1、73.438.8行 列 点 阵 数12864dots点 距 离0.520.52点 大 小0.480.48二、模块引脚说明128X64 引脚说明引脚号引脚名称方向功能说明1VSS-模块的电源地2VDD模块的电源正端3V0LCD驱动电压输入端4RS(CS)H/L并行的指令/数据选择信号;串行的片选信号5R/W(SID)并行的读写选择信号;串行的数据口6E(CLK)并行的使能信号;串行的同步时钟7DB0数据08DB1数据19DB2数据210DB3数据311DB4数据412DB5数据513DB6数据614DB7数据715PSB并/串行接口选择:H-并行;L-串行16NC空脚17/RET复位 低电平有效
2、1819LED_A背光源正极(LED+5V)20LED_K背光源负极(LED-OV)逻辑工作电压(VDD):4.55.5V电源地(GND):0V工作温度(Ta):060(常温) / -2075(宽温)三、接口时序模块有并行和串行两种连接方法(时序如下):8位并行连接时序图MPU写资料到模块MPU从模块读出资料2、串行连接时序图串行数据传送共分三个字节完成:第一字节:串口控制格式 11111ABC A为数据传送方向控制:H表示数据从LCD到MCU,L表示数据从MCU到LCD B为数据类型选择:H表示数据是显示数据,L表示数据是控制指令 C固定为0第二字节:(并行)8位数据的高4位格式 DDDD0
3、000第三字节:(并行)8位数据的低4位格式 0000DDDD串行接口时序参数:(测试条件:T=25 VDD=4.5V)四、用户指令集1、指令表1:(RE=0:基本指令集)指令指令码说明执行时间(540KHZ)RSRW清除显示将DDRAM填满“20H”,并且设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H”4.6ms地址归位X设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H”,并且将游标移到开头原点位置;这个指令并不改变DDRAM的内容进入点设定I/DS指定在资料的读取与写入时,设定游标移动方向及指定显示的移位72us显示状态开/关DCBD=1:整体显示ONC=1:游标ONB=1:游标位置ON游标或显
4、示移位控制S/CR/L设定游标的移动与显示的移位控制位元;功能设定DLREDL=1 (必须设为1)RE=1: 扩充指令集动作RE=0: 基本指令集动作设定CGRAM地址AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定CGRAM地址到地址计数器(AC)设定DDRAM地址AC6设定DDRAM地址到地址计数器(AC)读取忙碌标志(BF)和地址BF读取忙碌标志(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出地址计数器(AC)的值0us写资料到RAMD7D6D5D4D3D2D1D0写入资料到内部的RAM(DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM)读出RAM的值从内部RAM读取资料(DDRAM/CGRAM/IR
5、AM/GDRAM)指令表2:(RE=1:扩充指令集)待命模式卷动地址或IRAM地址选择SRSR=1:允许输入垂直卷动地址SR=0:允许输入IRAM地址反白选择R1R0选择4行中的任一行作反白显示,并可决定反白与否睡眠模式SLSL=1:脱离睡眠模式SL=0:进入睡眠模式扩充功能设定GG=1 :绘图显示ONG=0 :绘图显示OFF设定IRAM地址或卷动地址AC5AC0为垂直卷动地址AC3AC0为ICON IRAM地址设定绘图RAM地址备注:1、当模块在接受指令前,微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态,即读取BF标志时BF需为0,方可接受新的指令;如果在送出一个指令前并不检查BF标志,那么在前一
6、个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间,即是等待前一个指令确实执行完成,指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元,当变更“RE”位元后,往后的指令集将维持在最后的状态,除非再次变更“RE”位元,否则使用相同指令集时,不需每次重设“RE”位元。具体指令介绍:1、清除显示CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LH功能:清除显示屏幕,把DDRAM位址计数器调整为“00H”2、位址归位把DDRAM位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM3、位址归位把DDRAM位址计数器调
7、整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM功能:执行该命令后,所设置的行将显示在屏幕的第一行。显示起始行是由Z地址计数器控制的,该命令自动将A0-A5位地址送入Z地址计数器,起始地址可以是0-63范围内任意一行。Z地址计数器具有循环计数功能,用于显示行扫描同步,当扫描完一行后自动加一。4、显示状态 开/关 B D=1;整体显示ON C=1;游标ON B=1;5、游标或显示移位控制 X设定游标的移动与显示的移位控制位:6、功能设定0 REDL=1(必须设为1) RE=1;扩充指令集动作 RE=0:基本指令集动作7、设定CGRAM位址 AC0设定CGRAM位址到位址计数器(AC)8、设
8、定DDRAM位址设定DDRAM位址到位址计数器(AC)9、读取忙碌状态(BF)和位址读取忙碌状态(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值10、写资料到RAM D0写入资料到内部的RAM(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)11、读出RAM的值从内部RAM读取资料(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)12、 待命模式(12H) H进入待命模式,执行其他命令都可终止待命模式13、卷动位址或IRAM位址选择(13H) SRSR=1;允许输入卷动位址 SR=0;允许输入IRAM位址 14、反白选择(14H) R0选择4行中的任一行作反白显示,并可决定反白
9、的与否15、睡眠模式(015H)SL=1;脱离睡眠模式 SL=0;16、扩充功能设定(016H)1 RE LRE=1;扩充指令集动作 RE=0;基本指令集动作 G=1;绘图显示ON G=0;17、设定IRAM位址或卷动位址(017H) AC0 功能:AC5AC0为垂直卷动位址 SR=0;AC3AC0写ICONRAM位址18、设定绘图RAM位址(018H)设定GDRAM位址到位址计数器(AC)五、显示坐标关系1、图形显示坐标水平方向X以字节单位 垂直方向Y以位为单位2、汉字显示坐标 X坐标Line180H81H82H83H84H85H86H87HLine290H91H92H93H94H95H96
10、H97HLine388H89H8AH8BH8CH8DH8EH8FHLine498H99H9AH9BH9CH9DH9EH9FH3、字符表代码(02H-7FH)六、显示RAM1、文本显示RAM(DDRAM)文本显示RAM提供8个4行的汉字空间,当写入文本显示RAM时,可以分别显示CGROM、HCGROM与CGRAM的字型;ST7920A可以显示三种字型 ,分别是半宽的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。三种字型的选择,由在DDRAM中写入的编码选择,各种字型详细编码如下:显示半宽字型 :将一位字节写入DDRAM中,范围为02H-7FH的编码。显示CGRAM字型:将两字节编码写入D
11、DRAM中,总共有0000H,0002H,0004H,0006H四种编码显示中文字形:将两字节编码写入DDRAMK ,范围为A1A0H-F7FFH(GB码)或A140H-D75FH(BIG5码)的编码。绘图RAM(GDRAM)绘图显示RAM提供1288个字节的记忆空间,在更改绘图RAM时,先连续写入水平与垂直的坐标值,再写入两个字节的数据到绘图RAM,而地址计数器(AC)会自动加一;在写入绘图RAM的期间,绘图显示必须关闭,整个写入绘图RAM的步骤如下:1、关闭绘图显示功能。2、先将水平的位元组坐标(X)写入绘图RAM地址;再将垂直的坐标(Y)写入绘图RAM地址;将D15D8写入到RAM中;将D7D0写入到RAM中;打开绘图显示功能。绘图显示的缓冲区对应分布请参考“显示坐标”游标/闪烁控制ST7920A提供硬件游标及闪烁控制电路,由地址计数器(address counter)的值来指定DDRAM中的游标或闪烁位置。八、中文字符表:*文档结束*
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