完整word版《模电》经典题目含答案推荐文档.docx

1、完整word版模电经典题目含答案推荐文档 模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ ）a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小2共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ）。a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大3多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ ）。

2、a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关4一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（ ）。a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-55LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（ ）。a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，Vo=Vc1Vc，设差模电压增益，共模电压增益，则输出电压为（ ）。

3、a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77对于图1-7所示的复合管，假设和分别表示T1、T2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流为（ ）。a. b. c. d. 8某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（ ）。a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈二、判断下列管子的工作状态（共10分）1测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a、b、c所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。图2-12电路如图2-2 a、b所示，分别指出

4、它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。图2-2三、两级放大电路如图3所示，已知三极管的，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。（共15分）1试说明T1和T2各组成什么电路组态？2画出中频区的h参数小信号等效电路；3计算放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro;4计算中频区源电压增益。图3四、电路如图4所示，设所有运放为理想器件。（共15分）1试求Vo1=? Vo2=? Vo3=?2.设电容器的初始电压为2V，极性如图所示，求使V04=6V所需的时间t=?图4五、一正弦波振荡电路如图5所示。问（共12分）1a、b两输入端中哪个是同相端，哪个是反相端？请在图中运放A处标出；

5、2该电路的振荡频率是多少？3Rt应具有正温度系数还负温度系数？4在理想情况下的最大输出功率Pom=?图5六、多级放大电路如图6所示。（共12分）1用瞬时变化极性法判别T1和T2的两个基极（b1和b2）中哪个是同相输入端，哪个是反相输入端，分别标以+和；2为了降低电路的输出电阻，应如何连接反馈电阻Rf,试在图上画出连线，并说明是哪种反馈极性和组态；3在满足深度负反馈条件下，试写出闭环电压增益的近似表达式。图6七、电路如图7所示，A1、和A2均为理想器件，Vz =5V。（共10分）1试画出的波形（注意相位关系）；2求出的幅值；3求出的周期。图7八、电路如图8所示，已知T1和T2的VBE=0.7V，

6、C1的放电时间常数大于（35），Vi=25V。试估算变压器副边电压的有效值V2、直流输出电压VO和负载最大电流IOm的值。（共10分）图8试卷三参考答案一、1b 2.c 3.b 4.c 5.d 6.d 7.d 8.a二、1T1截止，T2倒置，T3饱和 2T4工作在饱和区（放大区），T5工作在可变电阻区三、1T1组成共射电路，T2组成共集电路 2（略） 3 4 四、12t = 2 s五、1a为反相端，b为同相端 2 3R4应有正温度系数 4六、1b1为反相输入端，b2为同相输入端 2电压并联负反馈，Rf接在e4和b1间 3由，即得 七、1为方波，为三角波（为高电平时，由正向负方向变；反之，由负向

7、正方向变） 2、的幅值都为5V 3的周期T=0.2ms八、Vi/V2=1.1,V2=22.7V;由Vz=3V,得Vo=12V; Iom=VBE/R=(0.7/2)A=0.35A=350mA模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1某放大电路在负载开路时的输出电压4V，接入的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）a. 10 b. 2 c. 4 d. 32某共射放大电路如图1-2所示，其中，若已知IC=1mA,VCE=7V，VBE=0.7V，rbe=1.6,，则说明（ ）a. b. c.

8、d. 图1-23为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。a. 共射电路 b. 共基电路c. 共集电路 d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若为正弦波，则（ ）a. 有可能产生相位失真 b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真 d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（ ）。a. 开环或正反馈状态 b. 深度负反馈状态c. 放大状态 d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（ ）情况下容易引起自激。a. 回路增益大 b. 反馈系数太小c. 闭环

9、放大倍数很大 d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz，可选用（ ）。a. 低通滤波器 b. 高通滤波器c. 带通滤波器 d. 带阻滤波器8. 某传感器产生的是电压信号（几乎不能提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，这时放大电路应选（ ）。a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈9. LC正弦波振荡电路如图1-9所示，该电路（ ）。a. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡b. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡c. 满足振荡条件能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡图1-9 图1-1010. 图

10、1-10所示电路出现故障，经测量得知VE=0，VC=VCC，故障的可能原因为（ ）。a. Rc开路 b. Rc短路 c. Re短路 d. Rb1开路11. 与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功率放大方式的主要优点是（ ）。a. 不用输出变压器 b. 不用输出端大电容c. 效率高 d. 无交越失真二、两级阻容耦合放大电路如图2所示。已知T1的gm=1ms，rds=200;T2的，rbe=1。（共16分）1. 画出中频区的小信号等效电路；2. 求放大电路的中频电压增益；3. 求放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro。图2 图3三、在图3所示电路中，静态时Vo为零。三极管为硅管，VBE=0.7

11、V，。(共12分)1. 试计算Rc的值；2. 算出此时电路的电压增益四、分析电路（共18分）1. 电路如图4-1所示。(1) 采用o1输出时，该电路属于何种类型的反馈放大电路？(2) 采用o2输出时，该电路属于何种类型的反馈放大电路？(3) 假设为深度负反馈，求两种情况下的电压增益和。2. 某放大电路如图4-2所示。为了使Ro小，应引入什么样的反馈（在图画出）？若要求所选的反馈元件数值应为多大？图4-1 图4-2五、电路如图5所示。设A1A4为理想运放，三极管T的VCES=0，ICEO=0。（共14分）1A1A4各组成什么电路？2设时，电容器上的初始电压。求和时，A、B、C、D和E各点对地的电

12、压。图5六、在图6所示电路中，A1和A2均为理想运放，模拟乘法器的系数，为输入端两个对地电压的差值，。试写出输出电压的表达式。（共8分）图6七、电路如图7所示，试指出哪些地方存在错误或不合理之处。（共10分）图（a）所示为10倍交流放大器，图（b）所法为压控电流源，图（c）所示为100倍直流放大器，图（d）所示为带整流滤波的并联式稳压电路，图（e）所示为串联反馈型稳压电路。图7试卷二参考答案一、1. c 2. d 3. c 4. d 5. a 6. a 7. c 8. d 9. d 10. d 11. c二、1略 2. , 3. 三、1， 2第一级 第二级 四、1(1)电流串联负反馈电路 (2

13、)电压串联负反馈电路 (3) 2为了使Ro小，应引入电压并联负反馈；要使（Rf连在运算放大器的反相输入端和T1、T2的发射极之间）。五、1A1组成减法运算电路，A2组成积分运算电路，A3组成反相器，A4组成电压比较器。2，有t/svA/VvB/VvC/VvD/VvE/V10.3336020.36669六、 七、图a 同相端无直流偏置，需加接一电阻到地图b RL与R的位置应互换图c为正反馈电路，应将同相端和反相端位置互换图d C与DZ间应加限流电阻R图e 基准电压应从运放同相端输入，取样电压应从运放反相端输入试卷二系别 学号 姓名 成绩 考试课程 模拟电子技术基础 考试日期 2002 年 月日题

14、号一二三四五六七八九总分分数得分核分人阅卷人1单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分)(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A掺杂浓度 B工艺 C.温度 D晶体缺陷(2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。-2V-8V-2.2V A正向导通状态 B反向电击穿状态 C反向截止状态 D反向热击穿状态(3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示，ANPN型硅管 BNPN型锗管 CPNP型锗管 DPNP型硅管(4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A和ICBO增大，UBE下降 B和UBE增大，ICBO减小 C减小，ICBO和UBE增大 D、ICBO和UBE均增大 (图1)(5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，与相位相反、AU