1、一般SRAM用于仅需要小于64KB数据存储器的小系统或作为大系统中高速缓冲存储器;而DRAM常用于需要大于64KB的大系统,这样刷新电路的附加成本会被大容量的DRAM低功耗、低成本等利益所补偿。SRAM的基本结构如图所示。RAM的结构大体由三部分组成:地址译码器,存储矩阵,输入/输出电路。SRAM的基本结构1. 地址译码方式地址译码有两种方式,一种是单译码方式,或称为字结构方式;另一种是双译码方式,或称为X-Y译码结构。1)单译码方式16字4位的存储器共有64个存储单元,排列成16行4列的矩阵,每个小方块表示一个存储单元。电路设有4根地址线,可寻址2416个地址逻辑单元,若把每个字的所有4位看
2、成一个逻辑单元,使每个逻辑单元的4个存储单元具有相同的地址码,译码电路输出的这16根字线刚好可以选择16个逻辑单元。每选中一个地址,对应字线的4位存储单元同时被选中。选中的存储单元将与数据位线连通,即可按照要求实现读或写操作了。 16字4位单译码存储器结构2)双译码结构下图是一个双译码结构的16字1的地址译码存储器。视每个字的1位存储单元构成一个逻辑单元,图中每个小方块表示一个逻辑单元。16个可寻址逻辑单元排列成44的矩阵,为减少地址译码电路的输出数量,采用双重译码结构,每个地址译码的输出线数为224根(单译码方式需16根地址输出线)。图中A0、A1是行地址码,A2、A3是列地址码。行、列地址
3、经译码后分别输出4根字线X0X3和Y0Y3。X字线控制矩阵中的每一行是否与位线连通,一行中究竟哪个逻辑单元被选中则由Y字线控制。被选中的单元将与数据线连通,以交换信息。图2.3.3 双译码结构地址译码存储器2. 读写控制电路在RAM结构中,读出和写入的数据线是公用的,为控制电路中数据的流向,设立了专门的读写控制电路。读写控制电路门G1、G2是控制信号为高电平有效的三态门,I/O线即为RAM的外接数据总线。在控制信号的作用下,它可以和存储单元的内部数据线D接通或断开。当片选信号CS = 0有效时,读写控制信号WE可以控制信号的流向。若WE = 1时,外电路向存储器读取数据,门G4导通,输出高电平
4、,门G3截止,对应输出给三态门G1的控制信号无效,G1输出高阻状态,G2开启,D上的数据通过G2送到总线I/O上,实现读操作。当WE = 0时,情况刚好和前面相反,这时G1开启,G2输出高阻状态,数据只能由I/O送给D,实现写操作。2.3.2 ROM存储器只读存储器(ROM)的特点是:其内容是预先写入的而且一旦写入,使用时就只能读出不能改变,掉电时也不会丢失。1. ROM的结构与工作原理 ROM的结构与RAM十分相似,它由存储矩阵、地址译码器、读放与选择电路组成。地址译码器可以是单译码,也可以是双译码。ROM的结构框图2. ROM的点阵结构表示法 如图所示,将存储器字线和位线画成相互垂直的一个
5、阵列,每一个交叉点对应一个存储元,交叉点上有黑点表示该存储元存1,无黑点表示该存储元存0,这就是存储器的点阵图表示方法。ROM点阵结构表示法是一种新思路,它对后来其他可编程器件的发展起到了奠基作用。ROM的点阵结构表示图如果把ROM看作组合逻辑电路,则地址码A1A0是输入变量,数据码D3D0是输出变量,由上图可得输出函数表达式:3.政府部门规章逻辑函数是与或表达式,每一条字线对应输入变量的一个最小项。由此可列出逻辑函数真值表。1)按类型分。环境标准按类型分为环境质量标准、污染物排放标准(或控制标准)、环境基础标准、环境检测方法标准、环境标准样品标准。 上图中ROM存储器的内容意愿调查评估法(简
6、称CV法)是指通过调查等方法,让消费者直接表述出他们对环境物品或服务的支付意愿(或接受赔偿意愿),或者对其价值进行判断。在很多情形下,它是唯一可用的方法。如用于评价环境资源的选择价值和存在价值。地址(输入端)例题-2006年真题下列关于建设项目环境影响评价实行分类管理的表述,正确的是()数据(输出端)A1以森林为例,木材、药品、休闲娱乐、植物基因、教育、人类住区等都是森林的直接使用价值。A01)直接使用价值。直接使用价值(DUV)是由环境资源对目前的生产或消费的直接贡献来决定的。D3D2D12.早期介入原则;D0专项规划中的指导性规划 环境影响篇章或说明0仍以森林为例,营养循环、水域保护、减少
7、空气污染、小气候调节等都属于间接使用价值的范畴。第五章环境影响评价与安全预评价013. 闪速存储器闪速存储器(Flash EEPROM)可以用来存放程序,但由于其读写方便,也可以像RAM一样存放经常需要修改的数据,所以又称为Flash Memory。与其他类型半导体存储器相比较,Flash EEPROM具有大容量、读写方便、非易失性和低成本4个显著优点,在单片机控制系统和移动信息设备中得到广泛的应用。1)低电压在线编程,使用方便,可多次擦写现代的Flash EEPROM存储器都只使用5V或3V单电源供电,而编程时所需的高压及时序均由片内的编程电路自动产生,外围电路少,编程就像装载普通RAM一样
8、简单, 而高压编程电流也只有几毫安,因此非常适合于在应用系统中(尤其在低电压系统中)进行在线编程和修改,在智能化的工业控制和家电产品等方面都得到了很广泛的应用。其可重复擦写寿命也都在105次以上,能够满足许多场合的需要。 2)按块/按扇区擦除,按字节编程Flash EEPROM产品,可以以小扇区为单位进行擦除(几十字节到几百字节为一个扇 区),也可以全片快速擦除。而编程则是按字节进行。3)完善的数据保护功能Flash EEPROM具有以下5种软、硬件保护功能,保证片内数据不会意外丢失。(1)噪声滤波器:所有的控制线都有过滤电路,以消除任何小于15ns噪声脉冲。(2)Vcc感应器:一般Vcc跌至3.8V以下(对3V器件为1.8V以下)时,编程将被禁止。(3)上电延迟:Vcc在上电后的5ms内,编程被禁。(4)三线控制:OE、CE及WE三条控制线只要一条不处于正确电平,编程将被禁止。(5)软件数据保护:所有对Flash EEPROM的数据的改写都需要通过编程算法完成。在单片机系统中主要采用大容量的Flash EEPROM,对Flash EEPROM的访问通过分页面的方法来进行,详细的接线方法见第7章。
copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有
经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1