关于电子元器件储存期限的调研报告修改版Word文件下载.docx

1、经咨询，其答复：电子元器件没有保质期一说，一般电子元器件，如电容，只要表面包装没损坏，也是可以用的。2、许军，装甲兵工程学院控制工程系，教授，研究方向：电路故障。电子元器件在一般情况下，可存放3-5年。3、费庆宇，高级工程师，理学硕士，“电子产品可靠性与环境试验”杂志编委，长期从事半导体器件的可靠性、失效机理和失效分析技术研究。“VLSI失效分析与可靠性评价技术”课题第一完成人，该课题荣获2006年度“国防科技二等奖”。四、调研结论 1、查阅权威论文的结论 无缺陷或缺陷少的电子元器件，在一定的环境下，能储存几年甚至十几年。2、对供应商、电子元器件市场调研的结论 只要储存环境达到要求（温度：3、

2、咨询权威专家教授的结论 五、建议 综上，建议在储存环境达到要求的前提下，将电子元器件在我司的储存期限由1年延长至3年，并修改集团仓储管理制度，以避免过早报废造成损失。第二篇：电子元器件的焊接电子元器件的焊接 用电烙铁焊接元件是基本的装配工艺，它对保证电子产品的质量起着关键的作用。下面介绍一些元器件的焊接要点。1.焊接最好是松香、松香油或无酸性焊剂。不能用酸性焊剂，否则会把焊接的地方腐蚀掉。2.焊接前，把需要焊接的地方先用小刀刮净，使它显出金属光泽，涂上焊剂，再涂上一层焊锡。3.焊接时电烙铁应有足够的热量，才能保证焊接质量，防止虚焊和日久脱焊。4.烙铁在焊接处停留的时间不宜过长。5.烙铁离开焊接

3、处后，被焊接的零件不能立即移动，否则因焊锡尚未凝固而使零件容易脱焊。6.对接的元件接线最好先绞和后再上锡。7.在焊接晶体管等怕高温器件时，最好用小平嘴钳或镊子夹住晶体管的引出脚，焊接时还要掌握时间。8.半导体元件的焊接最好采用较细的低温焊丝，焊接时间要短。第三篇：电子元器件网址常用电子元器件公司网址2008年1国外电子元器件搜索网址2国内电子元器件搜索网址3微处理器、单片机、flash4单片机（8051、AVR）、flash551系列单片机逻辑电路模拟器件多媒体器件6单片机（8051）、flash751系列单片机存储器多媒体器件18水平最高的模拟器件公司8051系列单片机全系列模拟器件DSP9

4、全系列模拟器件10TMS320系列DSPMPS430系列单片机全系列模拟器件（收购了B-B公司）11单片机全系列模拟器件逻辑电路1213单片机模拟器件功率器件Flash分立元件14单片机模拟器件功率器件微处理器逻辑器件光电器件存储器15单片机存储器16单片机模拟器件功率器件逻辑器件光电器件存储器分立元件17模拟器件功率器件分立元件逻辑器件光电器件存储器18模拟器件功率器件光电器件19单片机模拟器件功率器件逻辑器件光电器件20逻辑器件光电器件分立元件 21.光电器件多媒体器件 22.2电源监控串行EPROM数字电位器 23.开关电源模块 24.全系列模拟器件 25.2PIC系列单片机串行EPRO

5、M26微处理器MC68系列单片机 数字逻辑器件功率器件存储器DSP光电器件27单片机晶体振荡器LCD及驱动电路28微处理器存储器29分立元件数字逻辑器件电源器件 功率器件 30.电源监控RTC串行存储器 31.芯片手册下载网站第四篇：电子元器件的焊接技术、选用焊剂：可共金属（导电材料）焊剂种类很多，常用的焊锡膏、松香焊锡丝。焊锡膏用起来方便，但使用后常有部分残留液在焊点附近，不仅容易沾染尘污，而且含酸性，对元件有一定的腐蚀作 用。所以，除一些特殊情况外，也不宜用于焊接电子元件。焊接电子电路元件最合适的焊剂是松香或松 香酒精容剂。因松香是中性物质，对元件无腐蚀作用。需要注意的是，焊接是松香和焊锡

6、应该同时加到 焊点上去。现在普遍使用市售的一种松香焊锡丝（焊锡丝是空心的，空心处罐满松香），使用方便，效果好。 12、元件引脚的清洁：一般情况下出厂的元器件引脚均镀有一层薄的焊料，但时间一长，电子元件的 属引脚表面会产生一层氧化膜，氧化膜导电性很差，对锡分子的吸力不强，因此焊接前要把焊接处的 金属引脚表面用橡皮擦打磨光洁。除少数有镀银或镀金层的金属引脚外，对被焊接的元器件引脚都要进 行打磨光洁，然后给元件引脚搪上一层薄而均匀的焊锡。有的人常用刀片去刮引脚上的氧化膜，这是不 合理的，因为电子元件的引脚出厂时都经过表面处理，目的是使元件引脚容易焊接。若刀片刮去元件引 脚的表面层露出引脚的基本材料更

7、不容易焊接牢固。只有经过清洁、搪锡处理后电子元件引脚，焊接之 后才不会出现“虚焊”。3、使用电烙铁：电烙铁是手工施焊的主要工具，选择合适的电烙铁是保证焊接质量的基础，焊接一 般的电子元器件常用（20w30w）的内热式电烙铁。新买的电烙铁，使用之前要“上锡”，方法是观察 烙铁头是否被氧化，被氧化的烙铁头不易上锡，此时用刀片或挫刀清理氧化层，然后接上电源，待烙铁 温度一旦高过焊锡丝熔点时，再用它去蘸松香焊锡丝，烙铁头表面就会附上一层光亮的锡，烙铁就能使 用了。没有上过锡的烙铁头，焊接时不会吃锡,难以进行焊接。烙铁头使用时间长了或烙铁头温度过高,烙铁头会氧化,造成烙铁“烧死”,而蘸不上焊锡,也难于焊

8、接元件到印制电路板上。烙铁头应保持清洁,不清洁的局部区域也蘸不上焊锡,还会很快氧化,日久之后常造成烙铁头被腐蚀的坑点,使焊接工作更加困难。烙铁头长时间处于待焊状态,温度过高,也会造成烙铁头“烧死”,所以焊接时一定要做好充分准备,尽量缩短烙铁的工作时间,一旦不焊接立刻拔出烙铁电源。4、焊接元件:焊接元件时应选用低熔点松香焊锡。焊接时除烙铁头的温度适当外,被焊元件和烙铁的接触时间也要适当,时间短也会造成虚焊,时间太长也会烫坏元器件.一般的元件焊接时间为2-3秒钟即可 。焊点处焊锡未冷到凝固前,切勿摇动元件的焊头,否则会造成虚焊.焊接元器件过程中切忌烙铁头移动和 压焊。这无助于焊接工作,还会影响焊点

9、的质量。需要注意,对特殊器件的焊接应按元件要求进行。如有 的CMOS器件要求烙铁不带电工作,或烙铁金属外壳加接地线。5、小结。电子工程实践中电子元件焊接技术是电气类学生必须掌握的一项基本功,也是保证实践教学效果的重 要环节。综上所述,焊接技术可以归纳为下列流程:施焊准备加热焊接送入焊料冷却焊点清洗焊面（1）、施焊准备:焊接前的准备包括焊接部位的清洁处理,元器件安装、焊料和工具的准备。（2）、加热焊接:烙铁头加热焊接部位,使连接点的温度加热到焊接需要的温度.加热时烙铁头和连接 点要有一定的接触压力,并要注意加热整个焊接部位。（3）、送入焊料：当加热到一定温度后,即可在烙铁头和焊接点的结合部位加上

10、适当的焊料。焊料融 化后,用烙铁头将焊料移动一个距离,以保证焊料覆盖整个焊接部位。（4）、冷却焊点,当焊料和烙铁头离开连接点（焊点）后,焊点要自然冷却,严禁用嘴吹或其他强制冷却 的方法。在焊料凝固过程中不受到任何外力的影响而改变位置。（5）、清洁焊面,首先检查有无漏焊、错焊、虚焊和假焊。对残留点周围的焊剂、油污和灰尘进行清洁。第五篇：电子元器件失效分析电子元器件失效分析 1.失效分析的目的和意义 电子元件失效分折的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象.分辨其失效模式和失效机理.确定其最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议。防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。失效

11、分折是产品可靠性工程的一个重要组成部分，失效分析广泛应用于确定研制生产过程中产生问题的原因，鉴别测试过程中与可靠性相关的失效，确认使用过程中的现场失效机理。在电子元器件的研制阶段。失效分折可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期；在电子器件的生产，测试和试用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元件失效的责任方。根据失效分析结果。元器件生产厂改进器件的设计和生产工艺。元器件使用方改进电路板设汁。改进元器件和整机的测试，试验条件及程序，甚至以此更换不合格的元器件供货商。因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度.提高器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。失效分折对元器件的生产和使用都有重

12、要的意义.如图所列。元器件的失效可能发生在其生命周期的各个阶段.发生在产品研制阶段，生产阶段到使用阶段的各个环节，通过分析工艺废次品，早期失效，实验失效及现场失效的失效产品明确失效模式、分折失效机理，最终找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的选择、整机计划等方面，元器件生产方在产品的可靠性方案设计过程，都必须参考失效分折的结果。通过失效分折，可鉴别失效模式，弄清失效机理，提出改进措施，并反馈到使用、生产中， 将提高元器件和设备的可靠性。2.失效分析的基本内容 对电子元器件失效机理，原因的诊断过程叫失效分析。进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的任务

13、是确定失效模式和失效机理.提出纠正措 施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。因此，失效分析的主要内容包括：明确分析对象。确定失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出预防措施（包括设计改进）。2.1 明确分析对象 失效分析首先是要明确分析对象及失效发生的背景。失效分析人员应该了解失效发生时的状况.确定在设计，生产，检测，储存，传送或使用哪个阶段发生的失效，如有可能，要知道失效发生时的现象以及失效发生前后的操作过程。在条件许可的情况下.尽可能的复现失效。2.2 确定失效模式 失效的表面现象或失效的表现形式就是失效模式。失效模式的确定通赏采用两种方法，即电学测试和显微镜现察。根据测试、观察到的

14、现象与效应进行初步分析，确定出现这些现象的可能原因，或者与失效样品的哪一部分有关；同时通过立体显微镜检查，观察失效样品的外观标志是否完整，是否存在机械损伤，是否有腐蚀痕迹等；通过电特性试，判断其电参数是否与原始数据相符.分析失效现象可能与失效样品中的哪一部分有关；利用金相显微镜和扫描电子显微镜等设备观察失效部位的形状，大小，位置，颜色，机械和物理结构，物理特性等，准确的描述失效特征模式。失效模式可以定位到电（如直流特性、漏电）或物理（如裂纹、侵蚀）失效特征，根据失效发生时的条件（如老化、静电放电、环境），结合先验知识，区分失效位置.减少诊断失效机理要求的工作量。2.3 判断失效原因 根据失效模

15、式，失效元器件的材料性质、制造工艺理论和经验，结合观察到的相应失效部位的形状、大小、位置、颜色以及化学组成、物理结构、物理特性等因素，参照失效发生的阶段、失效发生时的应力条件和环境条件，提出可能的导致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如设计缺陷，材料质量问题，制造过程问题、运输或储藏条件不当，在操作时的过载等，而大多数的失效包括一系列串行发生的事件。对一个复杂的失效，需要根据失效元器件和失效模式列出所有可能导致失效的原因，确定正确的分析次序，并且指出哪里需要附加的数据来支撑某个潜在性因素。失效分析时根据不同的可能性，逐个分折，最终发现问题的根源。2.4 研究失效机理 对于失效机理的研究是

16、非常重要的，需要更多的技术支撑。在确定失效机理时，需要选用有关的分析、试验和观测设备对失效样品进行仔细分析，验证失效原因的判断是否属实，并且能把整个失效的顺序与原始的症状对照起來，有时需要用合格的同种元器件进行类似的破坏实验，观察是否产生相似的失效现象。通过反复验证，确定真实的失效原因，以电子元器件失效机理的相关理论为指导。对失效模式、失效原因进行理论推理，并结合材枓性质、有关设 计和工艺理论及经验，提出在可能的失效条件下导致该失效模式产生的内在原因或具体物理化学过程。如存可能, 更应以分子、原了学观点加以阐明或解释。2.5提出预防措施及设计改进方法 根据分析判断。提出消除产生失效的办法和建议

17、，及时地反馈到设计、工艺、使用单位等各个方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出现。3 失效分析要求 随着科技水平的发展和工艺的进歩.电子产品越来越微型化、复杂化和系统化，而其功能却越来越强大，集成度越来越高，体积越来越小。随着科技的发展各种新材料、新器件也不断出现，对失效分析的要求也越来越高；用于失效分析的新技术，新方法和新设备也越来越多。但在实际的失效分析过程中，遇到的样品多种多样，失效情况也各不相同。因此，根据失效分析的目的与实际，选择合适的分析技术与方法，从大到小，从外到内，从非破坏到破坏，从定性到定量，使失效分析迅速、准确、可靠。电子元器件失效分析的就是要做到模式准确、原因明

18、确、机理清楚、措施得力、模拟再现、举一反三。3.1 模式准确 如前所述，失效模式是指失效的外在直观失效表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式。如开路、短路、参数漂移、功能失效等。模式准确，就是要将失效的性质和类型判断准确。失效模式的判断应首先从失效环境的分析入手，细心收集失效现场数据。失效现场数据反映了失效的外部环境，对确定失效的责任方有重要意义。有些看来与现场无直接关系的东西可能是决定性的。例如,失效现场数据表明，工作人操作无误，供电系统正常，而整机上的器件出现了早期失效，说明元器件生产厂应对元器件失效负责，应负责整改，排除工艺缺陷，提高产品可靠性。收集失效现场数据主要包

19、括：失效坏境、失效应力、失效发生期、失效现象及过程和失效样品在失效前后的电测量结果。失效环境包括：温度、湿度、电源环境，元器件在电路图上的位置、作用，工作条件和偏置状况。 失效应力包括：电应力、温度应力、机械应力、气候应力和辐射应力。如样品经可靠性试验而失效，需了解样品经受实验的应力种类和时间 失效发生期包括：失效样品的经历、失效时间、失效发生的阶段，如研制、生产、测试、试验、储存、使用等。3.2 原因明确 失效原因的判断通常是整个失效分析的核心和关键，对于确定失效机理，提出预防措施具有总要的意义。失效原因通常是指造成电子元器件失效的直接关键性因素，其判断建立在失效模式判断的基础上。通过失效原

20、因的分析判断，确定造成失效的直接关键因素处于设汁、材料、制造工艺、使用及环境的哪环节。失效现场数据为确定电子元器件的失效原因提供了重要线索。失效可分为早期失效、随机尖效和磨损失效。而早期失效主要由工艺缺陷、原材料缺陷、筛选不充分引起。随机失效主要由整机开关时的浪涌电流、静电放电、过电损伤引起。磨损失效主要由电子元器件自然老化引起。根据失效发生期，可估计失效原因，加快失效分析的进度。此外，根据元器件失效前或失效时所受的应力种类和强度，也可大致推测失效的原因，加快失效分析的进程。如表：然而失效原因的确定是相当复杂的,其复杂性表现为失效原因具有的一些特点。如原因的必要性、多样性、相关性、可变性和偶然

21、性，需要综合多方面情况及元器件特点进行。3.3 机理清楚 失效机理是指失效的物理、化学变化过程。微观过程可以追溯到原子、分子尺度和结构的变化，但与此相对的是它迟早也要表现出一系列宏现（外在的）性能，性质变化，如疲劳、腐蚀和过应力等。失效机理是对失效的内在本质、必然性和规律性的研究，是人们对失效内在本质认识的理论提高和升华。失效原因通常可以分为内因和外因两种.失效机理就是失效的内因。它是导致电子元器件发生失效的物理、化字或机械损伤过程。失效机理研是失效的深层次内因或内在本质.即酿成失效的必然性和规律性的研究。要清楚地判断元器件失效机理就必须对其失效机理有所了解和掌握。如在集成电路中金属化互连系统

22、可能存在着电迁移和应力迁移失效，这两种失效的物理机制是不同的，产生的应力条件也是不同的。对于失效机理的研究和判断需要可靠性物理方面的专业知识。3.4 措施得力，模拟再现，举一反三 措施得力，模拟再现，举一反三是建立在前面对失效模式、失效原因和失效机理深入分折和准确把握的基础上。当然制定预防措施也应考虑长远的手段和产品使用问题。 以及工程上的可行性、经济性等方面。模拟再现则要分折模拟的可能性和必要性，同时， 随着计算机技术的高速发展，计算机模拟仿真也成为模拟再现的一个重要手段。失效分析是一个复杂的、综合性的过程.它不仅仅只是失效分析工程师的工作.而且需要设计工程师、制造工程师、使用工程师的密切配

23、合。只有在各个方面的团结协作下，才能找到产品失效的真实原因，准确判断其失效机理，揭示引起产品失效的过程，起到改进产品设计，提高产品固有可靠性和使用可靠性目的。另外，为了得到一个成功的失效分析结果，避免犯一些常见的错误，所有可能涉及失效现象处理的人，都应该具备些处理故障现象的基本知识。1.保护实物证据 2.避免过多的加电测试 3. 保证失效元器件在到达失效分析工程师之前不再受到损伤 4.制定失效分析方案 5.确定失效现象 6. 失效分析的基本 失效分析应遵循先光学后电学、先面后点、先静态后动态、先非破坏后破坏、先一般后特殊、先公用后专用、先简单后复杂、先主要后次要的基本原则，反复测试、认真比较。

24、同时结合电子元器件结构、工艺特点进行分析，避免产生错判、误判。4 主要失效模式及其分布 电子元器件的种类很多，相应的失效模式和失效机理也很多。总体来说，电子元器件的失效主要是在产品的制造，试验，运输，储存和使用等过程中发生的。与原材料、设计、制造、使用密切相关。下图给出了一些电子元器件现场使用失效模式及其分布的数据统计结果：5. 失效的主要机理及其定义 失效机理是指引起电子元器件失效的实质原因，即引起电子元器件失效的物理或化学过程.通常是指由于设计上的弱点（容易变化和劣化的材料的组合）或制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生的失效及其机理。为了通过物理、化学的方法分析失效发生的现象，理

25、解和解释失效机理，需要提供模型或分析问题的思维方法，这就是失效物理模型。元器件的失效物理模型大致分为反应论模型、应力强度模型、界限模型、耐久模型、积累损伤（疲劳损伤）模型等.如下表所列。对于半导体元器件来说.失效机理通常有两种失效物理模型：反应论模型和应力强度模型。失效机理是电子元器件失效的物理或化学本质，从研究原始缺陷或退化进入失效点的物理过程。进一步确定导致失效的表面缺陷、体缺陷、结构缺陷。确定电学、金属学、化学及电磁学方面的机理。电子元器件种类繁多，导致失效的机理也很多，不同失效机理对应的失效摸式不一样。甚至相问的失效机在不同电子元器件导致的失效模式都不一样，因此需要在失效分析时认真对待

26、,严格区分。5.1 机械损伤 机械损伤在电子元器件制备电极及电机系统工艺中经常出现，如果在元器件的成品中，存在金属膜的划伤缺陷而末被剔除，则划伤缺陷将是元器件失效的因素，必将影响元器件的长期可靠性。5 .2結穿刺（结尖峰） 结穿刺即指PN结界面处为一导电物所穿透。在硅上制作欧姆接触时，铝-硅接触系统为形成良好的欧姆接触必须进行热处理，这时铝与硅相连接是通过450-550摄氏度热处理后在分立的点上合金化形 成的。在该合金化温度范围内，硅在铝的固溶度很大，但铝在硅中的固溶度要低很多，固溶度之差导致界面上的硅原子净溶解在铝中，同时界面上的铝也扩散到硅中填充硅中的空位。这就是在铝膜加工过程中，发生由于硅的局部溶解而产生的铝“穿刺”透入硅衬底问题的问题。结穿刺经常导致PN结短路失效。5.3 铝金属化再结构 由于铝与二氧化硅或硅的热膨胀系数不匹配，铝膜的热膨胀系数比二氧化硅或者硅大，党元器件在间歇工作过程中，温度变化或者高低温循环试验时，铝膜要受到张应力和压应力的影响，会导致铝金属化层的再结构。铝金属化层再结构经常表现为铝金属化层表面粗糙甚至表面发黑，显微镜下可见到表面小丘、晶须或皱纹等。5.4 金属化电迁移 当元器件工作时，金属互连线的铝条内有一定强度的电流流过，在电流作用下，金属离子沿导体移动，产生质量的传输，导致导体内某些部位产