模拟电子技能技术总结基本概念复习题及答案Word格式.docx

1、32、 增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流iD必为零。33、 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。34、 集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。35、 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。36、 集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。37、 镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。38、 共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。39、 对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模输入交流通路中，长尾电阻Re一概可视为短路。40、 用电流源代替Re后电路的差模电压放大倍数增

2、加。41、 带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。42、 集成运放的输入失调电压VIO是两输入端电位之差。43、 反馈量仅仅决定于输出量。44、 稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。45、 若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。46、 稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。47、 任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。48、 反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。49、 共集放大电路AuUE；UBUC

3、BUBUBUEDVC4T/2（T为电网电压的周期），测得输出电压平均值UO（AV）可能的数值为：A14VB12VC9VD4.5V（1）正常情况下UO（AV）（B）；（2）电容虚焊时UO（AV）（9）；（3）负载开路时UO（AV）（A）；（4）一只整流管和电容同时开路时UO（AV）（D）；73、 单相桥式整流电路中，若有一只二极管接反，则（C）。A输出电压约为2UDB变为半波直流C整流管将因电流过大而烧坏。三、填空题（答案附后）1、 频率失真是由于放大电路的不够宽引起的，非线性失真是由于放大器件的特性引起的。2、 工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是虚短，虚断。理想集成运算放大器的放大倍

4、数Av?，输入电阻ri?，输出电阻ro?3、 比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。4、 集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_。负反馈5、 在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。6、 本征半导体是，其载流子是和，两种载流子的浓度。7、 当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极。8、 当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。9、 PN结的P区接电源的正极，N区接负极称PN结为。10、 二极管的正向电阻，反向电阻，故二极管最主要的特性是。11、 硅二极管导通后，其管压降是基本不变的，典型值为伏；其门坎电压Uth约为伏。12、 一般

5、硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要。13、 二极管最主要的特性是_，它的两个主要参数是反映正向特性的_和反映反向特性的_。14、 三极管能起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度，基区掺杂浓度比发射区掺杂浓度，基区宽度。15、 BJT的输出特性上可划分为三个区分别、。16、 当温度升高时，双极型三管的将，反向饱和电流ICEO。17、 当温度升高时，双极性三极管的正向结压降VBE?18、 BJT工作在放大区的外部条件是：19、 BJT工作在饱和区时二个PN结的偏置情况为：发射结，集电结。20、 测得某电路中NPN管得BE0.7V，CE0.2V，由此可判定它工作在_区。21、 在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型（是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管）,并区分e、b、c三个电极。A管；B管；C管。22、 放大电路中动态工作点在负载线上移动。23、 双极型三极管是控制型