《传感器与检测技术》实验指导书修订详解Word格式文档下载.docx

1、学时教学目标、要求1箔式应变片桥路性能比较2教学目标：观察电阻应变片组成结构，了解箔式应变片工作原理，熟悉半桥、全桥电路。教学要求：观察应变片输出电路分别接成半桥、全桥时的输出变化，作出特性曲线，分析灵敏度等静态特性。电涡流式传感器的静态标定了解电涡流传感器工作原理，观察组成结构，熟悉有关测量电路。实验求出线圈与涡流片间位移变化时输出信号特性曲线，分析计算其静态特性。3差动变面积式电容式传感器的特性掌握电容式传感器的工作原理和测量方法；观察电容式传感器的结构和外形。用实验的方法测出电容动片的上下位移与输出信号间的特性曲线，分析其灵敏度。4霍尔式传感器静态特性实验了解霍尔传感器的工作原理，观察组

2、成结构，熟悉相关测量电路。实验求出霍尔片在梯度磁场中位移变化对输出信号间的特性曲线，分析计算其静态特性。合计8-1-第二部分 基本实验指导实验一 箔式应变片桥路性能比较一、 实验目的1观察了解箔式应变片结构及粘贴方式。2测试应变梁变形的应变输出。3比较各桥路间的输出关系。二、 实验原理应变片是最常用的测力传感元件。用应变片测试时，应变片要牢固地粘贴在测试体表面。当测件受力发生形变，应变片的敏感栅随同变形，其电阻值也随之发生相应的变化。通过测量电路，转换成电信号输出显示。电桥电路是最常用的非电量电测电路中的一种，单臂，半桥双臂，全桥电路的灵敏度依次增大。实际使用的应变电桥的性能和原理如下：图1-

3、1应变电桥半桥双臂和全桥电路原理已知单臂、半桥双臂和全桥电路的R分别为、。电桥灵敏度SV / X，于是对应于单臂、半桥双臂和全桥的电压灵敏度分别为1/4 U、1/2U和U。三、 主要仪器及耗材CSY10 型传感器系统实验仪：直流稳压电源、差动放大器、电桥、毫伏表、测微头、实验接插线。直流稳压电源打到0V档，毫伏表打到50mv档，差动放大器增益旋钮打到最右边。四、 实验内容与步骤1调零。差动放大器增益旋钮置100倍（顺时针方向旋到底），“、”输入端用实验线对地短路，输出端接数字电压表。开启仪器电源，用“调零”电位器调整差动放大器输出电压为零，然后拔掉实验线。调零后在整个测试过程中，调零电位器位置

4、不变。2按图1-2将实验部件用实验线连接成测试桥路。桥路中R1、R2、R3和WD为电桥中的固定电阻和直流调平衡电位器，R为应变片（可任选上、下梁中的一片作为工作片）。直流激励电源为4V。图1-2半桥双臂桥路图1-3全桥桥路3测微头装于悬臂梁前端的永久磁钢上，并调节使应变梁处于基本水平状态。确认接线无误后开启仪器电源，并预热数分钟。调整电桥WD电位器，使测试系统输出为零。4旋动测微头，带动悬臂梁分别作向上和向下的运动，以悬臂梁水平状态下输出电压为零，开始向上或向下移动做正、反行程测试。测微头每移动0.5mm记录一个差动放大器输出电压值，直至进入非线性区，做相反行程测试，将数据填入下列测试数据列表

5、中。根据表中所测数据计算灵敏度S，SV / X 单位：v/mm。5在完成上面测试的基础上，不变动差动放大器增益和调零电位器，图1-2中电桥固定电阻R1、R2、R3分别换成箔式应变片，按图1-3全桥桥路接成全桥测试系统。6重复上面的34步骤，测出半桥双臂和全桥输出电压并列表，计算灵敏度。SV / X 单位：7. 实验完毕，关闭主副电源，所有旋钮转到初始位置，将测微头从悬臂梁上拿开。五、 数据处理与分析1. 根据测出的半桥双臂和全桥输出电压列表，在坐标纸上同一坐标系下做出VX关系曲线。表1-1 半桥双臂正行程位移mm电压V表1-2 半桥双臂反行程表1-3 全桥正行程表1-4 全桥反行程2根据所得结

6、果，分别计算两种桥路的灵敏度SVX（注意单位V/mm）。计算方法可采用课程中学过的数据拟合方法。并计算相应的线性度、迟滞等其它静态特性指标。3. 比较两种桥路的灵敏度，并做出定性的结论。六、 实验注意事项1实验前应检查实验接插线是否完好，连接电路时应尽量使用较短的接插线，以避免引入干扰。2接插线插入插孔时轻轻地做一个小角度的转动，以保证接触良好，拔出时也轻轻地转动一下拔出，切忌用力拉扯接插线尾部，以免造成线内导线断裂。3稳压电源不要对地短路。4在半桥、全桥电路中应变片接入电桥时注意其受力方向，一定要接成差动形式。5直流激励电压不能过大，以免造成应变片自热损坏。6. 在更换应变片时应将电源关闭。

7、7. 在实验过程中如有发现电压表发生过载，应将电压量程扩大。8. 电桥上端虚线所示的四个电阻实际上并不存在，仅作为一标记，使组桥容易。七、 思考题1. 本实验电路对直流稳压电源和对放大器有何要求？2. 分析实验中遇到的困难和问题以及解决方法，对本实验进行小结。实验二 电涡流式传感器的静态标定了解电涡流传感器的结构、原理、工作特性。掌握电涡流传感器的静态标定方法。电涡流式传感器由平面线圈和金属涡流片组成如图2-1所示，当线圈中通以高频交变电流后，与其平行的金属片上产生电涡流，电涡流的大小影响线圈的阻抗Z，而涡流的大小与金属涡流片的电阻率、导磁率、厚度、温度以及与线圈的距离X有关。当平面线圈、被测

8、体（涡流片）、激励源已确定，并保持环境温度不变，阻抗Z只与X距离有关。将阻抗变化经涡流变换器变换成电压V输出，则输出电压是距离X的单值函数。图2-1 涡流式位移传感器的基本结构及工作原理电涡流线圈、三种材质的金属涡流片、电涡流变换器、测微头、电压表。1安装好电涡流线圈和金属涡流片，注意两者必须保持平行。安装好测微头，将电涡流线圈接入涡流变换器输入端。涡流变换器输出端接电压表20V档。见下图2-2所示。2开启仪器电源，用测微头将电涡流线圈与涡流片分开一定距离，此时输出端电压值输出。用示波器接涡流变换器输入端观察电涡流传感器的高频波形，信号频率约为1MHz。3用测微头带动振动平台使平面线圈完全贴紧

9、金属涡流片，此时涡流变换器输出电压为零。涡流变换器中的振荡电路停振。（该状态只适用于铁片，铝片和铜片在贴贴紧状态下输出并不为0，思考一下为什么？）。图2-2 涡流式位移传感器测试接线图4.适当调节传感器的高度，使其与被测铁片接触，从此开始读数，记下示波器及电压表的数值，填入下表。建议每隔0.10mm读数，到线性严重变坏为止。根据实验数据。在坐标纸上画出VX曲线，指出大致的线性范围，求出系统灵敏度。（最好能用误差理论的方法求出线性范围内的线性度、灵敏度）。可见，涡流传感器最大的特点是 ，传感器与被测体间有一个最佳初始工作点。这里采用的变换电路是一种 。实验完毕关闭主、副电源。5换用不同材质的金属

10、涡流片，重复实验步骤1- 4。根据所得结果，在同一坐标纸上画出被测体为铝和铁的两条VX曲线，并计算灵敏度与线性度，比较它们的线性范围和灵敏度。关闭主、副电源。可见，这种电涡流式传感器在被测体不同时必须重新进行 标定。1.根据测量得到的数据在坐标纸上同一坐标系下做出三种金属涡流片的VX关系曲线。表2-1 铁片表2-2 铝片表2-3 铜片2根据所得结果，分别计算三种金属涡流片的灵敏度SVX（注意单位V/mm）。计算方法可采用课程中学过的数据拟合方法，并计算相应的线性度、迟滞等其它静态特性指标。3. 比较求出的灵敏度，并做出定性的结论。4.被测体与涡流传感器测试探头平面尽量平行，并将探头尽量对准被测

11、体中间，即属于一个同心圆的位置，以减少涡流损失。5传感器在初始时可能为出现一段死区。6. 此涡流变换线路属于变频调幅式线路，传感器是振荡器中一个元件，因此材料与传感器输出特性之间的关系与定频调幅式线路不同。1. 请回答实验步骤中提出的问题。实验三 差动变面积式电容式传感器的静态特性了解电容式传感器的结构和工作原理。掌握电容式传感器的测量方法。电容式传感器有多种型式，本仪器中是差动变面积式。传感器由两组定片和一组动片组成。当安装于振动台上的动片上、下改变位置，与两组静片之间的重叠面积发生变化，极间电容也发生相应变化，成为差动电容。如将上层定片与动片形成的电容定为Cx1，下层定片与动片形成的电容定

12、为Cx2，当将Cx1和Cx2接入桥路作为相邻两臂时，桥路的输出电压与电容量的变化有关，即与振动台的位移有关。电容传感器、电容变化器、差动放大器、低通滤波器、低频滤波器、测微头、电压表。1. 电容变换器和差动放大器的增益适中，按照实验一的方式对差动放大器进行调零；2. 按图3-1接线；图3-1 电容传感器测试接线图3. 装上测微头，带动振动台位移，使电容动片位于两静片中，此时差动放大器输出应为零。4. 以此为起点，向上或向下旋动测微头开始正反行程测试，测微头每移动0.5mm记录一个输出电压值，直至动片与一组静片全部重合为止。将读数记录入下表：并作出VX曲线，计算灵敏度，SV / X 单位：1.根

13、据测量得到的数据在坐标纸上同一坐标系下做出正反行程的VX关系曲线。表3-1 正行程表3-2 反行程2根据所得结果，计算电容传感器的灵敏度SVX（注意单位V/mm）。3. 做出定性的结论。4电容动片与两定片之间的片间距离须相等，必要时可稍微做调整。位移和振动时均不可有擦片现象，否则会造成输出信号突变。5. 如果差动放大器输出端用示波器观察到波形中有杂波，请将电容变换器增益进一步减小。因此，增益应放在适中位置。 分析实验中遇到的困难和问题以及解决方法，对本实验进行小结。实验四 霍尔式传感器静态特性实验1. 了解霍尔式传感器的工作原理。2. 掌握用综合传感器实验仪进行霍尔式传感器特性实验的方法。霍尔

14、传感器是由两个环形磁钢组成梯度磁场和位于梯度磁场中的霍尔元件组成。当霍尔元件通以恒定电流时，霍尔元件就有电势输出。霍尔元件在梯度磁场中上、下移动时，输出的霍尔电势 V 取决于其在磁场中的位移量 X，因此，测得霍尔电势的大小便可获知霍尔元件的静态位移量 X。图7-1 霍尔位移传感器测量原理霍尔片、磁路系统、电桥、差动放大器、V/F 表、直流稳压电源、测微头、低频振荡器。1. 了解霍尔式传感器的结构及实验仪上的安装位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号。霍尔片安装在实验仪的振动圆盘上，两个半圆永久磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组合成霍尔传感器。2. 开启主、副电源，将差动放大器调零后，增益置适中，关闭主

15、电源。3. 根据图7-2接线，WD、r为电桥单元的直流电桥平衡网络。图7-2 霍尔传感器测试接线图4装好测微头；调节测微头与振动台吸合并使霍尔片置于半圆磁钢上下正中位置。5. 开启主、副电源，调整WD使电压表指示为零。6. 向上或向下旋动测微头开始行程测试，建议测微头每移动0.25mm记录一个输出电压值，将读数记录入下表。2根据所得结果，计算霍尔式位移传感器传感器的灵敏度SVX（注意单位V/mm）。1.由于磁路系统的气隙较大，应使霍尔片尽量靠近极靴，以提高灵敏度。2.一旦调整好后，测量过程中不能移动磁路系统。3.激励电压不能过大，以免损坏霍尔片。本实验测出的实际上是磁场情况，磁场分布为梯度磁场，位移测量的线性度、灵敏度与磁场分布有很大关系。请根据测量数据给出结论并分析实验中遇到的困难及处理方法。