只要电源不断电,信息将可保留。DRAM 记

3、忆单元可以由 个和单个MOS管组成,利用栅极电容存储信息,需要定时刷新。 动态RAM 为什么要刷新 一般有几种刷新方式 各有什么优缺点解:DRAM 记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的,由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉,因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷,这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式 种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响,系统的存取速度比较高;但有死区,而且存储容量越大,死区就越长。分散方式的特点是没有死区;但它加长了系统的存取周期,降低了整机的速度,且刷新过于频繁,没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区

4、,但比集中方式的死区小得多,而且减少了刷新次数,是比较实用的一种刷新方式。 一般存储芯片都设有片选端CS ,它有什么用途解:片选线CS用来决定该芯片是否被选中。CS ,芯片被选中;CS ,芯片不选中。 DRAM 芯片和SRAM 芯片通常有何不同解:主要区别有: DRAM 记忆单元是利用栅极电容存储信息;SRAM 记忆单元利用双稳态触发器来存储信息。 DRAM 集成度高,功耗小,但存取速度慢,一般用来组成大容量主存系统;SRAM的存取速度快,但集成度低,功耗也较大,所以一般用来组成高速缓冲存储器和小容量主存系统。 SRAM 芯片需要有片选端CS ,DRAM 芯片可以不设CS ,而用行选通信号RA

5、S 、列计算机组成原理教师用书130 选通CAS兼作片选信号。 SRAM 芯片的地址线直接与容量相关,而DRAM 芯片常采用了地址复用技术,以减少地址线的数量。 有哪几种只读存储器 它们各自有何特点解:MROM :可靠性高,集成度高,形成批量之后价格便宜,但用户对制造厂的依赖性过大,灵活性差。PROM :允许用户利用专门的设备(编程器)写入自己的程序,但一旦写入后,其内容将无法改变。写入都是不可逆的,所以只能进行一次性写入。EPROM :不仅可以由用户利用编程器写入信息,而且可以对其内容进行多次改写。EPROM 又可分为两种:紫外线擦除(UVEPROM)和电擦除(EEPROM) 。闪速存储器:

6、既可在不加电的情况下长期保存信息,又能在线进行快速擦除与重写,兼备了EEPROM 和RAM 的优点。 说明存取周期和存取时间的区别。解:存取周期是指主存进行一次完整的读写操作所需的全部时间,即连续两次访问存储器操作之间所需要的最短时间。存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。存取周期一定大于存取时间。 一个K 的存储芯片需要多少根地址线、数据输入线和输出线解:需要 根地址线, 根数据输入和输出线。 某机字长为 位,其存储容量是KB ,按字编址的寻址范围是多少 若主存以字节编址,试画出主存字地址和字节地址的分配情况。解:某机字长为 位,其存储容量是KB ,按字编址的寻址范围是K

7、W 。若主存以字节编址,每一个存储字包含 个单独编址的存储字节。假设采用大端方案,即字地址等于最高有效字节地址,且字地址总是等于 的整数倍,正好用地址码的最末两位来区分同一个字中的 个字节。主存字地址和字节地址的分配情况如图唱 所示。图唱 主存字地址和字节地址的分配 一个容量为K 位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少 当选用下列不同规格的存储芯片时,各需要多少片存储系统和结构第5章131 K 位,K 位,K 位,K 位,K 位,K 位。解:地址线 根,数据线 根,共 根。若选用不同规格的存储芯片,则需要:K 位芯片 片,K 位芯片 片,K 位芯片 片,K 位芯片 片,K 位芯片 片,K 位

8、芯片 片。 现有 的存储芯片,若用它组成容量为K 的存储器。试求:() 实现该存储器所需的芯片数量() 若将这些芯片分装在若干块板上,每块板的容量为K ,该存储器所需的地址线总位数是多少 其中几位用于选板 几位用于选片 几位用作片内地址解:() 需 的芯片 片。() 该存储器所需的地址线总位数是 位,其中 位用于选板, 位用于选片, 位用作片内地址。 已知某机字长 位,现采用半导体存储器作主存,其地址线为 位,若使用K 的SRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间,并采用存储模板结构形式。() 若每块模板容量为K ,共需多少块存储模板() 画出一个模板内各芯片的连接逻辑图。解:() 根据题干可

9、知存储器容量为 KB ,故共需 块存储模板。() 一个模板内各芯片的连接逻辑图如图唱 所示。图唱 模板内各芯片的连接逻辑图计算机组成原理教师用书132 某半导体存储器容量K ,可选SRAM 芯片的容量为K ;地址总线A A (低) ,双向数据总线D D (低) ,由RW线控制读写。请设计并画出该存储器的逻辑图,并注明地址分配、片选逻辑及片选信号的极性。解:存储器的逻辑图与图唱 很相似,区别仅在于地址线的连接上,故省略。地址分配如下:A A A A A AX X 第一组X X 第二组X X 第三组X X 第四组假设采用部分译码方式,片选逻辑为:CS A ACS A ACS A ACS A A 现

10、有如下存储芯片:K 的ROM 、K 的RAM 、K 的ROM 。若用它们组成容量为KB 的存储器,前KB 为ROM ,后KB 为RAM ,CPU 的地址总线 位。() 各种存储芯片分别用多少片() 正确选用译码器及门电路,并画出相应的逻辑结构图。() 指出有无地址重叠现象。解:() 需要用K 的ROM 芯片 片,K 的RAM 芯片 片。不能使用K 的ROM 芯片,因为它大于ROM 应有的空间。() 各存储芯片的地址分配如下:相应的逻辑结构图如图唱 所示。() 有地址重叠现象。因为地址线A 、A 没有参加译码。 用容量为K 的DRAM 芯片构成KB 的存储器。() 画出该存储器的结构框图。存储系

11、统和结构第5章133 图唱 存储器的逻辑结构图() 设存储器的读写周期均为 s ,CPU 在s 内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理 相邻两行之间的刷新间隔是多少 对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少解:() 存_储器的结构框图如图唱 所示。() 因为要求CPU 在s 内至少要访存一次,所以不能使用集中刷新方式,分散和异步刷新方式都可以使用,但异步刷新方式比较合理。相邻两行之间的刷新间隔 最大刷新间隔时间 行数 ms s 。取 s ,即进行读或写操作 次之后刷新一行。对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间 s s 有一个 位机,采用单总线结构,地址总线 位(A A ) ,

12、数据总线 位(D D ) ,控制总线中与主存有关的信号有MREQ(低电平有效允许访存)和RW(高电平为读命令,低电平为写命令) 。主存地址分配如下:从 为系统程序区,由ROM 芯片组成;从 计算机组成原理教师用书134 图唱 存储器的结构框图为用户程序区;最后(最大地址)K 地址空间为系统程序工作区。(上述地址均用十进制表示,按字节编址。)现有如下存储芯片:K 的ROM ,K 、K 、K 、K 的SRAM 。请从上述规格中选用芯片设计该机主存储器,画出主存的连接框图,并请注意画出片选逻辑及与CPU 的连接。解:根据CPU 的地址线、数据线,可确定整个主存空间为K 。系统程序区由ROM 芯片组成;用户程序区和系统程序工作区均由RAM 芯片组成。共需:K 的ROM 芯片 片,K 的SRAM 芯片 片,K 的SRAM 芯片 片。主存地址分配如图唱 所示,主存的连接框图如图唱 所示。A A A A A A A KB ROM KB RAM KB RAM KB RAM KB RAM 某半导体存储器容量KB ,其中固化区KB ,可选EPROM 芯片为K ;可随机存储系统和结构

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