1、EGJ型保护板原材料规格书A密 级 阶段标记 页 数 13 原材料技术条件及零部件规格书名 称 主板- E02158 编 号 LSH314.101CT04 拟 制 审 核 会 签 标准化 批 准 天津力神电池股份有限公司1 目的为公司提供原材料技术条件,确保原材料质量处于受控状态,满足生产要求。2 适用范围适用于316-PP505690-4S5P-PCM型锂离子电池项目,可作为采购进货检验依据。3 技术条件及相关内容3.1 产品简述: 3.1.1 名称: E021583.1.2 BOM: 001.19.00004830003.2 技术要求(25 C)3.2.1 过充保护电压: 4.275V0.
2、025V3.2.2 过充恢复电压: 4.075V0.050V3.2.3 过放保护电压: 2.30V 0.080V3.2.4 过放恢复电压: 2.70V 0.100V3.2.5 过流保护电流: 15.5A +/3A(电芯14.4V)3.2.6 短路保护功能: OK3.2.7 均衡起始电压: 4.18V0.025V3.3.8 工作温度: -45553.3.9 存储温度: -40853.3 元器件布件图:底层 无底层布件3.4 焊盘定义: 顶层底层无底层焊盘符号定义P+/P-PACK的正/负端(数据地)DQ1-WIRE通信数据端B+电池组总正端(电压最高点)B1P第一节正端B2P第二节正端B3P第三
3、节正端B4P第四节正端B-电池总负端(电压最低点)3.5 机械尺寸:3.6 元器件列表: 所有器件符合工业级标准(工作温度范围达-40至+85):规格型号位号封装数量0.1uF/50V,20%C1, C2, C3, C4, C5, C7, C8, C9, C10, C11, C12, C15, C17, C190603141uF/50V,20%C6121012.2uF/50V,20%C13,080511uF/50V,20%C16080510.47uF/50V,20%C140603110uF/25V,20%C1812061330pF/50V,20%C2006031UDZSTE17/18B D1,
4、 D3UMD22P6SMB36A D2SMB(DO-21AA)1UDZSTE175.6BD4UMD2110uH,20%L106031SI4435BDYQ1, Q2, Q4, Q5, Q6, Q7, Q8, Q9SO-88CPH3323Q3, Q10, Q11, Q12SOT-234BSS84Q13SOT-2312N7002Q15SOT-231470,5%,1/16WR1, R6, R20, R3106034200,5%,1/4WR2, R3, R4, R14, R15, R16, R24, R25, R26, R35, R36, R371206121K,5%,1/16WR5, R9, R12,
5、 R17, R18, R21, R22, R23, R27, R380603101M,5%,1/16WR7060311,5%,1/16WR8060315.1k,5%,1/16WR10, R11, R48060336.8k,5%,1/16WR1306031200,5%,1/16WR19060310.010,1%,2WR28, R30, R32, R57, R582512551,5%,1/16WR29060310,5%,1/16WR33, R41, R44, R49060344.7M,1%,1/16WR34060311.5M,1%,1/16WR39060314.7K,5%,1/16WR400603
6、11M,1%,1/16WR42, R45,06032100K,1%,1/16WR5406031300K,1%,1/16WR4706031150,5%,1/16WR5206031S-8241ADTMCU1, U2, U4, U5SOT-23-54S8254AAGFTU3TSSOP-161LT3014ES5#TRMPBF U6SOT-23-51ATmega48V-10AUU7TQFP-32A1MAX6814U8SC70-51DS2788U9TSSOP-141ZC51272AYJ1ZC51272A1注:1、标明粉红色的C13容值更改;R54,R47电阻值更改;2、标明红色的元器件L1、U8、U9、Y
7、J1、C18为客供件;但标明绿色的C18可变更为10uF/25V,20%,1206; 3、液晶显示屏由原来的距PCB板1.2mm改为贴近PCB焊接,需再留有高度空间; 4、PCB尺寸略增大,长度由68mm增大为69.2mm,外形改为梯形,最大尺寸70.35mmPCB走线略调整;5、保护板表面喷涂三防漆。3.7印制板线路图底层:3.8 DS2788文件烧写3.8.1 DS2788烧写接口如下:其中:DQ为DS2788通信总线,GND为数据地线。3.8.2 DS2788基本参数烧写3.8. 2.1 DS2788基本参数初步烧写。单击File,选择Flod,该文件为.tex格式,该格式文件明如下 T
8、BP316-1_2788_GJ.txt,11085,11085,11317,11412,11500, 312,305,298,52,34,29,29,29,18,0, 4.1968,600.0,2.9085,480,5.00,1.02637,1.11426,61,11400.00,0.3126,00h,-0.3126,20 C,10 C单击Write$copy键,进行基本参数烧写。(注意检流电阻为:5.00m;,电压较准参数为(参数值0.991.15);电流校准参数(参数值0.991.05)3.8.2.2 DS2788主要参数校准。修正电压较准参数(参数值在0.991.15之间),并在主界面读
9、取软件电压测量值,使得软件测量电压与实际测量电压压差不超过50mV;修正电流校准参数(参数值在0.991.05之间)。3.8.3 DS2788老化系数烧写 单击Write和Done键进行老化系数烧写,老化系数设置为98%(烧写后老化系数有略微改变,但变化在97%98%之间)。3.8.4 通信地址烧写 寄存器相对地址和相应参数烧写如下a、额定容量:10000mAh,对应十六进制为2710h,其中低位地址20h:27h,高位地址21h:10h;b、节数:4串,对应十六进制为04h,地址为2Ch,单击Write和Done键进行通信地址烧写。3.9 单片机ATmega48烧写3.9.1 AVR并行IS
10、P 烧写器接口和保护板烧写接口如下:3.9.1.1 AVR并行ISP 烧写器接口3.9.1.2 保护板上单片机ATmega48烧接口如下3.9.2 烧写方法(AVR studio4 烧写界面)3.9.2.1 熔丝配置a. 如图选择 BOOLEVEL=110b. 如图选择默认振荡频率(内部晶振8M),CKSEL=0010,SUT=10c. 内部晶振频率分频设置:不分频熔丝配置并烧写完成后界面如下3.9.2.2 烧写文件写入a、 器件选择:ATmega48b、烧写模式:ISP modec、Flash路径设置:3.9.2.3 烧写文件烧写文件为.hex格式,该格式文件如下:TBP316_A_RET_
11、2788.hex3.10 剩余相对容量修正烧写,测试液晶显示功能 单击Write和Done键进行剩余容量烧写,剩余容量初次烧写为7000mAh,此时液晶显示应为3格。4 检验项目及检验方法4.1 目测检查保护板没有弯曲变形,表面洁净,无腐蚀,无异物。4.2 目测检查保护板上的器件位置,应与3.3条中的元器件布件图相符。4.3 利用游标卡尺测量保护板关键机械尺寸(*标注),应与3.4相符。4.4 利用保护板测试仪测试保护板的电气性能,应与3.2相符。4.5 利用专用烧写工具烧写测试保护板液晶显示和通信功能,应符合3.8、3.9、3.10的要求。 5 存储原材料应密闭包装,避免潮湿和化学气氛。 6
12、 运输6.1 包装规格要求防静电包装。6.2 运输要求应防止碰撞、防破损。7 修订历史记录修订状态拟制人修订原因修订记录发布日期0刘彩秋-2009-7-161刘彩秋DS2788外部分压电阻变更1、C13:由原来1.0uF/50V,20%改变为2.2uF/50V,20%2010-2-222、C18:由10uF/50V,20%,1206改变为10uF/25V,20%,12063、R54:由原来1M1%,1/16W改变为100K, 1%,1/16W;4、R47:由原来3M, 1%,1/16W改变为300K, 1%,1/16W2刘彩秋方便批量生产1、 B1P焊盘位置调整2、 信号采样焊盘大小调整3、 LTC3014走线调整,增加抗干扰能力2010-4-283刘彩秋适应整体防水保护板喷涂三防漆2010-5-184刘彩秋标准化管理软件烧写方法归入规格书2010-7-1
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