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1、HSPICE与CADENCE仿真规范与实例word文档良心出品电路模拟实验专题实验文档一、简介本实验专题基于SPICE（Simulation Program With Integrated Circuit）仿真模拟，讲授电路模拟的方法和spice仿真工具的使用。SPICE仿真器有很多版本，比如商用的PSPICE、HSPICE、SPECTRE、ELDO，免费版本的WinSPICE，Spice OPUS等等，其中HSPICE和SPECTRE功能更为强大，在集成电路设计中使用得更为广泛。因此本实验专题以HSPICE和SPECTRE作为主要的仿真工具，进行电路模拟方法和技巧的训练。参加本实验专题的人员

2、应具备集成电路设计基础、器件模型等相关知识。二、Spice基本知识 (2)无论哪种spice仿真器，使用的spice语法或语句是一致的或相似的，差别只是在于形式上的不同而已，基本的原理和框架是一致的。因此这里简单介绍一下spice的基本框架，详细的spice语法可参照相关的spice教材或相应仿真器的说明文档。首先看一个简单的例子，采用spice模拟MOS管的输出特性，对一个NMOS管进行输入输出特性直流扫描。VGS从1V变化到3V，步长为0.5V；VDS从0V变化到5V，步长为0.2V；输出以VGS为参量、ID与VDS之间关系波形图。*Output Characteristics for N

3、MOSM1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0uVGS 1 0 1.0VDS 2 0 5.op.dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5 .plot dc -I(vds).probe*model.MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U+LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7.end描述的仿真电路如下图，图2-1 MOS管输入输入特性仿真电路图得到的仿真波形图如下图。从这个简单的spice程序中可以知道spice电路描述的主要组成部分。（1） 标题和电路结束语句在输入的电路描述语句中输入的第一条语句必须是标题语句，最后一条必须

4、是结束语句。在本例中，*Output Characteristics for NMOS 标题 . .end 结束语句（2） 电路描述语句电路描述语句描述电路的组成和连接关系，包括元器件、激励源、器件模型等描述，另外，如果电路是层次化的，即包含子电路，电路描述部分还包括子电路描述（.subckt）。在描述元器件时，要根据类型，采用不同的关键字作为元件名的第一个字母，元器件关键字见下表。如本例中，NMOS管的描述为：M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u表示的意思为：元器件关键字x D G S B 模型名 宽=xx 长=xx其中D：漏结点；G：栅结点；S：源结点；B：衬底结点。器

5、件模型描述电路中所使用的器件的spice模型参数，语句为.model。如在本例中，.MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U+LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7其中MNMOS为模型名，以便在元器件调用时使用，NMOS为模型的关键字。元器件类型元器件关键字电阻R电容C电感L二极管DNPN或PNP双极型晶体管QN沟或P沟结型场效应晶体管JN型或P型MOS场效应晶体管MGaAs场效应晶体管B电压控制开关S电流控制开关W互感K激励源说明供激励用的独立源和受控源，比如：V: 独立电压源； I: 独立电流源；E: 电压控制电压源； F: 电流控制电流源；G:

6、 电压控制电流源； H: 电流控制电压源，等等。（3） 分析类型描述语句分析类型描述语句说明对电路进行何种分析。比如，直流工作点（.op），直流扫描分析（.dc），交流分析（.ac），噪声分析（.noise），瞬态分析（.tran）等等。（4） 控制选项描述语句控制选项用于描述spice仿真时的相关控制选项，一般在.option内进行设置，另外还有打印及输出控制选项（.print、.plot、.probe）等等现将整个spice程序例子标注如下：*Output Characteristics for NMOS 标题M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u 元器件描述 （模型名为

7、MNMOS的场效应MOS管M1， 漏结点2、栅结点1、源结点0、衬底结点0， 栅宽5um，栅长1um）VGS 1 0 1.0 激励源描述 （连接在1和0结点之间的1V独立电压源）VDS 2 0 5 激励源描述 （连接在2和0结点之间的5V独立电压源）.op 分析类型描述，直流工作点分析.dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5 分析类型描述，直流扫描分析（VGS从1V变化到3V，步长为0.5V；VDS从0V变化到5V，步长为0.2V）.plot dc -I(vds) 控制选项描述，打印声明.probe 控制选项描述，打印输出*model.MODEL MNMOS NMOS VTO=0.

8、7 KP=110U 器件模型描述，定义模型名为MNMOS+LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7 的NMOS类型的模型.end 结束语句三、Hspice电路仿真 （1+3）HSPICE的输入网表文件通常为.sp文件，输出文件有运行状态文件.st0、输出列表文件.lis、瞬态分析文件.tr、直流分析文件.sw、交流分析文件.ac等，输出文件有运行状态文件.st0和输出列表文件.lis在每次hspice运行后均有出现，其他的输出文件视spice程序中选择的分析类型而出现，并且可以在波形显示工具中显示，如Avanwaves、cosmos scope等。输入spice网表（程序）文

9、件和库输入文件能够由一个线路网表转换器或用一个文本编辑器产生。1.写输入网表文件的规则输入网表文件的第一个语句必须是标题行，最后一个语句必须是.END语 句，它们之间的语句次序是随意的，除非是续行（行首有“”的行）必须接在要接下去的行后面。注释行以*打头，可加在文件中的任何地方。2. 输入文件的编辑(a)HSPICE 采用自由格式输入。语句中的域由一个或多个空格，一个Tab，一个逗号， 一个等号或一个左/右圆括号分开。(b)除UNIX 系统中的文件名外，不予区分大写或小写字母。(c)每行语句长度限于80 个字符以下。(d)一个语句如在一行写不下，可以用续号继续下去。续行以“+”作为第一个非数值

10、、非空格字符。(e)输入网表文件不能被“打包”，也不能被压缩。(f)输入网表文件中不要采用特殊的控制字符。图3-1 Hspice的模拟流程1、工具的使用Hspice可以采用命令行或图形界面的方式执行，命令行的方式如下，hspice 不生成lis文件，lis文件的内容打印到屏幕上。hspice i -o 生成以输出文件名命名的lis文件。相对方便的方式是采用图形界面的方式，如下图3-2 hspice仿真图形界面按Simulate执行仿真，之后，采用Avanwaves或Cscope来显示波形，分别如下，图3-3 Avanwaves波形查看软件界面图3-4 Cosmos Scope波形查看软件界面2

11、、基本电路分析下面以下图所示的电路为例子，说明hspice的基本仿真方法。图3-5 一个基本的共源级放大器的例子此电路为共源级放大器，负载为电流源，电流源采用电流镜实现，偏置为电阻与电流镜实现的简单偏置。各结点号已标注在图中，其中GND的默认结点号为0结点。2.1直流仿真图中电路的直流仿真spice程序如下，* DC analysis for AMPM1 2 1 0 0 MOSN w=5u l=1.0uM2 2 3 4 4 MOSP w=5u l=1.0uM3 3 3 4 4 MOSP w=5u l=1.0uR1 3 0 100KCL 2 0 5pVdd 4 0 DC 5.0Vin 1 0 D

12、C 5.0.op.dc Vin 0 5 0.1 .plot dc V(2).probe.option list node post*model.MODEL MOSN NMOS VTO=0.7 KP=110U+LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7.MODEL MOSP PMOS VTO=-0.7 KP=50U+LAMBDA=0.05 GAMMA=0.57 PHI=0.8.end.op是分析直流工作点的语句。此语句在进行电路直流工作点计算时，电路中所有电感短路，电容开路。值得注意的是，在一个HSPICE 模拟中只能出现一个.OP 语句。.dc 是直流扫描分析。该语句规定了直流

13、传输特性分析时所用的电源类型和扫描极限。在直流分析中，.DC 语句可进行a. 直流参数值扫描b. 电源值扫描c. 温度范围扫描d. 执行直流蒙特卡罗分析（随机扫描）e. 完成直流电路优化f. 完成直流模型特性化.DC 语句具体格式取决于实际应用需要，下面给出了最常用的应用格式：.DC var1 START=start1 STOP=stop1 STEP=incr1在本例中，.dc Vin 0 5 0.1，输入端的电压源Vin从0V变化到5V，步长为0.1V。.DC语句可以采用嵌套的形式，比如，.DC var1 START=start1 STOP=stop1 STEP=incr1 var2 STA

14、RT=start2 STOP=stop2 STEP=incr2下面是做温度扫描的例子，.DC TEMP -55 125 10下图是此电路的直流扫描结果。可见在11.12V区域内是此放大器的高增益区。2.2交流仿真图中电路的交流仿真spice程序如下，* AC analysis for AMPM1 2 1 0 0 MOSN w=5u l=1.0uM2 2 3 4 4 MOSP w=5u l=1.0uM3 3 3 4 4 MOSP w=5u l=1.0uR1 3 0 100KCL 2 0 5pVdd 4 0 DC 5.0Vin 1 0 DC 1.07 AC 1.0.op.ac DEC 20 100 100MEG *.plot ac VDB(2) VP(2).probe.option list node post*model.MODEL MOSN NMOS VTO=0.7 KP=110U+LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7.MODEL MOSP PMOS VTO=-0.7 KP=50U+LAMBDA=0.05 GAMMA=0.57 PHI=0.8.end交流仿真结果2.3瞬态仿真图中电路的瞬态仿真spice程序如下* TRAN analy