《GB 专用半透明 衰减移掩模版及掩模基板特性描述规范》标准全文及编制说明.docx

1、GB 专用半透明 衰减移掩模版及掩模基板特性描述规范标准全文及编制说明ISC GB 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T XXXX - 20 idt SEMI P29-0997 专用半透明/衰减移掩模版及掩模基板特性描述规范 Specification for description of characteristics specific to halftone/attenuated phase shift mask and mask blanks （送审稿）/(报批稿) 20XX- - 发布 20XX- - 实施 国家标准化管理委员会 发布 前言 本标准等同采用1997年SE

2、MI标准版本 微型构图 部分中的 SEMI P29-0997专用半透明/衰减移掩模版及有半透明/衰减膜的空白掩模基板特性描述指南（Guideline for description of characteristics specific to halftone/attenuated phase shift mask and mask blanks）。 SEMI标准是国际上公认的一套半导体设备和材料国际标准，SEMI P29-0997专用半透明/衰减移掩模版及有半透明/衰减膜的空白掩模基板特性描述指南是其中的一项，它将与如下已经转化的十一项国际标准: GB/T 15870-1995 硬面光掩模基

3、板(SEMI P1-92); GB/T 15871-1995 硬面光掩模用铬薄膜(SEMI P2-86); GB/T 16527-1996 硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂(SEMI P3-90); GB/T 16523-1996 圆形石英玻璃光掩模基板(SEMI P4-92); GB/T 16524-1996 光掩模对准标记规范(SEMI P6-88); GB/T 16878-1997 用于集成电路制造技术的检测图形单元规范(SEMI P19-92); GB/T 16879-1997 掩模曝光系统精密度和准确度表示准则(SEMI P21-92); GB/T 16880-1997 光掩模缺陷

4、分类和尺寸定义的准则(SEMI P22-93)； GB/T 17864-1999 关键尺寸(CD)计量方法（SEMI P24-94）； GB/T 17865-1999 焦深与最佳聚焦的测量规范（SEMI P25-94）； GB/T 17866-1999 掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则SEMI P23-93；以及与本标准同时转化的光致抗蚀剂灵敏度测量所涉及的参数规范（SEMI P26-96）、基片上抗蚀剂膜厚度测量所涉及的参数规范（SEMI P27-96）、集成电路制造中套刻检测图形规范（SEMI P28-96）、专用半透明/衰减移掩模版及有半透明/衰减膜的空白掩

5、模基板特性描述指南(SEMI P29-0997)、用于测量关键尺寸（CD）的扫描电子显微镜(SEM)参数描述及术语规范（SEMI P30-0997）、化学放大光致抗蚀剂的工艺参数描述规范(SEMI P31-0997)等五项SEMI标准及新制订的用于先进集成电路光刻工艺综合评估的图形规范形成一个国家标准微型构图系列。 本标准是根据 SEMI 标准SEMI P29-0997专用半透明/衰减移掩模版及有半透明/衰减膜的空白掩模基板特性描述指南制定的。 在技术内容上等同地采用了该国际标准。 本标准从20XX年XX月XX日实施。 本标准由中国科学院提出。 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会归口

6、。 本标准起草单位: 中国科学院微电子研究所。 本标准主要起草人: 陈宝钦、陈森锦、王 琴、李新涛、刘 明。 目 次 前言 1 范围 . 1 2 引用标准. 1 3 术语 . 1 4 掩摸结构 . 3 5 薄膜厚度 . 3 6 薄膜材料 . 5 7 曝光波长 . 5 8 透射率 . 5 9 相位差 . 5 10 反射率 . 5 11 不透明环形区规范 . 5 12 腐蚀特性 . 5 13 电导率 . 5 14 缺陷 . 5 15 定购信息 . 5 16 抽样 . 6 17 相关标准 . 6 附录A : . 7 中华人民共和国国家标准 专用半透明/衰减移掩模版及掩模基板特性表述规范 GB/T X

7、XXX-20XX idt SEMI P29-0997 Specification for description of characteristics specific to halftone/attenuated phase shift mask and mask blanks 1 范围1.1 本标准规定半透明/衰减移相掩模和掩模基板的特性。1.2 本标准的目的是提供供应商和用户一致同意的移相掩模和掩模基板规范的基本准则。由于移相掩模仍在发展之中，所以可能需要继续开展研究，本标准有可能根据技术发展进行修订。1.3 本标准适用于g线、i线、KrF、 ArF和/或DUV波长的半透明/衰减移相掩模

8、和掩模基板。这类掩模可称做半透明或衰减移相掩模，本标准统称为“半透明移相掩模。”1.5 凡是本标准未述及的条款，应符合国家标准GB/T 15870-1995 硬面光掩模基板之规定。2 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时， 所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本 的可能性。GB/T 15870-1995 硬面光掩模基板GB/T 16527-1996 硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂GB/T 16880-1997 光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则 3 术语3.1 一般表述术语3.1.1 移相掩摸 phase

9、 shifi mask 通过人为控制掩模版上特定区域透过光的相位，利用相邻不同相位的光之间干涉效应来提高曝光分辨率的一种掩模版。3.1.2 半透明移相掩模 halftone phase shift mask 这种光掩模通过人为控制透明部分的透光率和相位来提高曝光分辨率，其具体实现方法是用部分透光的薄膜（半透明移相薄膜）来取代常规的不透明图形，这种薄膜可同时控制光的相位差和透光率。3.2 结构表述术语3.2.1 不透明环形区 opaque ring 在中间掩模版上接近于需要曝光区域周围、且有一定宽度的一个区域；它位于中间掩模版的非曝光区域，以便在大圆片光刻工艺中提供所需的不被曝光的黑色部分。3.

10、2.2 附加薄膜型不透明环形区 additional film type opaque ring 这种不透明环形区由蔽光材料组成，不起移相作用。3.2.3嵌入式移相型不透明环形区 embedded shifter type opaque ring 这种不透明环形区是由亚分辨率结构尺寸的小矩形阵列图形或线条/间隙图形组成的移相器构成的能起到蔽光效果的区域。国家标准化管理委员会 20XX - - 批准 20XX- - 实施 1 GB/T XXXX-20XX 3.2.4多层半透明移相掩模 multilayer halftone phase shift mask 这种半透明移相掩模含有由不同材料成分构

11、成的多层薄膜，便于产生一定的相位差和透光率。直接附着于基片上的那一屋薄膜应叫做第1层。3.2.5 单层半透明移相掩模 single-layer halftone phase shift mask 这种半透明移相掩模只有一层由均匀材料成分构成的薄膜以产生一定的相位差和透射率。3.3 光特性表述术语3.3.1 玻璃面反射率 glass side reflectivity 在制造了移相器薄膜的玻璃基片的背面上，把检测得到的入射光强除以反射光强，其比值称为玻璃面反射率。反射光强度除玻璃表面反射回来的光线外还应该包括玻璃与移相薄膜界面和移相器与空气之间的界面产生的反射光，通常通过实测一束参考光在专用反光

12、镜上的反射光强度来计算入射光强。（图1、是玻璃面反射率的图解。） 图1 玻璃面反射率3.3.2 不透明区域透射率 opaque ring transmittance 穿过附加薄膜型不透明区域的透射光强与利用参考光穿过空气而测得的入射光强之比。（图2是不透明区域透射率的图解。）图2 不透明环透射率2注意：对于采用嵌入式移相型不透明环形区的半透明移相掩模，本指南不定义其不透明环区域的透射率，这是因为它严重依赖于所用光学系统的特性。3.3.3窗口区透射率 opening area transmittance 穿过半透明移相掩模图形窗口区的透射光强与利用参考光穿过空气而测得的垂直入射光强之比。（图3是窗口区透射率的图解）图3 窗口区透射率 3.3.5相对透射率 relative transmittance 穿过移相区的透射光强与穿过窗口区的透射光强之比。（图4是相对透射率的图解。）图4 相对透射率3.3.5相位差 phase difference 垂直穿过移相区的透射光相位与垂直穿过窗口区的透射光相位之差，窗口区应包括一层厚度等于移相薄膜厚度的空气。3.3.6移相面反射