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1、DPN结正偏电压较低。10.PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。APN结反偏较低，BPN结正偏电压较高，CPN结反偏较高，DPN结正偏电压较低。11.锗（硅）晶体二极管的正常工作电压约为。A0.7V， （）B0.5V，C0.1V，D0.2V。12.晶体三极管工作在放大（饱和、截止）状态的外部条件为。A.发射结正偏，集电结反偏， B.发射结反偏，集电结正偏，C.发射结正偏，集电结正偏， （饱）D.发射结反偏，集电结反偏。 （截）13.PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为 。A5V以下，B81000V，C58V，D10500V。14.硅（锗）晶体二极管的门坎电压（又称为死区电压）为。A0.

2、7V， B0.5V，C0.1V， （）D0.2V。15.对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为。A.200B.100C.150D.30016.当温度升高1oC时，晶体管的参数VBE将增大。A.（22.5）mV，B.（22.5）mV，C.（11.5）mV，D.（11.5）mV17.当温度升高1oC时，晶体管的参数将增大。A.0.5%，B.0.5%1.0%，C.0.5%2.0%， D.1.0%2.0% 18.三极管的电流分配关系为。A.IEIC+I BB.IEICIBC.ICIBIED.IBICIE19.晶体三极管放大作用的实质是。A.把微弱的电信号加以放大，B.以弱电流控制强电流，C

3、.以强电流控制弱电流，D.以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能。20.多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数 。A.的乘积，B.的和，C.的差，D.相除的商。21.多级放大电路的频率特性（响应）随着级数的增加而。A.变宽，B.变窄，C.变大，D.变小。22.fH （fL）称为放大电路的。A.截止频率，B.上限频率，C.下限频率， （）D.特征频率。23. f（fT）称为共发射极。A.截止频率， B.上限频率，C.下限频率， （）24. BJT（FET）又称为 。A.单极型晶体管， （）B.双极型晶体管， C.电子型晶体管，D.空穴型晶体管。 26.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙

4、类、负载电阻为理想值，忽略VCES时的效率约为 。A.30%，B.78.5%，C.60%，D.85%。27.甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生。A. 交越失真， B. 线性失真，C. 频率失真，D. 相位失真。28.甲乙（甲、乙）类功放电路晶体管的导通角为 。A.2，（甲）B.， （乙）C.2， D.1，B. AF （）C. AF 1，D. AF 0。33.在电源电压不变的情况下，提高OTL功率放大电路输出功率的有效方法是 。A.加接自举电路，B.改变工作状态， C.降低静态工作点，D.提高静态工作点。34.正弦波电压信号的数学表达式是 。A v（t）C，B CD35.如图所示

5、，设二极管是理想二极管，该电路A。A：VAO6V，二极管处于正偏导通状态。B：VAO12V，二极管处于反偏截止状态。C ：VAO6V，二极管处于反偏截止状态。D ：VAO12V，二极管处于正偏导通状态。36.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路B。VAO15V，二极管处于正偏导通状态。VAO15V，二极管处于反偏截止状态。37.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路C。VAO12V，D1正偏导通， D2反偏截止。VAO15V，D1反偏截止， D2正偏导通。VAO0V，D1正偏导通， D2反偏截止。VAO0V，。D2正偏导通， D1反偏截止。38.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路D。VA

6、O12V，D1反偏截止， D2正偏导通。VAO 6V ，D1正偏导通， D2反偏截止。VAO6V， D1反偏截止， D2正偏导通。39.有两个BJT，其中一个管子的 150，ICEO200 A,另一个管子的 50，ICEO10 A，其它参数一样，你选B。A： 150，ICEO200 A的管子。B： 50，ICEO10 A的管子。二、多选题（每空1分，共20分）40.桥式整流输出电压与电源变压器次级电压的关系为A，电容滤波电路输出电压与电源变压器次级电压的关系为C 。A.VL0.9V2， B.VL1.0V2，C.VL1.2V2， D.VL1.4V2。41.给乙类互补对称功率放大电路D，可消除E。

7、A.加一放大电路，B.加一很大的集电极电流，C.加一衰减电路，D.加一合适的静态工作点。E.交越失真，F.线性失真，G.频率失真， H.相位失真。42.晶体三极管内部载流子的运动规律为 B 、D、C。A. 基区向发射区注入载流子 B. 发射区向基区注入载流子C. 集电区收集载流子 D. 非平衡载流子在基区的扩散与复合E. 发射区收集载流子F. 载流子在发射区的扩散与复合43.BJT的制造工艺特点为: A、D、C。A. e区掺杂浓度最高，B.e区掺杂浓度最低，C.c区掺杂浓度适中，D.b区掺杂浓度最低且最薄，E.c区掺杂浓度最高，F.b区掺杂浓度最高且最薄。44.PNJ的单向导电性表现为: B、

8、C。APNJ反偏导通，BPNJ正偏导通，CPNJ反偏截止，DPNJ正偏截止。45.PN结又称为A、C、 和 E 。A空间电荷区，B电阻层，C耗尽层，D电位区，E势垒区，F扩散区。46.PN结的形成过程是: B 、 A 、 F 。A 少子的漂移运动， B 多子的扩散运动C多子与少子的相互作用， D 少子的扩散运动， E 多子的漂移运动， F 多子的扩散与少子的漂移运动达到动态平衡。 G多子的漂移与少子的扩散运动达到动态平衡。47.一般情况下，当信号源内阻远远小于放大电路输入电阻（即RsRi ）时，信号源 C 使用 更为有利。A. 电压源，B. 分压电路，C. 电流源，D. 集成运放。48.测得某

9、放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA9V，VB6V，VC6.2V，则 A，该管D。A为集电极，B为发射极，C基极；A为发射极，B为集电极，C基极；C：A为集电极，B基极；C为发射极， D: 为PNP管 E: 为NPN管49.某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图所示，用万用表电流档测得IA2mA，IB0.04mA，IC+2.04mA，该管为B，其中E。 A: 为PNP管 B: C：A为集电极，B为发射极，C基极； D：A为发射极，B为集电极，C基极； E：A为集电极，B基极；三、判断题（每题2分，共20分）50. 晶体二极管正向工作时也具有稳压作用。 （）51.晶体

10、二极管正向工作时没有稳压作用。 （）52.图a所示电路对正弦交流信号有放大作用。 （53.图a所示电路对正弦交流信号无放大作用。 （）54. 图b所示电路对正弦交流信号有放大作用。 （） 55. 图b所示电路对正弦交流信号无放大作用。 （）56. 晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后不可以恢复。（57.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后可以恢复。58.微变等效电路即可以分析放大电路的静态,也可以分析动态。 （）59.微变等效电路仅能分析放大电路的动态，不可以分析静态,。60.图1所示电路无直流负反馈。 （61. 图1所示电路有直流负反馈。62.图1所示电路有交流负反馈。63.图1所示电路无交

11、流负反馈。64.图2所示电路级间为交直流电压并联负反馈电路。 （65.图2所示电路级间为交流电压并联负反馈电路。 （66.图2所示电路级间为交直流电压串联负反馈电路。67.图2所示电路级间为交流电压串联负反馈电路。 （）68.图3所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 （）69. 图3所示电路为交直流电流并联负反馈电路。70. 图3所示电路为交直流电压串联负反馈电路。71. 图3所示电路为交流电流串联负反馈电路。 （72.图4所示电路为交直流电压并联负反馈电路。 （）73.图4所示电路为交直流电流并联负反馈电路。74.图4所示电路为交直流电压串联负反馈电路。75.图4所示电路为交直流电流串联负反

12、馈电路。76.图5所示电路为桥式振荡电路。77.图5所示电路为电容三点式振荡电路。 （）78.图5所示电路为电感三点式振荡电路。 （79.图5所示电路为RC振荡电路。80.图6所示电路为桥式振荡电路。）81.图6所示电路为电容三点式振荡电路。 （82.图6所示电路为电感三点式振荡电路。83.图6所示电路为RC移相振荡电路。 84.图7所示电路能产生正弦振荡。（85.图7所示电路不能产生正弦振荡。 （）86.图8所示电路能产生正弦振荡。 （）87.图8所示电路不能产生正弦振荡。88.集成运放的两个重要特征是虚短和虚断。 （）89.集成运放的两个重要特征是短路和断路。 （90.三端稳压器7812表

13、示输出的是正12V的直流电压。 （）91.三端稳压器7812表示输出的是负12V的直流电压。92.三端稳压器7915表示输出的是正15V的直流电压。 （93.三端稳压器7915表示输出的是负15V的直流电压。 （）94. 并联负反馈提高输入电阻。（95. 并联负反馈降低输入电阻。（）96. 串联负反馈降低输入电阻。97. 串联负反馈提高输入电阻。98. 电压负反馈降低输出电阻。99. 电压负反馈提高输出电阻。100. 电流负反馈提高输出电阻。101. 电流负反馈降低输出电阻。（四、作图题（每小题5分，共10分）102.请画出图9所示电路的交流通路。103.请画出图9所示电路的直流通路。104.

14、请画出图9所示电路的h参数等效电路，说明简化的条件，并画出微变等效电路。当hre、hoe很小时，对电路的影响可忽略不计，用rbe代替hie， 代替hfe， H参数等效电路可以简化为微变等效电路。105.请画出图10所示电路的交流通路。106.请画出图10所示电路的直流通路。107.请画出图10所示电路的h参数等效电路，说明简化的条件，并画出微变等效电路。 五、计算题（共20分）108.如图9所示，Rb500k，Rc4k，VCC12V，80，VBE0.7V，试计算电路的静态工作点。（6分）109.假设晶体管的50，Rc RL4k ,rbe1.2k，计算图10所示电路的电压放大倍数，输入电阻，输出

15、电阻。（6分） 110. 如图11所示，假设Rb185k，Rb225k，Re2k，RcRL4k，VCC21V，50，VBE0.7V，试计算电路的静态工作点。（8分）111.假 设 图 1 2 晶 体 管 的 50， RcR L4k，VCC21V，Ic1.262mA，计算所示电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。112.如图13所示，假设VI24V，VZ6V，R3R4Rp300，试计算该电路的输出电压调整范围。当Rp0时，VoVZ（R3+R4+Rp）/R 4VoVomax6（300300300）/30018V p Rp 300时，VoVominVZ（R3+R4+Rp）/（R 4+Rp） 6（3

16、00+300+300）/（300+300）9V 解： 由VNVP可得：VFVREFVZ， 又所以， VoVZ（R1+R2+R p）/（R2+Rp）113.如图14所示，假设VI 24V，VZ6V，R1R2Rp200，试计算该电路的输出电压调整范围。VoVZ（R1+R2+Rp）/R2VoVomax6（200200200）/200 18V p200时，VoVomin6（200+200+200）/（200+200）9V114.计算集成运放电路的输出电压。115.射极输出器放大倍数、输入、输出电阻的计算。116.根据所给条件和要求，设计放大电路：a.定基流偏置电路b.分压式电流负反馈偏置电路1对于一个

17、PN结，当P区电位高于N区时 导通 ，N区电位高于P区时 截止 。2BJT的电流放大作用是指基极电流变化，这个变化量 在集电极电路 重现的过程。BJT在放大时内部载流子的传输过程为 ；发射区向基区注入载流子，载流子在基区的扩散与复合，集电结收集载流子；3图解分析法适用于 低频大信号 ，小信号模型分析法适用于 低频小信号 4. 常利用集成运放 虚短 和 虚断 这两个概念分析各种运放的线性工作情况。5. 要增大放大电路的输入电阻,降低放大电路的输出电阻，需引入的反馈组态为电压串联负反馈6. 在OTL电路中，电源电压正常时常用测对发射极的对地电压是否为 1/2Vcc 来判断直流状态是否正常，如直流状

18、态正常，电路的故障一般在耦合电容或旁路电容元件上。7. 共集电极电路可用在输入、输出或中间级，共基电路常用在高频电路。8. 稳压管工作在反向击穿区，其两端电压的很小变化会引起电流的 很大变化 9石英晶体在组成振荡器时可作为短路线或用作电感例7.4.2BJT射极偏置电路如图（7.4.2a）所示，其交流通路如图（7.4.2b）所示（略去直流偏置电路）。试近似计算它的电压放大倍数（增益）。解：（1）分析反馈组态。利用瞬时极性法分析可知，该电路为电流串联负反馈电路。（2）根据交流通路，利用虚短的概念，可直接计算其电压放大倍数（增益）为已知：R、RF、 ui1 、 ui2 。求：（1） uo2与ui1 、 ui2间的关系式； （2） R ， R + RF R uo1 uo2 ui2 ui1 R R