应变片单臂特性实验文档格式.docx

1、对式（11）全微分得电阻变化率 dR/R为： （12）式中：dL/L为导体的轴向应变量L; dr/r为导体的横向应变量r由材料力学得： L= - r （13）为材料的泊松比，大多数金属材料的泊松比为左右；负号表示两者的变化方向相反。将式（13）代入式（12）得： （14）式（14）说明电阻应变效应主要取决于它的几何应变（几何效应）和本身特有的导电性能（压阻效应）。2、应变灵敏度 它是指电阻应变片在单位应变作用下所产生的电阻的相对变化量。 （1）、金属导体的应变灵敏度K：主要取决于其几何效应；可取 （15）其灵敏度系数为：K= 金属导体在受到应变作用时将产生电阻的变化，拉伸时电阻增大，压缩时电阻

2、减小，且与其轴向应变成正比。金属导体的电阻应变灵敏度一般在2左右。 （2）、半导体的应变灵敏度：主要取决于其压阻效应；dR/Rd。半导体材料之所以具有较大的电阻变化率，是因为它有远比金属导体显著得多的压阻效应。在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电机理，使得它的电阻率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应 。且不同材质的半导体材料在不同受力条件下产生的压阻效应不同，可以是正（使电阻增大）的或负（使电阻减小）的压阻效应。也就是说，同样是拉伸变形，不同材质的半导体将得到完全相反的电阻变化效果。 半导体材料的电阻应变效应主要体现为压阻效应，可正可负，与材料性质和应

3、变方向有关，其灵敏度系数较大，一般在100到200左右。3、贴片式应变片应用在贴片式工艺的传感器上普遍应用金属箔式应变片，贴片式半导体应变片（温漂、稳定性、线性度不好而且易损坏）很少应用。一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出半导体电阻应变薄膜（扩散出敏感栅），制成扩散型压阻式（压阻效应）传感器。本实验以金属箔式应变片为研究对象。4、箔式应变片的基本结构应变片是在用苯酚、环氧树脂等绝缘材料的基板上，粘贴直径为左右的金属丝或金属箔制成，如图11所示。（a） 丝式应变片 （b） 箔式应变片图11应变片结构图金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件，与

4、丝式应变片工作原理相同。电阻丝在外力作用下发生机械变形时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应，描述电阻应变效应的关系式为： RRK 式中：RR为电阻丝电阻相对变化，K为应变灵敏系数,=L/L为电阻丝长度相对变化。5、测量电路 为了将电阻应变式传感器的电阻变化转换成电压或电流信号，在应用中一般采用电桥电路作为其测量电路。电桥电路具有结构简单、灵敏度高、测量范围宽、线性度好且易实现温度补偿等优点。能较好地满足各种应变测量要求，因此在应变测量中得到了广泛的应用。电桥电路按其工作方式分有单臂、双臂和全桥三种，单臂工作输出信号最小、线性、稳定性较差；双臂输出是单臂的两倍，性能比单臂有所改善；全桥工作时

5、的输出是单臂时的四倍，性能最好。因此，为了得到较大的输出电压信号一般都采用双臂或全桥工作。基本电路如图12（a）、（b）、（c）所示。（a）单臂 （b）半桥 （c）全桥图12 应变片测量电路（a）、单臂UoUU（R4R4）（R4R4R3）R1（R1R2）E（R1R2）（R4R4）R1（R3R4R4）（R3R4R4）（R1R2）E设R1R2R3R4，且R4R4RR1，RRK。则Uo（14）（R4R4）E（14）（RR）E（14）KE（b）、双臂（半桥）同理:Uo（12）（RR）E（12）KE（C）、全桥Uo（RR）EKE6、箔式应变片单臂电桥实验原理图 图13 应变片单臂电桥实验原理图图中R1、

6、R2、R3为350固定电阻，R4为应变片； W1和r组成电桥调平衡网络，供桥电源直流4V。桥路输出电压Uo（14）（R4R4）E（14）（RR）E（14）KE 。三、需用器件与单元：机头中的应变梁的应变片、测微头；显示面板中的F/V表（或电压表）、2V10V步进可调直流稳压电源；调理电路面板中传感器输出单元中的箔式应变片、调理电路单元中的电桥、差动放大器； 4位数显万用表（自备）。四、需用器件与单元介绍：1、图14调理电路面板中的电桥单元。图中：菱形虚框为无实体的电桥模型（为实验者组桥参考而设，无其它实际意义）。R1=R2=R3=350是固定电阻，为组成单臂应变和半桥应变而配备的其它桥臂电阻。

7、W1电位器、r电阻为电桥直流调节平衡网络，W2电位器、C电容为电桥交流调节平衡网络。图14电桥面板图2、图15为差动放大器原理图与调理电路中的差动放大器单元面板图。图15 差动放大器原理与面板图左图是原理图，A是差动输入的放大器；右图为面板图。3、附：测微头的组成与使用：测微头组成和读数如下图16所示。图16测位头组成与读数测微头组成： 测微头由不可动部分中的安装套（应变梁的测微头无安装套）、轴套和可动部分中的测杆、微分筒、微调钮组成。测微头读数与使用：测微头的安装套便于在支架座上固定安装，轴套上的主尺有两排刻度线，标有数字的是整毫米刻线（1格），另一排是半毫米刻线格）；微分筒前部圆周表面上刻

8、有50等分的刻线格）。用手旋转微分筒或微调钮时，测杆就沿轴线方向进退。微分筒每转过1格，测杆沿轴方向移动微小位移毫米，这也叫测微头的分度值。测微头的读数方法是先读轴套主尺上露出的刻度数值，注意半毫米刻线；再读与主尺横线对准微分筒上的数值、可以估读110分度，如图16甲读数为，不是；遇到微分筒边缘前端与主尺上某条刻线重合时，应看微分筒的示值是否过零，如图16乙已过零则读；如图16丙未过零，则不应读为，读数应为。测微头使用：测微头在实验中是用来产生位移并指示出位移量的工具。一般测微头在使用前，首先转动微分筒到10处（为了保留测杆轴向前、后位移的余量），再将测微头轴套上的主尺横线面向自己安装到专用支

9、架座上，移动测微头的安装套（测微头整体移动）使测杆与被测体连接并使被测体处于合适位置（视具体实验而定）时再拧紧支架座上的紧固螺钉。当转动测微头的微分筒时，被测体就会随测杆而位移。五、实验步骤：1、在应变梁自然状态（不受力）的情况下，用4位数显万用表2k电阻档测量所有应变片阻值；在应变梁受力状态（用手压、提梁的自由端）的情况下，测应变片阻值，观察一下应变片阻值变化情况（标有上下箭头的4片应变片纵向受力阻值有变化；标有左右箭头的2片应变片 横向不受力阻值无变化，是温度补偿片）。如下图17所示。图17观察应变片阻值变化情况示意图2、差动放大器调零点：按下图18示意接线。将FV表（或电压表）的量程切换

10、开关切换到2V档，合上主、副电源开关，将差动放大器的增益电位器按顺时针方向轻轻转到底后再逆向回转一点点（放大器的增益为最大，回转一点点的目的：电位器触点在根部估计会接触不良），调节差动放大器的调零电位器，使电压表显示电压为零。差动放大器的零点调节完成，关闭主电源。图18 差放调零接线图3、应变片单臂电桥特性实验：将10V步进可调直流稳压电源切换到4V档，将主板上传感器输出单元中的箔式应变片（标有上下箭头的4片应变片中任意一片为工作片）与电桥单元中R1、R2、R3组成电桥电路，电桥的一对角接4V直流电源，另一对角作为电桥的输出接差动放大器的二输入端，将W1电位器、r电阻直流调节平衡网络接入电桥中

11、（W1电位器二固定端接电桥的4V电源端、W1的活动端r电阻接电桥的输出端），如图19示意接线（粗细曲线为连接线）。图19 应变片单臂电桥特性实验原理图与接线示意图检查接线无误后合上主电源开关，当机头上应变梁自由端的测微头离开自由端（梁处于自然状态，图17机头所示）时调节电桥的直流调节平衡网络W1电位器，使电压表显示为0或接近0。 在测微头吸合梁的自由端前调节测微头的微分筒，使测微头的读数为10mm左右（测微头微分筒的0刻度线与测微头轴套的10mm刻度线对准）；再松开测微头支架轴套的紧固螺钉，调节测微头支架高度使梁吸合后进一步调节支架高度，同时观察电压表显示绝对值尽量为最小时固定测微头支架高度（

12、拧紧紧固螺钉，图19机头所示）。仔细微调测微头的微分筒使电压表显示值为0（梁不受力处于自然状态），这时的测微头刻度线位置作为梁位移的相对0位位移点。首先确定某个方向位移，以后每调节测微头的微分筒一周产生位移，根据表1位移数据依次增加并读取相应的电压值填入表1中；然后反方向调节测微头的微分筒使电压表显示0V（这时测微头微分筒的刻度线不在原来的0位位移点位置上，是由于测微头存在机械回程差，以电压表的0V为标准作为0位位移点并取固定的相对位移X消除了机械回程差），再根据表1位移数据依次反方向增加并读取相应的电压值填入表1中。注：调节测微头要仔细，微分筒每转一周X=；如调节过量再回调，则产生回程差。表1 应变片单臂电桥特性实验数据：位移（mm）+电压（mV）根据表1数据画出实验曲线并计算灵敏度SV/X（V输出电压变化量，X位移变化量）和非线性误差（用最小二乘法），=m/yFS 100式中m为输出值（多次测量时为平均值）与拟合直线的最大偏差：yFS满量程输出平均值，此处为相对总位移量。实验完毕，关闭电源。六、思考题：1、R转换成V输出用什么方法2、根据图4机头中应变梁结构，梁的自由端往下施力时上、下梁片中应变片的应变方向（是拉还是压）。3、还可以用什么方法消除测微头的机械回程差提示：实验步骤中不设0位位移点，直接从位移最大处单方向调节测微头。