单相半桥逆变电路Word下载.docx

1、3.2、仿真结果分析 15第四章 小结 16参考文献 17摘要电力电子技术的应用范围十分广泛，它不仅用于一般工业，也广泛应用于交通运输、电力系统、通信系统、计算机系统、新能源系统等，在照明、空调等家用电器及其他领域中也有着广泛的应用。进入新世纪后电力电子技术的应用更加广泛。以计算机为核心的信息科学将是21世纪起主导作用的科学技术之一，有人预言，电力电子技术和运动控制一起，将和计算机技术共同成为未来科学的两大支柱。变流技术也称为电力电子器件的应用技术，它包括用电力电子器件构成各种电力变换电路和对这些电路进行控制的技术，以及由这些电路构成电路电子装置和电力电子系统的技术。“变流”不仅指交直流之间的

2、交换，也包括直流变直流和交流变交流的变换，变流电路在工作过程中不断发生电流从一个支路向另一个支路的转移，这就是换流。将直流电转换为交流电的电路称为逆变电路，根据交流电的用途可分为有源逆变和无源逆变。本课程设计主要介绍单相半桥无源逆变电路。关键词：整流、无源逆变、IGBT晶闸管第一章 系统方案设计及原理1.1、系统方案系统方案如图1所示，在电路原理框图中，交流电源、整流、滤波和半桥逆变电路四个部分构成电路的主电路，驱动电源和驱动电路两部分构成指挥主电路中逆变桥正确工作的控制电路。其中，交流电源、整流、滤波三个部分的功能分别由交流变压器、全桥整流模块和两个串联的电解电容实现;半桥逆变电路由半桥逆变

3、和缓冲电路构成; 而驱动电源和驱动电路则需要根据实验电路的要求进行搭建。 图1 电路原理图1.2、系统工作原理1.2.1、逆变电路的基本工作原理图2逆变电路原理图图中S1S4是桥式电路的4个臂，它们由电力电子器件及其辅助电路组成。当开关S1、S4闭合，S2、S3断开时，负载电压u0为正；当开关S1、S4断开，S2、S3闭合时，u0为负。这样，就把直流电变成了交流电，改变两组开关的切换频率，即可改变输出交流电的频率。1.2.2、单相半桥阻感负载逆变电路图3 电压型半桥逆变电路及其电压电流波形在一个周期内，电力晶体管T1和T2的基极信号各有半周正偏，半周反偏且互补。若负载为阻感负载，设t2时刻以前

4、，T1有驱动信号导通，T2截止，则。t2时刻关断的T1，同时给T2发出导通信号。由于感性负载中的电流i。不能立即改变方向，于是D2导通续流， 。t3时刻i。降至零，D2截止，T2导通，i。开始反向增大，此时仍然有在t4时刻关断T2，同时给T1发出导通信号，由于感性负载中的电流i。不能立即改变方向，D1先导通续流，此时仍然有；t5时刻 i。降至零， T1导通，1.2.3、单相半桥纯电阻负载逆变电路图4 单相半桥纯电阻负载逆变电路及IGBT脉冲波形在一个周期内，电力晶体管V1和V2的基极信号各有半周正偏，半周反偏且互补。由于是纯电阻负载，当V1开通时V2关断，则负载两端的电压为：当V1关断时V2开

5、通，则负载两端的电压为：1.3、IGBT的结构特点和工作原理 1.3.1、IGBT的结构特点IGBT是双极型晶体管（BJT）和MOSFET的复合器件，IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高祖漂流区，大大改善了器件的导通特性，同时它还具有MOSFET的栅极高输入阻抗的特点。IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的功率晶体管。图5 IGBT结构图如图5所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形

6、成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+

7、 基极注入到N 一层的空穴，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT的开通和关断是由门极电压控制的，当门极加正向电压时，门极下方的P区中形成电子载流子到点沟道，电子载流子由发射极的N+区通过导电沟道注入N-区，即为IGBT内部的PNP型晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。此时，为维持N-区的电平衡，P+区像N-区注入空穴载流子，并保持N-区具有较高的载流子浓度，即对N-区进行电导调制，减小导通电阻，使得IGBT也具有较低的通态压降。若门极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP型晶体管的基极电流被切断，IGBT就关断。图6 常用

8、IGBT的电气符号 图7 IGBT的等效电路 图6为IGBT的常用电气符号，IGBT的等效电路如图7所示，由图可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极发射极之间的耐

9、压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极发射极之间的耐压,流过IGBT集电极发射极的电流超过集电极发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。1.3.2、 IGBT对驱动电路的要求 IGBT 的驱动条件与它的静态和动态特性密切相关。栅极的正偏压+VGE、负偏压-VGE 和栅极电阻RG 的大小，对IGBT 的通态电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dVCE/dt等参数都有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系如表1 所示。表1 门极驱动条件与器件特性的关系 4 特性 VDS TON、EON Tdf、E

10、df负载短路能力 电流dVCE/dt +VCE增大 降低 增加 -VCE增大 略减小 减小 RC增大 根据IGBT的特性，其对驱动电路的要求如下：（1）提供适当的正反向电压，使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降，但若UGE过大，则负载短路时其IC随UGE增大而增大，对其安全不利，使用中选UGE15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，一般选UGE=5V为宜。（2）IGBT的开关时间应综合考虑。快速开通和关断有利于提高工作频率，减小开关损耗。但在大电感负载下，IGBT的开频率不宜过大，因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压，及有可

11、能造成IGBT自身或其他元件击穿。（3）IGBT开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。（4）IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响，RG较大，有利于抑制IGBT的电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗；RG较小，会引起电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。（5）驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IGBT的保护功能。IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配，另外，在未采取适当的防静电措施情

12、况下，GE断不能开路。第二章 硬件电路设计与参数计算2.1、系统硬件连接2.1.1、单相半桥无源逆变主电路如图下所示图8 单相半桥无源逆变主电路2.2、整流电路设计方案2.2.1、整流变压器的参数运算1）变压器二次侧电压的计算是一个重要的参数，选择过低就会无法保证输出额定电压。选择过大又会造成延迟角加大，功率因数变坏，整流元件的耐压升高，增加了装置的成本。根据设计要求，采用公式：由表查得 A=2.34；取=0.9；角考虑10裕量，则 B=cos=0.985取=140V。电压比K=/=220/140=1.57。2 ）一次、二次电流、由得考虑空载电流 取 3）变压器容量的计算 2.2.2、整流变压

13、器元件选择1） 整流元件选择二极管承受最大反向电压，考虑三倍裕量，则，取600V。该电路整流输出接有大电容，而且负载为纯电阻性负载，所以简化计算得 取15A。故选ZP-15A 整流二极管4只，并配15A散热器。2） 滤波电容的选择 滤波电容一般根据放电时间常数计算，负载越大，要求纹波系数越小，电容量越大。一般不作严格计算，多取2000以上。因该系统负载不大，故取=2200耐压按取250V。即选用2200、250V电容器。3） IGBT的选择因，取3倍裕量，选耐压为150以上的IGBT。由于IGBT是以最大值标注，且稳定电流与峰值电流间大致为4倍关系，故应选用大于4倍额定负载电流的IGBT为宜。

14、为此选用1MBH50-090型IGBT。其续流二极管选择与之配套的快速恢复二极管EDR60-100。Cl、C2为3300uF电解电容2.2.3、整流电路保护元件的选用1）变压器二次侧熔断器选择由于变压器最大二次电流，故选用10A熔芯即可满足要求。应选用15A、250V熔断器。2.3、驱动电路设计方案2.3.1、IGBT驱动器的基本驱动性能动态驱动能力强，能为IGBT栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲。当IGBT在硬开关方式下工作时，会在开通及关断过程中产生较人的损耗。这个过程越长，开关损耗越大。器件工作频率较高时，开关损耗会大大超过IGBT通态损耗，造成管芯温升较高。这种情况会大大限制IGBT的

15、开关频率和输出能力，同时对IGBT的安全工作构成很大威胁。IGBT的开关速度与其栅极控制信号的变化速度密切相关。IGBT的栅源特性显非线性电容性质，因此驱动器须具有足够的瞬时电流吞吐能力，才能使IGBT栅源电压建立或消失得足够快，从而使开关损耗降至较低的水平。另一方面，驱动器内阻也小能过小，以免驱动回路的杂散电感与栅极电容形成欠阻尼振荡。同时，过短的开关时间也会造成回路过高的电流尖峰，这既对主回路安全不利，也容易在控制电路中造成干扰。能向IGBT提供适当的正向栅乐。IGBT导通肝的管压降与所加栅源电压有关，在集射电流一定的情况下，Vge越高，Vce越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管

16、子的工作能力。但是，Vge井非越高越好，Vge过大，负载短路时Ic增大，ILBT能承受短路电流的时间减少，对安全不利，一但发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。因此，在有短路程的设备中Vge应选小些，一般选1215V。在关断过程中，为尽快抽取PNP管中的存储电荷，能向IGBT提供足够的反向栅压。考虑到在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管了的功耗，重则将使裂变电路处于短路直通状态，因此，最好给应处于截止状态的IGBT加一反向栅压（515V），使IGBT在栅极出现开关

17、噪声时仍能可靠截止。有足够的输入输出电隔离能力。在许多设备中，IGBT与工频电网有直接电联系，而控制电路一般不希望如此。另外，许多电路中的IGBT的工作电位差别很大，也不允许控制电路与其直接藕合。因此驱动器具有电隔离能力可以保证设备的正常工作，也有利于维修调试人员的人身安全。但这种电隔离不应影响驱动信譬的正常传输。具有栅压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极眼电压一般为20V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。输入输出信号传输无延时。这小仪能够减少系统响应滞后，而且能提高保护的快速性。人电感负载下，IGBT的开关时间不能过分短，以限制didt所形成的尖峰电压，保证IGBT的安全。2.3.

18、2、驱动电路IGBT的驱动电路如图9，此IGBT门极驱动电路采用了光耦合器使信号电路与门极驱动电路相隔离。当光电耦合器导通时，V截止， IGBT导通。光电耦合器截止，V导通，导通，IGBT截止。图9 IGBT驱动电路图2.4、触发电路设计方案 控制电路需要实现的功能是产生PWM信号，用于可控制电路中主功率器件的通断，通过对占空比的调节，达到控制输出电压大小的目的。此外，控制电路还具有一定的保护功能。 被实验装置的控制电路采用控制芯片SG3525为核心组成。芯片的输入电压为8V到35V。它的振荡频率可在100HZ到500KHZ的范围内调节。在芯片的CT端和放电端间串联一个电阻可以在较大范围内调节

19、死区时间。此外此外，其软起动电路非常容易设计，只需外部接一个软起动电容即可。图10 触发电路图第三章 系统仿真MATLAB软件语言系统是当今流行的第四代计算机语言，由于它在科学计算、数据分析、系统建模与仿真、图形图像处理等不同领域的广泛应用以及自身的独特优势，目前MATLAB受到个研究领域的推崇和关注。本文也采用MATLAB软件对研究结果经行仿真，以验证结果是否正确。3.1、建立仿真模型建立仿真模型的步骤：打开MATLAB，进入Simulink命令窗口建立主电路的仿真模型。构造控制部分进行参数设置，把电源设置为直流100V,脉冲信号周期设置为0.02S，脉宽为50，相位相差180。运行程序，打

20、开示波器观察完成波形观测及分析部分。最终完成仿真模型如图11所示：图11 单相半桥无源逆变电路仿真模型图12 电源参数设置图13 驱动脉冲信号参数设置3.2、仿真结果分析将仿真时间设为0.00s，选择ode113的仿真算法，将绝对误差设为1e-5，运行后可得仿真结果。如图14所示自上而下分别为直流输入电压、逆变器输出的负载交流电压、负载电流和V1、V2的脉冲波形。交流电压为50 v的方波电压，周期与驱动信号同为1kHz。由于选取的参考电压方向为负方向，则V1开通V2关断时负载电压方向为-50V。图14 单相半桥无源逆变电路仿真波形第四章 小结电力电子技术是一门技术基本课程，也是实用性很强的一门

21、课程。通过此次课程设计，使我更加扎实的掌握了有关电力电子方面的知识，能够很好的把课堂上所学的知识运用到实际中解决实际问题。虽然在设计过程中虽然遇到了一些问题，但经过自己一次又一次的思考，一遍又一遍的仔细检查终于找出了原因所在，同时也暴露出了前期我在这方面的知识欠缺和经验不足。实践是检验真理的唯一标志，只有通过亲自动手制作，找出问题所在才能更好的掌握的理论知识。总结本次设计的工作过程，主要做了下面几点较突出的工作：一、拿到课题后由于知识点比较疏散不知道从何下手，通过查阅大量的相关资料，详细了解了逆变电路的工作原理和IGBT的原理及其使用方法，清楚地了解了逆变电路与IGBT的优点，明确了研究目标，

22、结合系统的特点按模块化设计各个模块的相关电路结构。二，本文设计的IGBT单相半桥无源逆变电路设计（纯电阻负载）输入直流电压：Ud=100V，输出功率：300W，输出电压波形：1KHz方波。三，文章给出了系统具体的硬件设计方案,硬件结构电路图，各模块的详细介绍，软件流程图和具体汇编语言程序设计。四，在这次课程设计的过程中学会了MATLAB 的基本使用，利用MATLAB仿真感到MATLAB是一个实用性的强的软件。参考文献1王兆安，刘进军，电力电子技术，机械工业出版社，2009.52王兴贵，陈伟，现代电力电子技术（M）, 机械工业出版社20103黄忠霖、黄京，电力电子技术的MATLAB实践，国防工业出版社，20094李维波，MATLAB在电气工程中的应用，中国电力出版社，20075王文郁.电力电子技术应用电路.北京：机械工业出版社，20016 李宏.电力电子设备用器件与集成电路应用指南.北京：7 石玉、栗书贤、王文郁.电力电子技术题例与电路设计指导. 北京：机械工业出版社，1999