S3C2440学习笔记存储控制器文档格式.docx

1、MT16:15:设置BANK外接ROM/SRAM还是SDRAM，00=ROM/SRAM，01=保留，10=保留，11=SDRAMMT=0b00时，与BANKCON0-BANKCON5类似MT=0b11时，Trcd3:2:RAS to CAS delay，设为推荐值0b01SCAN1:0:SDRAM的列地址数，本开发板使用的SDRAM列地址数为9，0b00=8位，0b01=9位，0b10=10位所以本开发板，BANKCON6/7均设为0x000180054）刷新控制寄存器REFRESHREFEN23: 0=禁止SDRAM的刷新功能，1=开启SDRAM的刷新功能TREFMD22: SDRAM的刷新

2、模式，0=CBR/Auto Refresh，1=SelfRefreshTrp21:20: SDRAM RAS预充电时间 00=2 clocks，01=3clocks，10=4clocks，11=不支持Tsrc19:18: SDRAM半行周期时间 00=4clocks，01=5clocks，10=6clocks，11=7clocks，SDRAM行周期时间Trc=Tsrc+TrpRefresh Counter10: SDRAM刷新计数，刷新时间=（211+1-refresh_count）/HCLK，在未使用PLL时，HCLK=晶振频率12MHz，刷新周期为7.8125usrefresh_count

3、=211+1-12*7.8125=1955REFRESH=0x008C0000+1955=0x008C07A35）BANKSIZE寄存器BURST_EN7: 0=ARM核禁止突发传输，1=ARM核支持突发传输SCKE_EN5: 0=不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式，1=使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式SCLK_EN4: 0=时刻发出SCLK信号，1=仅在方位SDRAM期间发出SCLK信号BK76MAP2: 设置BANK6/7的大小，0b010=128MB/128MB，0b001=64MB/64MB，0b000=32M/32M，0b111=16M/16M，0b110=8M/8M

4、，0b101=4M/4M，0b100=2M/2M本开发板外接64MB的SDRAM则本开发板BANKSIZE设为0xB16）SDRAM模式设置寄存器MRSRBx（x为6-7）CL6:4: 0b000=1clocks,0b010=2clocks,0b011=3clocks本开发板取0b011，所以MRSRB6/7取值为0x30二、存储控制器操作实例：使用SDRAM从NAND Flash启动CPU时，CPU会通过内部的硬件将NAND Flash开始的4KB数据复制到成为Steppingstone的4KB的内部RAM（起始地址为0）中，然后跳到地址0开始执行。本程序先设置好存储控制器，使外接的SDRA

5、M可用，然后把程序本身从steppingstone复制到SDRAM中，最后跳到SDRAM中执行head.S：1. *2. 3. File：head.S4. 5. 功能：设置SDRAM，将程序复制到SDRAM，然后跳到SDRAM继续执行6. 7. *8. 9. 10. .equMEM_CTL_BASE,0x48000000存储控制器寄存器基址11. .equSDRAM_BASE,0x30000000SDRAM起始地址12. 13. .text14. .global_start15. 16. _start:17. 18. bldisable_watch_dog关闭WATCHDOG，否则CPU会不断

6、重启19. 20. memsetup设置存储控制器21. 22. copy_steppingstone_to_sdram复制代码到SDRAM中23. 24. ldrpc,=on_sdram跳到SDRAM中继续执行25. 26. on_sdram:27. 28. sp,=0x34000000设置堆栈29. 30. main31. 32. halt_loop:33. 34. bhalt_loop35. 36. disable_watch_dog:37. 38. 往WATCHDOG寄存器写0即可39. 40. movr1,#0x5300000041. 42. r2,#0x043. 44. strr1

7、45. 46. lr返回47. 48. 49. copy_steppingstone_to_sdram:50. 51. 将Steppingstone的4K数据全部复制到SDRAM中去52. 53. Steppingstone起始地址为0x00000000，SDRAM中起始地址为0x3000000054. 55. 56. #057. 58. =SDRAM_BASE59. 60. r3,#4*102461. 62. 1:63. 64. r4,r1,#4从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加465. 66. r2,#4将此4字节的数据复制到SDRAM中，并让目地地址加467. 6

8、8. cmpr3判断是否完成：源地址等于Steppingstone的未地址？69. 70. bne1b若没有复制完，继续71. 72. 73. 74. 75. memsetup:76. 77. 设置存储控制器以便使用SDRAM等外设78. 79. 80. #MEM_CTL_BASE存储控制器的13个寄存器的开始地址81. 82. adrlmem_cfg_val这13个值的起始存储地址83. 84. add#5213*4=5485. 86. 1:87. 88. r2,#4读取设置值，并让r2加489. 90. r1,将此值写入存储控制寄存器，并让r1加491. 92. 判断是否设置完所有13个寄

9、存器93. 94. 若没有写成，继续95. 96. 97. 98. 99. 100. .align4101. 102. mem_cfg_val:103. 104. 存储控制器13个寄存器的设置值105. 106. .long0x22011110BWSCON107. 108. 0x00000700BANKCON0109. 110. BANKCON1111. 112. BANKCON2113. 114. BANKCON3115. 116. BANKCON4117. 118. BANKCON5119. 120. 0x00018005BANKCON6121. 122. BANKCON7123. 124

10、. 0x008C07A3REFRESH125. 126. 0x000000B1BANKSIZE127. 128. 0x00000030MRSRB6129. 130. MRSRB7leds.c1. #defineGPBCON（*（volatileunsignedlong*）0x56000010）2. #defineGPBDAT*）0x56000014）3. 5. #defineGPB5_out（10;dly-）;14. 15. 16. 17. intmain（void）18. 20. unsignedi22. GPBCONGPB5_out|GPB6_out|GPB7_out|GPB8_out;/将LED1-4对应的GPB5/6/7/8四个引脚设为输出24. while（1）26. wait（30000）;28. GPBDAT（i sdram.disclean:rm -f sdram.dis sdram.bin sdram_elf *.o分别汇编head.S和leds.c连接leds.o和head.o，指定代码段起始地址0x30000000（SDRAM首地址）最后转换ELF为二进制，导出汇编代码