1、(2) 利用T-Spice的对话框添加仿真命令。(3) 利用W-Edit观察波形。实验要求:(1)利用Tanner软件中的S-Edit、T-Spice和W-Edit,对NMOS管的参数进行仿真。NMOS器件的T-Spice参数仿真内容如下:a. MOS管转移特性曲线(给定VDS、W、L,扫描VGS)。b. MOS管输出特性曲线(给定VGS、W、L,扫描VDS)。c. 温度对MOS管输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、W、L,扫描Temp)。d. MOS管W对输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、W/L,扫描W)。e. MOS管L对输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、W/L,扫描
2、L)。f. MOS管W/L对输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、L,扫描W)。g. MOS管开关电路输入/输出波形(输入一定频率的方波)。h. 在MOS管开关电路输入/输出波形中找出传输时间、上升时间和下降时间。i. MOS管开关电路传输特性曲线。j. MOS管W/L对传输特性的影响(给定L、扫描W)。k. 在MOS管传输特性曲线上找出测量输入、输出电压门限,计算噪声裕度。(2)记录操作步骤,截取相应图片,完成实验报告。二、实验环境、Tanner软件简介及SPICE命令。实验环境:Tanner(S-Edit、T-Spice、W-Edit)SPICE命令的插入:Edit Insert Co
3、mmand命令或工具栏中的,打开T-Spice Command Tool(T-Spice命令工具)对话框,可以在活动输入文件中插入命令。三、实验流程框图。四、实验步骤。1.在S-Edit中绘制电路原理图,导出SPICE文件。(1)新建一个文件,新建一个模块,module-new,添加所需要的工艺库。(2)绘制原理图。注:用导线连接电路,用改变器件属性,并保存。(3)点击图标导出SPICE文件。2.在T-Spice中添加仿真命令,通过W-Edit观察波形。点击图标,打开T-Spice Command Tool(T-Spice命令工具)对话框,在活动输入文件中插入仿真命令。(1) 添加所需的工艺库
4、。library section项填tt。(2)分析 NMOS管的转移特性。分别加入analysisdc transfersweep和outputDC results指令,点击进行仿真。转移特性曲线:(3)分析NMOS管的输出特性。输出特性曲线:(4)温度对NMOS管输入/输出特性的影响。温度扫描:(5)NMOS器件宽长比对输入/输出特性的影响。由于要讨论nmos管宽长比对输入输出特性的影响,所以固定L,让W变化。先将SPICE文件中nmos管的参数W=2.4u改为W=w ,即设W为变量w,然后设置变量w的初始值,最后设置让w从0.55u到10u进行线性扫描,一共扫描20个点。SPICE文件:
5、NMOS宽长比对输入/输出特性的影响:3. MOS管开关电路。(1)绘制原理图。(2)在T-Spice中加入仿真命令,进行输出电压的直流扫描和输入输出电压的瞬态扫描。输出电压的直流扫描和输入输出电压的瞬态扫描:(3)MOS管开关电路时间的测量。通过Output-measure命令,计算上升下降时间。在measure命令窗口中,Analysis为分析类型; measurement result为项目名称; trigger及target为触发栏,记录事件发生的时间。(4)MOS管宽长比对开关电路的影响。输出波形:开关电路的电压门限及噪声裕度:利用标尺工具,估测电压门限V(OL)、V(OH)、 V(IH)、V(IL),计算下列参数。低电平噪声容限:NML=V(IL)-V(OL);高电平噪声容限:NMH=V(OH)-V(IH)。V(OL)=0.46 V(OH)=5V(IH)=2.87 V(IL)=1.1NML=V(IL)-V(OL)=0.64NMH=V(OH)-V(IH)=2.13
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