1、绕制时绕线要尽量分布得紧凑、均匀,这样线圈和磁路空间上更接近垂直关系,耦合效果更好。初级和次级绕线也要尽量靠得严密。2 RCD钳位电路参数设计2.1 变压器等效模型 图1为实际变压器的等效电路,励磁电感同理想变压器并联,漏感同励磁电感串联。励磁电感能量可通过理想变压器耦合到副边,而漏感因为不耦合,能量不能传递到副边,假如不采取措施,漏感将通过寄生电容释放能量,引起电路电压过冲和振荡,影响电路工作性能,还会引起EMI问题,严重时会烧毁器件,为抑制其影响,可在变压器初级并联无源RCD钳位电路,其拓扑如图2所示。2.2 钳位电路工作原理 引入RCD钳位电路,目的是消耗漏感能量,但不能消耗主励磁电感能
2、量,否那么会降低电路效率。要做到这点必须对RC参数进展优化设计,下面分析其工作原理: 当S1关断时,漏感Lk释能,D导通,C上电压瞬间充上去,然后D截止,C通过R放电。实验说明R或C值越小就会这样,R太小,放电就快,C太小很快充满,小到一定程度就会这样回到零。均是将反射电压吸收了局部 1)假设C值较大,C上电压缓慢上升,副边反激过冲小,变压器能量不能迅速传递到副边,见图3(a);此句有道理,因为初级电流下降时次级电流开场上升。 2)假设C值特别大,电压峰值小于副边反射电压,那么钳位电容上电压将一直保持在副边反射电压附近,即钳位电阻变为死负载,一直在消耗磁芯能量,见图3(b);实验说明R或C值越
3、小就会这样,但不一定会到零,R太小,放电就快,C太小很快充满,小到一定程度就会这样回到零。3)假设RC值太小,C上电压很快会降到副边反射电压,故在St开通前,钳位电阻只将成为反激变换器的死负载,消耗变压器的能量,降低效率,见图3(c): 4)假如RC值获得比拟适宜,使到S1开通时,C上电压放到接近副边反射电压,到下次导通时,C上能量恰好可以释放完,见图3(d),这种情况钳位效果较好,但电容峰值电压大,器件应力高。 第2)和第3)种方式是不允许的,而第1)种方式电压变化缓慢,能量不能被迅速传递,第4)种方式电压峰值大,器件应力大。可折衷处理,在第4)种方式根底上增大电容,降低电压峰值,同时调节R
4、,使到S1开通时,C上电压放到接近副边反射电压,之后RC继续放电至S1下次开通,如图3(e)所示。本人认为此分析清楚地说明RC放电时间常数要大于开关周期,至少要大于截止时间,也就是RC振荡频率小于开关频率。2.3 参数设计 S1关断时,Lk释能给C充电,R阻值较大,可近似认为Lk与C发生串联谐振,谐振周期为TLC=2、LkC,经过14谐振周期,电感电流反向,D截止,这段时间很短。由于D存在反向恢复,电路还会有一个衰减振荡过程,而且是低损的,时间极为短暂,因此叮以忽略其影响。总之,C充电时间是很短的,相对于整个开关周期,可以不考虑。本人认为这讲的极有道理,开关管截止时间里充电过后就要放电,所以在
5、实际实验中假如R太小还没到开关管导通C的电已放完了,故出现了一个平台,这时会消耗反射电压的能量,所以R的取值一定要使C的放电电压在开关管导通时不小于反射电压。在进入到导通时间后C的电压为负值,千万不要认为是某个电压对C反向充电,本人认为是开关管导通后呈现的低电位。 对于理想的钳位电路工作方式,见图3(e)。S1关断时,漏感释能,电容快速充电至峰值Vcmax,之后RC放电。由于充电过程非常短,可假设RC放电过程持续整个开关周期。 RC值确实定需按最小输入电压但有的书上说是按最大值,实际测试说明似乎应是最大值,最大负载,即最大占空比条件工作选取,否那么,随着D的增大,副边导通时间也会增加,钳位电容
6、电压波形会出现平台,钳位电路将消耗主励磁电感能量。 对图3(c)工作方式,峰值电压太大,现考虑降低Vcmax。Vcmax只有最小值限制,必须大于副边反射电压 可做线性化处理来设定Vcmax,如图4所示,由几何关系得此公式一时难以理解 为保证S1开通时,C上电压刚好放到需满足 将(1)式代入(2)式可得这个公式有误,应该是 对整个周期RC放电过程分析,有 根据能量关系有 式中:IpkLk释能给C的电流峰值将式(1)和式(4)代人式(5),得同理这公式有错误应是除以LnDon. 结合式(3),得应是 电阻功率选取根据fs为变换器的工作频率。3 实验分析 输入直流电压30(12)v,输出12VlA,
7、最大占空比Dmax=0.45,采用UC3842控制,工作于DCM方式,变压器选用CER28A型磁芯,原边匝数为24匝,副边取13匝。 有关实验波形如图5图8所示。 图7显示在副边反射电压点没有出现平台,说明结果与理论分析吻合。4 结语 按照文中介绍的方法设计的钳位电路,可以较好地吸收漏感能量,同时不消耗主励磁电感能量。经折衷优化处理,既抑制了电容电压峰值,减轻了功率器件的开关应力,又保证了足够电压脉动量,磁芯能量可以快速、高效地传递,为反激变换器的设计提供了很好的根据。网上相关人员讨论:1关于吸收电路的问题,很有分析的必要,我也曾对此仔细分析过。我再分析一下,你可以按照这个思路自己进展计算。开
8、关管漏极上的电压由三局部组成:电源电压,还击感应电压(等于输出电压除以杂比),漏感冲击电压。吸收电路,一定要让他只吸收漏感冲击电压,而不要对另外电压起作用,那样不仅会增大吸收电阻的负担,还会降低开关电源的效率。首先计算吸收电阻的功耗,假如能做到只对漏感能量吸收,那么他的功率容量应该是漏感功率的1.5-2倍。漏感的量能为0.5*Ls*Ip*Ip*f,f=工作频率,Ls=漏感,Ip关断时的开关管峰值电流,这样算出来的结果是很准确的。由于吸收电容的另一端是接在正电源上的,所以它的电压只有两局部:还击感应电压(等于输出电压除以杂比),漏感冲击电压。电压是一个微分波形,也就是电容放电波形,随着放电,电压
9、会越来越低,当开关管的截止期完毕时,一定不要让电压下降到反激感应电压以下,否那么就会损耗“本体能量。再计算吸收元件的数值,电容太小时,漏感能量灌入后,电压会突升的太高,有可能击穿开关管,可以根据你的开关管耐压,和你希望的振铃高度,确定一个峰值电压,比方100伏,截止期完毕时,我们给他定一个终止电压,比方50伏,这样,就可以计算出吸收电容的数值来:原理是,电容电压变化量所导致的能量差 = 一个周期的漏感能量。上面的公式5 假设反激感应电压为U,那么电容电压的最大值就是(U+100),最小值就是(U+50),电容中的能量有一个计算公式,Ec=0.5*C*U*U, 所以,能量差就是:Ech-Ecl=
10、0.5*C*(U+100)*(U+100)-(U+50)*(U+50),U是的,能量差也是的,电容还算不出来吗?最后计算吸收电阻。电容放电公式:u=Uo*exp(-t/),t/=-ln(U+50)/(U+100)经本人推算应是t/=-ln(U+100)/(U+50),或-t/=-ln(U+50)/(U+100),掉了个负号原文作者在发贴时可能笔误,t=截止期时间(按正常工作时的截止时间计算),可以算出,=RC吸收时间常数,那么吸收电阻不也就出来吗?本人认为这个讲的有道理.2.2.7A漏感的能量为0.5*Ls*Ip*Ip*f,f=工作频率,Ls=漏感,Ip关断时的开关管峰值电流 Wlou= 0.
11、5*Ls*Ip*Ip*f = 0.5 * 29*10(-6) * 2.7 * 2.7 * 70*10(3) = 7.3 W 由上面漏感能量数值可看出,漏感能量太大了,假如此能量全都由电阻来消耗,按两倍功率计算,要15W的电阻。这是无法办到的。这么大的功耗,从上面计算可以看出,是由于初级Ip太大造成的。假如是几十W的电源,那么功耗就可以承受了。对以上结果,请问计算有问题没有?有什么方法?3是的,这个功耗是太大,漏感功耗没有别的去处,只能消耗在吸收电阻上。像这种功率较大的开关电源,一般都是工作在连续状态,否那么,开关管的功率容量和磁芯的功率容量都得不到充分利用,还有一个问题,就是工作在不连续或者临
12、界状态的变压器,由于其磁通变化量太大,变压器的发热量也是个不容无视的问题。我上面没说,你的初级电感量太小,变压器可能工作在非连续状态。增大电感量,初级电流自然就降下来了。你可以这样计算:让磁通的变化量p-p/磁通平均值=0.3左右。另外,假如电源的平安系数要求不是太高医疗仪器要求高,可以适当减小初次级之间的绝缘厚度,以减小漏感,你的漏感量在正常的数值范围内,但不是特别的小,大功率的电源,漏感就是个很费事的问题4.你好,非常感谢。初级电感和漏感的数值在上面第十贴中写出来了,我是刚测的数据。测时发现,初次级间不加铜皮屏蔽漏感小。这应是正常的吧。也可能是漏感加大的缘故,加了屏蔽后尖峰反而大了。5.
13、初次级间不加铜皮屏蔽漏感小,是正常的。所谓漏感是通过本线圈的磁力线没有完全通过另一线圈所产生的,增加铜皮屏蔽,相当于线圈之间的耦合难度增大,故漏感增大,分布电容减少。想减少尖峰,最好的方法是减少变压器漏感,其次是在MOS管漏极加磁珠,这样都会减少损耗,还有就是无损吸收,最后就是用RCD这种有损吸收的方式。6. 是的,铜箔不是磁性材料,它只对电场起作用,对磁场而言,它和绝缘材料差不多.网上有人这样讲: rcd的rc时间常数必须长于开关周期,也就是rc震荡频率要小于开关频率,这样子防止在管子未开通前放电完毕而导致二极管再次开通,造成系统的震荡.本人仔细分析了一下,这样讲有一定的道理, 但P126里
14、讲RC时间常数等于第一个尖峰和第二个尖峰时间的3倍就够了,这个我认为有点错, 因为有人讲振荡频率是指第一个脉冲以后的,从图上看根本差不多,第一个脉冲是漏感往C里面充电的过程,然后根据回复时间D有一个关断过程,当然认为是一个振荡也可以,只是时间和后面的振荡相比就太长了。所以一般认为一两个脉冲之后的才算振荡前几个脉冲由于单向导电也不象正旋波,因为后面的振荡和RC根本无关了, 只有第一个尖峰脉冲的能量被吸收,后面的脉冲电压都达不到吸收的门槛电平,所以是在自己震荡,与R,C无关了. 只有第一个尖峰脉冲的能量被吸收,后面的脉冲电压都达不到吸收的门槛电平,所以是在自己震荡本人认为是漏感和分布电容,与R,C
15、无关了.假如RC时间常数太小了,在截止时间内C的电放完了,那反激电压岂不是又要向C充电而形成振荡?本人认为至少要大于开关管截止时间.这是电源网上另一个人讲的:RCD是给变压器漏感提供泻放回路的。反激变换同正激有所不同,反激变压器可以看作是一个耦合电感,所以不像正激一样有磁芯复位的要求。但是,由于反激变压器大都开了气隙,所以漏感比拟大,漏感能量也比拟大需要一个泻放的通路。上面接法的RCD的作用就是当开关管关断时漏感电流通过D对C充电,由于C的存在形成LC谐振。一般来讲是需要限制这个谐振电压的峰值的。应该是输入直流电压最大值+次级按变比折算过来的反射电压+LC谐振峰值电压?MOS的额定电压。R的作用是降低LC的Q值,使震荡衰减。一般控制LC频率在开关频率三倍以上,这不是绝对。频率越高那么电容越小,但是谐振峰值大,频率低了谐振的时间就比拟长,影响能量传递。R大了衰减的比拟慢,增加管子的损耗和干扰谐振能量。小了那么增加损耗降低效率。
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