晶原生产工艺流程设备及真空泵文档格式.docx

1、当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序

2、里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5、圆边（Edge Profiling）：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。7、蚀刻（Etching）：以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层。8、去疵（Gettering）：用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利于后序加工。 9

3、、抛光（Polishing）：对晶片的边缘和表面进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得极佳的表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工。10、清洗（Cleaning）：将加工完成的晶片进行最后的彻底清洗、风干。11、检验（Inspection）：进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。12、包装（Packing）：将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往以下的芯片制造车间或出厂发往订货客户。芯片生产工艺流程： 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、

4、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格

5、，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边

6、或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。晶圆生产工艺流程介绍：表面清洗2、 初次氧化3、 CVD（Chem

7、ical Vapor deposition） 法沉积一层 Si3N4 （Hot CVD 或 LPCVD） 。（1）常压 CVD （Normal Pressure CVD）（2）低压 CVD （Low Pressure CVD）（3）热 CVD （Hot CVD）/（thermal CVD）（4）电浆增强 CVD （Plasma Enhanced CVD）（5）MOCVD （Metal Organic CVD） & 分子磊晶成长 （Molecular Beam Epitaxy） （6）外延生长法 （LPE） 4、 涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷 （2）预烘 （pre bake） （3）曝光 （4）

8、显影 （5）后烘 （post bake） （6）腐蚀 （etching） （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 （B+3） 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 （P+5） 离子，形成 N 型阱9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然

9、后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 （As） 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1） 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。（2） 真空蒸发法（ Evapo

10、ration Deposition ）（3） 溅镀（ Sputtering Deposition ） 19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性干式机械真空泵的应用是广泛的，主要有以下几个方面：1）低压化学气相沉积中的多晶硅制备工艺中；2）半导体刻蚀工艺。在这些生产工艺中往往用到或生成腐 蚀性气体和研磨微粒；3）除半导体工艺外的某些产生微粒的工艺，不希望微粒混入泵油中，而希望微粒排出泵外，则用一定型式的干式机械真空泵可以满

11、足要求； 4）在化学工业、医药工业、食品工业中的蒸馏、干燥、脱泡、包装等，要防止有机溶剂造成污染，适合用干式真空泵；5）用做一般无油清洁真空系统的前级泵， 以防止油污染。Edwards的iGX干式泵具有能耗低的特点，能够应用于大量中小功率的设备，包括：真空进样室、传送装置、计量、平版印刷术、PVD工艺和预清洁、RTA、带材/粉末、氧化物、硅材料和金属的蚀刻以及注入源等等供应英国BOCEDWARDS爱德华真空泵EDWARDS爱德华EM系列E1M5,E1M8,E1M12,E1M18,E1M30,E1M40,E1M80,E1M175, E1M275,E2M0.7,E2M1,E2M1.5,E2M2,E

12、2M5,E2M8,E2M12,E2M18,E2M28,E2M30,E2M40,E2M80,E2M175,E2M275,E-Lab2EDWARDS爱德华RV系列RV3,RV5,RV8,RV12EDWARDS爱德华EHEH250,EH500,EH1200,EH2600,EH4200EDWARDS爱德华QMBQMB-250,QMB500,QMB1200英国爱德华BOCEDWARDS真空泵：型号：RV3RV5RV8115/220-240V单相50/60HzSE65201903SE65301903SE65401903RV12SE65501903应用领域空气排出彻底，噪音小稳定可靠性强易于使用和维护气镇调

13、节，卓越的水蒸气处理性能高真空、高抽量模式切换专利技术世界公认高真空模式电镜质谱硅芯片技术作为涡轮泵和扩散泵的前级泵高抽量模式蒸馏溶剂浓缩冷冻烘干高性能合金产品 化学工业 :干燥,过滤,精馏,蒸馏,容剂回收,冻干 冶金 :真空熔化,成型,烧结 半导体镀膜技术 : CVD,PVD, 等离子刻蚀,反应离子刻蚀,离子注入,气阿尔卡特典型应用工艺： ADP 122 LM, ADS 602 LM 真空进片室，传送室，物理气相沉淀，镀膜 ADP 122 P, ADS 602 P, ADS 1202 P, ADS 1802 P 灰化，玻璃拆封，电介质，线蚀刻，注入源，介质化学气相沉淀 ADS 602 H,

14、ADS 1202 H, ADS 1802 H等离子增强化学气相淀积，低压化学气相沉淀日本Anlet安耐特ETS系列无油鲁氏真空泵及台湾Kawake凯威科Screwvac系列无油螺旋式真空泵应用范围如下：真空镀膜、真空热处理、真空干燥、真空脱气、真空脱泡、真空含浸、真空包装、真空吸著、真空搬运、真空食品加工、真空烧结、真空充填、真空灌注等。 实际应用产业有：半导体制程真空、液晶显示器制程真空、电子厂中央真空系统、医院中央真空系统、食品医药制程真空、灯具制程真空、冷冻空调制程真空、线路板压合制程真空、光学镜片、金属镀膜真空、VCD&DVD光盘表面真空溅镀、包装印刷真空吸著、玻璃、大理石、金属大型重物真空搬运等。