收音机课程设计电子技术课程设计Word文档格式.docx

1、VCEQ2应满足：（1-2）R82）Rl取 V e=3V ； 则：24 - 32.1 、2 1Vces=1V* sT 2图三-2） 2k = 6.58 k取 R8=6.2k 门由（1-1）式消I CQ2Ec - Ve2Rb R8 Rl24 - 3（6.2 6.2/2）k二 2.72mA去V CEQ2可得:（3）确定T2发射级电阻R9：R9 = Ve2 3V 1.1k1 1ICQ2 2.72mA取 Rg=1.1k 1（4）确定晶体管T2：选取晶体管时主要依据晶体管的三个极限参数:BV CEO晶体管c-e间最大电压VcEmax （管子截止时c-e间电压）Icm晶体管工作时的最大电流Icmax （管

2、子饱和时C-e回路电流）PCM晶体管工作时的最大功耗 Pcmax 由图一可知：C2最大值为C2max=2I CQ2V CE 的最大值VCE2max =Ec根据甲类电路的特点， T 2的最大功耗为：Pcmax=V CEQ2 I CQ2因此T2的参数应满足：BVceoEc=24V Icm2IcQ2=5.4mA Pcm Vceq2 IcQ2=7.5mW选用 3DG100B，其参数为：BV ceo20V ; IcM20mA ; PcM400mW ;满足要求。实测 3=100。（5）确定T2的基极电阻R6和R7在工作点稳定的电路中，基极电压 Vb越稳定，则电路的稳定性越好。因此，在设计电路时应尽量使流过

3、 R6和R7的Ir大些，以满足IrIb的条件，保证 Vb不受Ib变化的影响。 但是IR并不是越大越好，因为 IR大，则r6和r7的值必然要小，这时将产生两个问题：第 一增加电源的消耗；第二使第二级的输入电阻降低，而第二级的输入电阻是第一级的负载，所以Ir太大时，将使第一级的放大倍数降低。 太小，一般计算时，按下式选取 Ir的值：为了使Vb稳定同时第二级的输入电阻又不致Ir= （510） IbqIr= （1015） I BQ硅管锗管在上式中Ir的选取原则对硅管和锗管是不同的，这是因为锗管的 IcBO随温度变化大，将会影响基极电位的稳定，因此 Ir取值一般比较大。对硅管来说 IcBO很小，因此Ir

4、的值可取得小些。本电路丁2选用的是硅管，故取Ir=5Ibq 则：由图4知：Vbq2 Ve 2 VBE 2R73=26.47/5I BQR6 =Ec - R7 = 150 k11I R图四取：R7=24k Q ; R6=150k Q。（6）确定Ti的静态工作点Icqi ； Vceq因为第一级是放大器的输入级， 其输入信号比较小，放大后的输出电压也不大。所以对于 第一级，失真度和输出幅度的要求比较容易实现。 主要应考虑如何减小噪声，因输入级的噪 声将随信号一起被逐级放大， 对整机的噪声指标影响极大。 晶体管的噪声大小与工作点的选取有很大的关系，减小静态电流对降低噪声是有利的， 但对提高放大倍数不利

5、。 所以静态电 流不能太小。在工程计算中，一般对小信号电路的输入级都不详细计算， 而是凭经验直接选 IcQi=0.11mA 锗管IcQi=0.12mA 硅管Vceq= （23） V如果输入信号较大或输出幅度较大时不能用此方法， 二级的方法相同。（7）确定Ti管的集电极电阻由图五知：而应该具体计算。计算方法与计算第R3,发射级电阻R4、R5：Ec （Ve1 VceqJI CQ 1取:则:Vei=3V ; Vceqi=3V ; IcQi=0.5mAR3（24 一3 3）V 二 36 心R3=36kQR4 R5Ve1I CQ1工=6屮0.5mA图五（8）选择Ti管选取原则与 T2相同：BVce0 E

6、c=24V ; 用 S9011，实测 3 1=100。（9） Ti管基极电阻的选取R4=1k Q ；R5=5.1k QIcm 5mA ; Pcm 7.5mW，根据现有条件选IR=10I BQVe1=3VVE1 VBE110I BQ1取 R2 = 68 k111進皿100Ti&由图六知;Ir图六EcR1 R2 二 402k取 ： Ri =390k Q ; R2=68k Q（10）耦合电容和旁路电容的选取各级耦合电容及旁路电容应根据放大器的下限频率 fi决定。这些电容的容量越大，则放大器的低频响应越好。 但容量越大电容漏电越大， 这将造成电路工作不稳定。 因此要适当的 选择电容的容量，以保证收到满

7、意的效果。在设计时一般按下式计算：其中：Rs是信号源内阻，rii是第一级输入电阻。roi是第一级输出电阻，ri2是第二级输入电阻。匕是第二级输出电阻。Rb=R6R7R3由于这些公式计算繁琐，所以在工程计算中，常凭经验选取:耦合电容：2i0卩F发射极旁路电容：i50200卩F现在用第二种方法确定 C2、C3、Cei和Ce2Ci=C2=C3=i0 卩 FCei=Ce2=i00 3 F电容器的耐压值只要大于可能出现在电容两端的最大电压即可。 （11）反馈网络的计算根据深反馈的计算方法，由图七知：Rf=i22R4-R仔 i20kQ图七 Rf=6.8k Q , Cf=10 ii F根据上述结果，可得电路

8、图（图八）IDRi390kr6S kT100（ U120I06y F占尺8广6.2 k10cfIDv F宇5lOOp F4、理论计算，求静态工作点。（1）根据电路图中的实际参数值，画出直流通路+VCC+VceRsT;Ub1 -UbeR5 R6 -0.49mA;R2第一级：Ub1= Ucc =R1 +R268390 68 24=3.56V; Ic1=Ie1 =Ib=0.0049m A;Uce 仁Ucc-（R3+R4+R5）lc1=3.37V;第二级:Ub2=R6 + R724Ucc= 24-150 24=3.31V;Ic2=le2=Ub2 - Ube2.46mA;R9Ib2=Ic2=0.025

9、mA;Uce2=Ucc-（R8+R9）lc2=6.04V（2）画出微变等效电路，电压放大倍数RL1 =R3/R6/R7/rbe2=1.16k QR 26Rbe仁200+（1+ - ） 5.56 k QIe1Re=R4/Rf+（R8/RL）=0.99Au1=- L1Rbe1 （1 J ReRbe2=200+（1 +J空Ie2=1.27 k Q ; L 2=R8/（R4+Rf） /RL = 1.49k Q ;Au2=- 1 RL2 -117.3RbeAu= Au1* Au2=129.03（3）计算各级的输入电阻和输出电阻。ri仁R1/R2/【Rbe1+ （1+ ） （ R4/Rf+（RL+R8）】

10、=37.36 k Q ;ro1=R3/R6/R7 =13.14k Q第二级：ri2=R3/R6/R7/Rbe2=1.12 k Q ; ro2=R8/（R4+Rf） =5.90k Q（4）判别负反馈。 串联电压负反馈（三）利用EWB电路仿真软件对设计的电路进行仿真aM2AM3EZ3-VW-+ 、a S R2 0 mVJ1 - 63 JFCZJ2J kOhmI kOlimL Ca2LP lOOdF2获得频率特性图 OsGillos：cop I XT10 P aaae sT210:7741 sT2-T11 r 7741-E.1681 mV2146 nVvfla-vfti16.3S26mVV01-47

11、9.117 nV961 -4727 mVVB2-V11 . 449?VTime base宁 1TnggterChannel 4Channel B 1询 kiEdge 鬼J| i v283150KO （12OKQ）沏T3中周伯4电K430Kfl30T45阻91KO31T5输入变压器（绿）6K6IGOKil32T6输岀变压器（黄）,78剧510KO33帝开关申拉器4, 7KO34耳机播座（CK）2 5hbb 9C1蠅电电3555*13*5C2瓷介 233（0. 0223611C3建介 103（0. om）37频率盘lt3712C4电解4.7厂IDA38拎帀黑色（环）13电 容C5婆介 103（0.

12、 01 U）3914C6瓷齐 333（0- 03311）40电包署盘15C741导线6根16C8电解正负桶片1?C9瓷介 223 （0. 022 H）43负槪片弓单苗1BC10蛙介 223（0.02211）44固定电隹器盘M l. 6*419C11潔纶 LOS （0. 01 U ）45ft固定取联12.5*4帕钉国定瓠率盘12. 5*520VI9018 （ P ft小）47线賂板12*521=管V29018 （B1S比VI大）48印刷线密板22V39018 （E值比V2大）49金属屈董23V43DG201 （卩宿比V3大）SU前壳24VSD13 （1战诙直仏差2曲BlE盖25V69013 （

13、P如超正负20,）52扬声誥（Y）801 1IN4M8附录2（一色环电阻及其计算颜色朴有效数字乘数门允许偏差工作电压银色+5 12P金色410心土知黑色4g10叩右棕色1+10 I*363红色心2#10為土2护橙色*3+哄黄色工410知25p绿色Q59012NPNa咼放y15030400*掘7知3P609012PPNP功跑42亦500P62564-9 27411 加9013NPbk功旅卢50064*9序心gow45100450*60-150-400100ggPNPm4舁1D2450P60-150*-（三电阻器标称系列*列 （三）电阻器标称系列.E24E12QEti+备注1,01.0电阻器的标称值应 符住*中所列数值 之一或表列数值再 Mm的it袂方 n为醱它1.11.5-1,212.2p1.31血3.3*1.5土如4.7p1.（5*2工16.1.翻2.0芒2.却4“2.4