单晶多晶硅片生产工艺流程详解文档格式.docx

1、这一过程会造成硅片产生许多细微破裂和裂纹，这种损伤层的平均厚度约为25-30m。这样的损伤存在于刀片与晶棒接触的任何地方。因为切片接触的是硅片的表面，所以硅片表面存在着许多这样的损伤，这就意味着在接下来的过程中必须清除掉这些损伤，硅片才会有用。刀片偏转硅片弯曲和厚度偏差的主要根源在切片过程。影响硅片形状的最主要因素是切片过程中的刀片偏转。如果刀片在切片时发生振动，那么很有可能在刀片所在一侧的损伤层会比另一侧更深。不同的是，因刀片振动引起的损伤称为切片微分损伤。碎片（刀片退出时）无论任何方式，当刀片切割某种材料即将完成时，刀片在材料底部时，可能会引起材料碎裂，这种现象称为exitchip。碎片的

2、发生是由于在切割的最后阶段，在材料的小区域中存在高的局部应力。当持续施加相同大小的压力在越来越薄的材料上，材料就无法再承受这样的压力。这片材料就开始断裂，材料的碎片就会松散。最小限度（碎片）有两种方法防止碎片的发生，一种方法是在最后阶段，减小刀片施加在硅片上的压力。在最后，可以通过降低刀片进给速率来减小压力。另一个方法是在晶棒外侧位置贴上几片材料，使切割完成。外表面额外材料的增加提供载体有利于切片的完成。这样就减少了硅片较薄边缘的压力，硅片也不会碎裂了。有一防止碎片的系统可供选择，可以消除任何碎片的发生。就是使晶棒直径生长的稍大一点，那么在切片时，即使发生碎片，滚磨去碎裂处，仍有足够的材料。这

3、种方法的应用使晶棒直径大1.3mm左右。切片之后，多余的材料就会被磨去。除了内圆切割外，还有线切割。线切割使用研磨砂浆来切割晶棒，砂浆贴附在接触并进入晶棒的钢线上，钢线会产生压力压迫研磨剂与晶棒接触，这样在砂浆和晶棒间的压力接触使材料被磨去。线切割基本结构很简单，一根小直径的钢线绕在几个导轮上使钢线形成梯形的形状。导轮上有凹槽能确保钢线以一定距离分隔开。一根连续的钢线集中绕导轮的一个个凹槽上，形成许多相同间隔的切割表面。线之间的空间决定了想要的硅片厚度。钢线的移动由线轴控制，整个系统只有一根钢线。线的两端分别绕在线轴上，晶棒慢慢向上（下）移动，穿过钢线，钢线能从晶棒上同时切割下许多硅片。如15

4、0mm硅片，整根晶棒的切割完成只需约5-8小时。典型的线切割机使用的钢线直径约在0.006英寸。这么小的尺寸所造成的切片损失只有0.008英寸。单根线通常有100km长，绕在两个线轴上。如此长的钢线的应用使线的单个区域每次都不会与砂浆及晶棒接触很长时间。这种与砂浆接触时间的减少有利于延长钢线的寿命。典型的钢线进给速度在10m/s（22mph），即一根100km长的钢线经过一个方向需10，000秒或约2.75小时。其中一个线导轮由马达驱动，控制整个钢线系统。钢线必须保持一定的张力能压迫砂浆中的磨砂研磨晶棒，并防止导轮上的钢线进给错误。线切割机的钢线与晶棒接触，而砂浆沉积在钢线上。砂浆由碳化硅与油

5、混合而成，或其他一些类似的坚硬材料与液体的混合物。通过钢线的带动，砂浆会对晶棒缓慢研磨，带走晶棒表面少许材料，形成凹槽。钢线的不断移动将凹槽中的材料不断带走，在钢线完全通过晶棒后，砂浆仍随钢线移动。线切割的问题有两种主要的失效模式：钢线张力的错误改变和钢线断裂。如果钢线的张力错误，线切割机就不能有效进行切割了。钢线有任何一点的松动，都会使其在对晶棒进行切割时发生摇摆，引起切割损失，并对硅片造成损伤。低的张力还会发生另一问题，会使钢线导轮发生错误进给。这一错误可能造成对晶棒的错误切割或者使钢线断裂。在切割过程中，钢线可能会从一个凹槽跳到另一个凹槽中，使硅片切割进行到一半。钢线也可能因张力太大，达

6、到它所能承受的极限，导致钢线断裂。如果钢线断裂，可能对硅片造成损伤，并使切割过程停止。断裂的钢线还可能造成众多硅片的断裂。晶向当进行切片时，必须按客户要求沿一个方向切割。所有的客户都希望硅片有一特定的晶向，无论是在一单晶平面还是如果特定的，与平面有特定数值的方向。就要尽可能使硅片的切割接近这一方向。一些制作过程要依靠晶向蚀刻，其它则需要基层的晶向准确。硅片晶向发生任何问题都会引起器件制造问题。因此，必须在切片开始时就检查硅片晶向的正确性。当晶棒粘在切片机上时，以参考面为基础，将晶棒排好。然而，也不能保证切出来的硅片晶向正确，除非先切两片硅片，用X-ray机检查晶向是否正确。如果硅片的晶向错误，

7、那么就要调整切片机上晶棒的位置。切片机有调整晶向的功能。碳板清除切片完成之后，粘在硅片上的碳板需要清除。使硅片与碳板粘合在一起的环氧剂能被轻易地清除。操作时应小心，使硅片边缘不会碎裂，并且保持硅片仍在同一顺序。硅片的原始顺序必须被保持直至激光刻字。激光刻字经切片及清洗之后，硅片需用激光刻上标识。激光标识一般刻在硅片正面的边缘处，用激光蒸发硅而形成标识。标识可以是希腊字母或条形码。条形码有一好处，因为机器能快速而方便地读取它，但是，人们很难读出。因为激光标识在硅片的正面，它们可能会在硅片生产过程中被擦去，除非刻的足够深。但如果刻的太深，很可能在后面的过程中受到沾污。一般激光刻字的深度在175m左

8、右。通常在激光刻字区域做的是另一任务是根据硅片的物理性能进行分类，通常以厚度进行分类。不符合标准的原因通常有崩边、破损、翘曲度太大或厚度超差太大。边缘倒角倒角使硅片边缘有圆滑的轮廓。这样操作的主要目的是消除切片过程中在硅片边缘尖利处的应力。边缘倒角另外的好处是能清除切片过程中一些浅小的碎片。边缘倒角形态硅片边缘的形状由磨轮形状决定。倒角磨轮有一个子弹头式的研磨凹槽。硅片边缘的轮廓首先是由真空吸头将硅片吸住后旋转而完成的。硅片缓慢旋转，磨轮则以高速旋转并以一定力量压在硅片边缘。通过倒角磨轮沿着硅片边缘形状移动这样的系统来保持磨轮与硅片边缘的接触。这使得参考面也能通过磨轮进行倒角。在硅片旋转几次之

9、后，硅片边缘就能得到磨轮凹槽的形状了。既然硅片的参考面也同时倒角，就有一些问题发生。一个问题是当参考面进行倒角时，可能会被磨去一点。因为参考面是在某些过程中用来进行硅片对齐，这个参考需要被保持。倒角磨轮倒角磨轮是用来进行边缘倒角的一个金属圆盘，直径约为2-4英寸左右。磨轮约0.25英寸厚，有一子弹头式凹槽在圆盘边缘。磨轮的研磨表面是一层镍-钻涂层。倒角原因倒角一个普遍的因素是，这样的边缘能使硅片生产和器件制造阶段都有更高的产率。崩边和断裂当进行硅片边缘倒角时，硅片边缘高应力点被清除。硅片边缘应力的下降使硅片有更高的机械强度。这有利于在处理硅片时对崩边有更强的抵抗力。外延边缘皇冠顶当在硅片上生长

10、外延时，外延层会在有微粒突出和高应力区域生长的更快些。因为在未进行倒角之前，这两种情况存在于硅片边缘，外延层就会趋向于在边缘生长的更快。这就导致在硅片边缘有小的隆起。这个隆起称为外延边缘皇冠顶并且会在以后的器件制作过程引起一些问题。如果硅片的边缘已经倒角，就不会再有高应力点或微粒突起在边缘使外延层得以生长，这就有利于防止外延边缘皇冠顶的形成。边缘光刻胶小珠子光刻胶应用到硅片时，是应用在旋转的硅片上，在硅片上的涂抗蚀剂后，旋转速度会上升，这样使得在硅片上的抗蚀剂甩出，形成均匀一致的薄膜。问题是由于光刻胶表面的张力作用会在硅片尖利的边缘形成小珠。如果硅片没有进行倒角，小珠子就会粘在硅片表面；如果已

11、经倒角了，小珠子就不会在硅片表面形成。术语表切片微损伤（切片痕迹）：是由刀片的振动引起的。在切片过程中，由于刀片的小小振动产生了这样的损伤，在沿着切口的方向留下小的脊状痕迹。切片损失：是在切片过程中，因刀片会切去的材料损失的总量。张力：是用来描述一种材料在负载下的伸展能力。从算术定义来讲，就是与原始长度相比，在长度上的变化程度。应力：是指材料单位面积承受的力量。Swarf：切屑，是指在切片开槽时，削去的材料。可以认为是切片垃圾。抗张强度：是指材料在未完全失效情况下，所能承受的最大压力。yieldpoint：指材料在没有永久变形情况下，能承受的最大压力。磨片、热处理和相关工艺经切片、标识和倒角后

12、，就应准备抛光了。在硅片能进行抛光前，切片损伤必须被清除，接下来，硅片需要腐蚀，以去除磨片造成的损伤。吸杂工艺能抵消金属杂质的影响。硅片边缘的抛光能去除留在硅片边缘的腐蚀坑。然后进行硅片清洗和热处理，再退火以使抵抗稳定。背封工艺能随意采用，通过沉积在重掺杂硅片的背面以防止掺杂剂通常是硼在后面的热处理过程中的逸出。经过上述步骤之后，硅片就能进行抛光了。磨片是使用研磨砂来清除硅片表面的材料和前一步骤留下的损伤。在磨片过程中，在双面行星运动中硅片两面会被同时研磨，一定量的材料将被从两面磨去。这个机械研磨过程磨去硅片的两面的材料。目的磨片的主要目的是将硅片的切片微损伤去除。切片微损伤是对单晶的损伤，来

13、自于切片过程。这种损伤在硅片两面都有，因为硅片的两面都经过了切割。损伤的平均深度大约为25-30m，但有些损伤可能是它的2-3倍深。磨盘的组成磨盘一般由铸铁制成，但也可能是塑料制的。不考虑金属的沾污，使用铸铁可以耐用而且其机械特性能适合磨片。铸铁的硬度使研磨颗粒不会嵌入到盘中，如果颗粒嵌入到磨盘中，就会刮伤硅片表面。这些刮伤在后面的工序中很难去除，铸铁的磨盘也不能太硬，如果磨盘太硬，它会压迫研磨颗粒进入硅片，使硅片增加额外的损伤。磨盘表面和磨液供应磨盘是带齿轮的，齿轮有利于磨液的均匀分配，防止磨盘被淹没，并保持硅片紧贴表面。齿轮还能使磨液在硅片表面流动并均匀分配。如果磨盘上没有齿轮，磨液可能会

14、流到磨盘上，如果磨盘与硅片间有太多的磨液，磨盘会浮在硅片表面的液体上。如果磨盘浮的里表面太远，就不能研磨表面，也就不能将硅片表面的损伤去除掉。如果在磨盘与硅片间的磨液太少，磨盘就会在硅片表面引起新的损伤。所以，齿轮控制磨盘与硅片表面间的磨液量，并且上磨盘的齿轮能将下磨盘锁住。这样防止在磨盘最终分开时，硅片粘在上磨盘上。磨盘旋转计数器上下磨盘按相反方向旋转，磨盘的旋转带动硅片两侧以同样的速度旋转。目的，首先，既然硅片的两侧都以相同速度进行磨片，那么两侧都有相同的材料去除率。第二，硅片两侧有相同的转速相反的方向使硅片能固定位置。所以没有大的压力向一个方向移动硅片或另一个方向。硅片几乎不会因边缘的压

15、力造成断裂。上磨盘还有几个功能，首先是它有一些洞使磨液能流入磨片机。磨液从上磨盘流入，然后流入到机内。另一个功能是上磨盘提供压力给硅片，上磨盘通过气压下降压下，在磨片的第一个循环中，压力比较小，使硅片上高起的点先被磨去，使磨液均匀分配在机内。然后，压力逐步上升到正常操作的压力。硅片厚度为了更精确地控制磨片厚度，磨片机上有装一个厚度测试系统。一种能在磨片时测试硅片厚度的方法是通过使用一压电材料与硅片同时研磨。因为压电材料的磨去率与硅片的相同，电讯号的频率就会发生变化。当频率对应到设定的厚度时，机器就会停止，但，每次磨完以后，必须将压电带放回原处，这样才会反映出硅片的厚度。硅片表面的去除使用一种含

16、研磨砂的悬浮液组成的磨液来研磨硅片表面。典型的研磨砂是由9m大小的经煅烧的氧化铝颗粒组成。这种颗粒悬浮在水和添加剂的混合液中，添加剂一般为丙三醇（甘油）。混合液有利于保持研磨砂的悬浮并均匀散布。悬浮液中的研磨砂压迫硅片表面并使其磨损，去除硅片表面的物质，这样能将表层的切片损伤清除掉。整个过程会磨去75-100m的表层。在最终磨片结束时，硅片的平整度是最平整的，以后的步骤都会使其平整程度下降。磨片之后，硅片表面残留有许多磨片过程中产生的硅的颗粒，这种颗粒尺寸很小，并会引起一些问题。如果要烘干硅片，颗粒会粘在硅片表面，而一旦这样粘住，就很难再去除掉。所以，硅片必须保持湿润，直至表面颗粒被清除。应力

17、释放腐蚀硅片磨片之后，仍有一薄层损伤层，还需通过其它方法来清除磨片带来的损伤。通常通过化学腐蚀硅片表面的方法来清除这种损伤。腐蚀的方法有两种：碱腐蚀和酸腐蚀。当硅片进行腐蚀时，需要有一清洁的表面。如果硅片表面有沾污，会潜在地充当了腐蚀的面具。当进行酸腐蚀时，酸先与表面的颗粒接触，将其慢慢腐蚀去除，因此就象一张面具影响了酸与硅快速接触。这就会使该区域与硅片表面其它区域腐蚀程度不一致。所以，硅片在腐蚀前必须进行清洗。典型的清洗方法是将硅片放在Teflon的片盒中，浸入含H2SO4和双氧水的溶液中，这会清除硅片表面的有机物；然后将硅片浸到氢氟酸中，HF会清除表面任何的硅末；在硅片进行清洗后，就可以进

18、行腐蚀了，而且会腐蚀得均匀一致。碱腐蚀硅片腐蚀的一种方法是使用碱性氢氧化物如氢氧化钾（KOH）。用这种方法，硅片浸在45%的KOH和55%纯水的溶液中大约2分钟，通常在高温（约100）KOH溶液中。然后，再将硅片浸入纯水以阻断KOH与硅片表面之间的继续反应。KOH与硅片的基本反应如下：Si+2H2O+2KOH2H2+Si（OH）2（O）2+2K+酸腐蚀用于酸腐蚀的一般混合物是HNO3和HF。在任何情况下，酸腐蚀是一个强烈的过程，而不会在某个平面存在自限制过程。酸浴的局部腐蚀速率会因局部化学品的损耗而变化。因为硅片的周围都在竞争酸液，硅片中心有腐蚀剂不充足的趋向，这会使供给硅片中心的酸液损耗，反

19、应稍微降低。另一方面，靠近硅片边缘处，没有如此多的硅来竞争酸液，因此有充足的酸液提供，这就使反应速率在硅片边缘处达到一较高速率。这种在腐蚀速率上的差异会引起硅片象“枕头”，换句话说，硅片中心厚度略厚于边缘。酸腐蚀（HNO3和HF）的基础反应如下：Si（s）+4HNO3（l）SiO2（s）+4NO2（g）+2H2O（l）SiO2（s）+6HF（l）H2SiF6（aq）+2H2O（l）这个反应的一个产物是NO2，是一种气体，所以，必须采取预防措施控制它的释放。为了满足环境法律，NO2通常会用化学淋洗来消除它的释放。两种腐蚀方法都有各自的优缺点，表3.1列出了碱腐蚀和酸腐蚀的优缺点。吸杂简介吸杂是一

20、个将杂质和一些会延伸的点缺陷从硅片的器件制作区域移走的过程。最重要功能的是移走金属杂质，如金、铜、镍、铁等等来自硅片正表面器件制作区域。金属杂质会降低影响器件性能的少数载流子的寿命。如果陷入，金属原子还会形成缺陷中心，使器件性能等级下降。所以，吸杂在半导体工艺中是一个重要的过程。吸杂可广义地分为两类：1、外吸杂；2、内吸杂。外吸杂：是通过从外界导入一有效方法来完成。可以有不同手段，如：a.背损伤b.背面薄膜淀积（主要为多晶硅）c.背面重磷扩散内吸杂：是由在热处理过程中氧原子影响形成的位错环产生。氧原子需有最小浓度，才能产生吸杂。其浓度约为11018atoms？cm-3。通过CZ法拉制出的硅单晶

21、至少有这个氧含量。然而，用FZ拉制的硅单晶一般小于此浓度，在这种情况下，就不能提供内吸杂。步骤氧来吸杂有三个步骤。第一步是将硅加热到1100，使得在接近硅片表面形成一氧的耗尽层，称为耗尽层，器件就建立在正表面的这一区域上。显然，整根晶棒无法进行内吸杂，只能对单片硅片。整个过程可看作几个步骤的整体或者可从供应商处购到已吸杂的硅片。第一步的加热温度是很重要的。在这温度，氧能从表面逸出因为硅片和外部的氧浓度的不同。可以观测到，如果温度低于1000，氧就会形成团，称为成核现象，和外扩散一起。在这阶段避免成核是很重要的，因为在活跃的器件区域会引起位错。第二步是将硅片冷却到约650。在这过程中，氧开始成核

22、，耗尽层仍不受影响，因为氧含量没有足够高到成核的程度。第三步中，硅片加热到1000左右，在此温度上，晶核开始生长并且最终形成淀积和推垛层错。它们为金属杂质提供了吸杂点。淀积物有化学名为SiOx，x值接近于2。所以也称为氧化淀积。镜面边缘抛光进行边缘抛光是为了清除腐蚀过程留下的边缘腐蚀坑。这个过程不一定必须做。但进行边缘抛光有利于防止碎片或在后面的过程中产生裂纹。这一步骤完成使硅片边缘更均衡一致。另一个好处是在后道生产工序HF清洗硅片时防止胶状硅粒飞跑形成条纹。镜面边缘抛光方法是一个化学/机械过程。边缘的抛光是通过真空吸头吸住硅片以一定角度使硅片的一侧边缘几乎垂直与抛光盘贴住。然后，抛光盘旋转，

23、硅片边缘也随着一个鼓旋转。这个鼓表面贴有一种树脂抛光衬垫。当硅片与抛光衬垫接触时，还会在上面添加抛光砂。吸头吸住硅片然后慢慢的开动使硅片的边缘都充分与抛光衬垫接触得到抛光。硅片一侧边缘被抛光后，将硅片翻转，然后对硅片的另一侧以同样方式进行抛光。两侧完成后，硅片必须彻底清洗以清除残留的抛光砂。在边缘抛光时使用的抛光砂是由胶状硅粒悬浮在水中组成，有高的PH值的化学物。高的PH值能氧化硅，然后硅粒又形成的氧化物去除。抵抗稳定硅单晶棒，作为一个结果，硅片从晶棒上切割下来，还有一重要参数氧含量。CZ法生长的单晶氧含量接近1018cm-3等级。氧主要来自于硅融化时石英坩埚缓慢而稳定的分解。一部分的氧从熔融

24、的SiO中分解逸出，但有一定量的氧与生长的晶体结合。由于熔融物和晶棒的旋转以及随着时间的推移，熔融物量的减少，氧含量沿着晶棒的长度方向会显示出一特性。氧施主单晶棒会经过一定的热条件，一些氧原子会作为施主或者说n型掺杂剂。这种掺杂剂的增加会扰乱既定的电阻率。在某些情况下，甚至掺杂剂的性质会发生改变，从而使p型晶棒转变为n型晶棒。如果晶棒或硅片在300-500温度范围内，硅中的氧原子会扮演施主的角色，450是最起作用的温度。整根晶棒的剖面浓度分析，从顶部至底部，施主的浓度或氧含量呈下降趋势。磷是n型掺杂剂，并且氧施主提高了掺杂浓度。应注意，籽晶末端的晶体包含了最高的氧含量，因此，在这端的n型掺杂剂

25、浓度也更高即在大部分氧施主不再活动后，磷的浓度。热处理前清洗热处理前清洗可以以几种不同方式进行。一种典型的方法是使用SC-2洗液来去除金属沾污，然后将硅片浸入已非常稀释的高纯HF溶液中去掉氧化层。另一清洗方法是先用硫酸（H2SO4）和双氧水（H2O2）的混合溶液清洗。这种溶液以剧烈溶剂着称，能去除硅片表面大部分的有机污物和某些金属离子。同时，该溶剂能氧化硅片表面，一些金属离子（如铁和锌）会在氧化层生长时被氧化。然后硅片浸入到已稀释的高纯酸液中，去除氧化层。金属沾污也就随着氧化层的清除而被去除掉了。硅片进行纯水漂洗和甩干时，表面本质上已无金属离子存在并能放入炉子进行热处理了。经观测，硅进行任何的热处理，温度在500-900范围内，新的氧施主开始出现。氧施主的这个效应在450左右时，不会发生。根据一些资料，进行抵抗稳定时，要防止这类施主的产生，可以通过快速热处理过程，硅在650维持几秒钟而达到。