直流稳压电源技术Word文档下载推荐.docx

1、当然这里所谈的分类只 是根据直流稳压电源的特点给出一个大致的分类思路，图111是根据上面的思路划分的稳压电源种类： 二、专题结构介绍 直流稳压电源技术专题将基本根据图111的结构对直流稳压电源进行系统的介绍，主要的内容有： 稳压电源的分类 直流稳压电源基础（基本性能指标、元器件基础、电路基础）并联稳压电源（硅稳压二极管型、晶体管型）串联稳压电源（简单串联型、串联反馈型、带放大器的串联反馈型、其他串联型）集成串联稳压器（三端稳压器、低压差稳压器等）开关电源原理各类常见开关电源 集成开关电源第二章 稳压电源基础一、电子元件基础知识直流稳压电源中主要使用这些电子元件：电阻、电容、变压器、电感、二极管

2、、三极管、场效应管、集成电路等， 有些直流稳压电源可能还有发光二极管、电流表、电压表元件用于工作状态的指示。这些电子元件主要分为无源器件和有源器件两大类。其中无源器件是电阻、电 容、变压器、电感；有源器件是二极管、三极管、场效应管、集成电路。无源器件就不必说了，下面我们主要介绍一下有源器件的基础知识。1、二极管 二极管是我们通常情况下的俗称，它的学名叫晶体二极管或半导体二极管。二极管就是由一个PN结，加上相应的电极引线封装而成。二极管按材料分类有硅材料和 锗材料；按功能分类又可以分为整流二极管、检波二极管、开关二极管、稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、发光二极管等。常用的二极管主要是利用P

3、N结 的单向导电性进行工作。如：整流二极管、检波二极管、开关二极管等。但是二极管还有一些比较特殊的性能，比如稳压二极管反向击穿后两端电压保持不便；变容 二极管PN结间的结电容会随着外加电压的变化而发生变化；发光二极管通电后能够发光。（1）二极管的主要参数 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM： 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常

4、VRM为VP的三分之二或略小一些。 反向电流IR： 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM： 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。（2）直流稳压电源中常用的二极管 直流稳压电源中常用的二极管有整流二极管、稳压二极管和发光二极管。整流二极管 将交流电流变为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型晶体二极管，因结电容大，故工作频率低。通常，IF在 1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用塑料封装。由于近代工艺水平的提高，也有一些较大功率的二极管 也采用塑封形

5、式。在电路原理图中整流二极管用图211的符号表示。稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点来达到稳压的目的。因为 它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管（简称稳压管）。在电路原理图中稳压二极管用图212的符号表示。 稳压管的伏安特性曲 线如图213所示。当反向电压达到VZ时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于 击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。2、三极管 三极管的学名叫晶体三极管或半导体三极管，可以说它是电子电路中最重

6、要的器件。三极管最基本的作用是放大作用。它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量 罢了。三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成，而三极管由两个PN结构成。共用的一个电极称为三极管的基 极（用字母b表 示），其他的两个电极称为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。因此三极管的电路图符号有两种：箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。有一个箭头的电极是发射极，实际 上箭头

7、所指的方向是电流的方向。这两种类型的三极管电路图符号见图：214。 三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。前面说PNP型和NPN型是从结构工艺上来分类。按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一 般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率 管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的三极管大多采用是塑料封装或金属封装。（1）三极管的主要参数 电流放大系数： 在静态情况下，三极管集电极的直流电流Ic与基极电流Ib的比值，称为三极管的静态电流 放

8、大系数。在动态情况下，集电极电流的变化量Ic与基极电流的变化量Ib的比值，称为三极管的动态电流 放大系数（或交流放大系数）。因为通常情况下三极管的静态电流放大系数与动态电流放大系统相差很小，实际使用时一般混用这两个参数而不加以区别。 集电极反向饱和电流Icbo：发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。 穿透电流Iceo：指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流Icbo与Iceo的关系为：Iceo（1）IcboIcbo和Iceo都是衡量三极管热稳定性的重要参数。共射极截止频率f：三极管的值是频率的函数，中频段=o几乎与频率无关。但是随着频率的增高，

9、值下降。当值下降到中频段 0.707O时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用f表示。 特征频率fT： 当三极管的值下降到1时所对应的频率，称为特征频率。在ffT的范围内，值 与f几乎成线性关系，f越高，越小，当工作频率ffT，时，三极管便失去了放大能力。 最大允许集电极耗散功率PCM：PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时， 不仅使三极管的参数发生变化，甚至还会烧毁三极管。最大允许集电极电流ICM：当IC很大时，值逐渐下降。一般规定在值下降到额定值的23（或12）时所对应的集电极电流为ICM。 当ICICM时

10、，值已减小到不实用的程度，且有烧毁三极管的可能。 反向击穿电压BVCEO与BVCEO：BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。BVCBO是指发射极开路 时，集电极与基极间的反向击穿电压。（2）三极管的三种工作状态 截止状态： 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于 开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态： 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作 用，使三极

11、管具有电流放大作用，其电流放大倍数Ic/Ib，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态： 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变 化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。3、场效应管 场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108109）、 噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管分

12、结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目 前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和 VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的MOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型 场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 部分场效应管的电路图符号见图215所示。 由于场效应管的种

13、类比较多，后面介绍具体电路时在详细介绍每种场效应管的内容，这里就不详细介绍了。二、直流稳压电源的技术指标 直流稳压电源的技术指标可以分为两大类：一类是特性指标，反映直流稳压电源的固有特性，如输入电压、输出电 压、输出电流、输出电压调节范围；另一类是质量指标，反映直流稳压电源的优劣，包括稳定度、等效内阻（输出电阻）、纹波电压及温度系数等。1、特性指标（1）输出电压范围 符合直流稳压电源工作条件情况下，能够正常工作的输出电压范围。该指标的上限是由最大输入电压和最小输入输出电压差所规定，而其下限由直流稳压电源内部 的基准电压值决定。（2）最大输入输出电压差 该指标表征在保证直流稳压电源正常工作条件下

14、，所允许的最大输入输出之间的电压差值，其值主要取决于直流稳压电源内部调整晶体管的耐压指标。（3）最小输入输出电压差 该指标表征在保证直流稳压电源正常工作条件下，所需的最小输入输出之间的电压差值。（4）输出负载电流范围 输出负载电流范围又称为输出电流范围，在这一电流范围内，直流稳压电源应能保证符合指标规范所给出的指标。2、质量指标（1）电压调整率SV 电压调整率是表征直流稳压电源稳压性能的优劣的重要指标，又称为稳压系数或稳定系数，它表征当输入电压VI变化 时直流稳压电源输出电压VO稳定的程度，通常以单位输出电压下的输入和输出电压的相对变化的百分比表示。电压调整率公式见图 221。（2）电流调整率

15、SI 电流调整率是反映直流稳压电源负载能力的一项主要自指标，又称为电流稳定系数。它表征当输入电压不变时，直流稳压电源对由于负载电流（输出电流）变化而引 起的输出电压的波动的抑制能力，在规定的负载电流变化的条件下，通常以单位输出电压下的输出电压变化值的百分比来表示直流稳压电源的电流调整率。电流调整 率公式见图222。（3） 纹波抑制比SR 纹波抑制比反映了直流稳压电源对输入端引入的市电电压的抑制能力，当直流稳压电源输入和输出条件保持不变时，纹波抑制比常以输入纹波电压峰峰值与输出纹 波电压峰峰值之比表示，一般用分贝数表示，但是有时也可以用百分数表示，或直接用两者的比值表示。（4）温度稳定性K 集成

16、直流稳压电源的温度稳定性是以在所规定的直流稳压电源工作温度Ti最大变化范围内（TminTiTmax） 直流稳压电源输出电压的相对变化的百分比值。温度稳定性公式见图223。3、极限指标（1）最大输入电压 是保证直流稳压电源安全工作的最大输入电压。（2）最大输出电流 是保证稳压器安全工作所允许的最大输出电流。三、基础电路一般直流稳压 电源都使用220伏市电作为电源，经过变压、整流、滤波后输送给稳压电路进行稳压，最终成为稳定的直流电源。这个过程中的变压、整流、滤波等电路可以看作 直流稳压电源的基础电路，没有这些电路对市电的前期处理，稳压电路将无法正常工作。1、变压电路 通常直流稳压电源使用电源变压器

17、来改变输入到后级电路的电压。电源变压器由初级绕组、次级绕组和铁芯组成。初级绕组用来输入电源交流电压，次级绕组输出所需 要的交流电压。通俗的说，电源变压器是一种电磁电转换器件。即初级的交流电转化成铁芯的闭合交变磁场，磁场的磁力线切割次级线圈产生交变电动势。次级 接上负载时，电路闭合，次级电路有交变电流通过。变压器的电路图符号见图231。2、整流电路 经过变压器变压后的仍然是交流电，需要转换为直流电才能提供给后级电路，这个转换电路就是整流电路。在直流稳压电源中利用二极管的单项导电特性，将方向变化 的交流电整流为直流电。（1）半波整流电路 半波整流电路见图232。其中B1是电源变压 器，D1是整流二

18、极管，R1是负载。B1次级是一个方向和大小随时间变化的正弦波电压，波形如图233（a）所示。0期间是这个电压的正半周，这 时B1次级上端为正下端为负，二极管D1正向导通，电源电压加到负载R1上，负载R1中有电流通过；2期间是这个电压的负半周，这时B1次级上端为 负下端为正，二极管D1反向截止，没有电压加到负载R1上，负载R1中没有电流通过。在23、34等后续周期中重复上述过程，这样电源负半周 的波形被“削”掉，得到一个单一方向的电压，波形如图233（b）所示。由于这样得到的电压波形大小还是随时间变化，我们称其为脉动直流。 设B1次级电压为E，理想状态下负载R1两端的电压可用下面的公式求出：整流

19、二极管D1承受的 反向峰值电压为： 由于半波整流电路只利 用电源的正半周，电源的利用效率非常低，所以半波整流电路仅在高电压、小电流等少数情况下使用，一般电源电路中很少使用。（2）全波整流电路 由于半波整流电路的效率较低，于是人们很自然的想到将电源的负半周也利用起来，这样就有了全波整流电路。全波整流电路图见图236。相对半波整流电 路，全波整流电路多用了一个整流二极管D2，变压器B1的次级也增加了一个中心抽头。这个电路实质上是将两个半波整流电路组合到一起。在0期间B1次 级上端为正下端为负，D1正向导通，电源电压加到R1上，R1两端的电压上端为正下端为负，其波形如图237（b）所示，其电流流向如

20、图238所 示；在2期间B1次级上端为负下端为正，D2正向导通，电源电压加到R1上，R1两端的电压还是上端为正下端为负，其波形如图237（c）所 示，其电流流向如图239所示。在23、34等后续周期中重复上述过程，这样电源正负两个半周的电压经过D1、D2整流后分别加到R1两 端，R1上得到的电压总是上正下负，其波形如图237（d）所示。整流二极管D1和D2 承受的反向峰值电压为： 全波整流电路每个整流二极管上流过的电流只是负载电流的一半，比半波整流小一倍。（3）桥式整流电路 由于全波整流电路需要特制的变压器，制作起来比较麻烦，于是出现了一种桥式整流电路。这种整流电路使用普通的变压器，但是比全波

21、整流多用了两个整流二极 管。由于四个整流二极管连接成电桥形式，所以称这种整流电路为桥式整流电路。 由图2313可 以看出在电源正半周时，B1次级上端为正，下端为负，整流二极管D4和D2导通，电流由变压器B1次级上端经过D4、R1、D2回到变压器B1次级下端； 由图2314可以看出在电源负半周时，B1次级下端为正，上端为负，整流二极管D1和D3导通，电流由变压器B1次级下端经过D1、R1、D3回到变 压器B1次级上端。R1两端的电压始终是上正下负，其波形与全波整流时一致。设B1次级电压为E，理想状态下负载R1两端的电压可用下面的公式求出：整流二极管D1和D2承受的反向峰值 电压为：桥式整流电路每

22、个整流二极管上流过的 电流是负载电流的一半，与全波整流相同。通常情况下桥式整流电路都简化成图2317的形式。（4）倍压整流电路 前面介绍的三种整流电路输出电压都小于输入交流电压的有效值，如果需要输出电压大于输入交流电压有效值时可以采用倍压电路，见图2318。由图 2319可知，在电源的正半周，变压器B1次级上端为正下端为负，D1导通，D2截止，C1通过D1充电，充电后C1两端电压接近B1次级电压峰值， 方向为左端正右端负；由图2320可知，在电源的负半周，变压器B1次级上端为负下端为正，D1截止，D2导通，C2通过D1充电，充电后C2两端电 压接近C1两端电压与B1次级电压峰值之和，方向为下端

23、正上端负。由于负载R1与C1并联，当R1足够大时，R1两端的电压即为接近2倍B1次级电压。 二倍压整流电路还有另外一种形式的画法，见图2321，其原理与图2318完全一致，只是表现形式不一样。二倍压电路还可以很容易的扩展为n 倍压电路，具体电路见图2322。3、滤波电路 交流电经过整流后得到的是脉动直流，这样的直流电源由于所含交流纹波很大，不能直接用作电子电路的电源。滤波电路可以大大降低这种交流纹波成份，让整流后 的电压波形变得比较平滑。（1）电容滤波电路 电容滤波电路图见图2323，电容滤波电路是利用电容的充放电原理达到滤波的作用。在脉动直流波形的上升段，电容C1充电，由于充电时间常数很小，

24、所 以充电速度很快；在脉动直流波形的下降段，电容C1放电，由于放电时间常数很大，所以放电速度很慢。在C1还没有完全放电时再次开始进行充电。这样通过电 容C1的反复充放电实现了滤波作用。滤波电容C1两端的电压波形见图2324（b）。选择滤波电容时需要满足下式的条 件：（2）电感滤波电路 电感滤波电路图见图2326。电感滤波电路是利用电感对脉动直流的反向电动势来达到滤波的作用，电感量越大滤波效果越好。电感滤波电路带负载能力比较 好，多用于负载电流很大的场合。（3）RC滤波电路 使用两个电容和一个电阻组成RC滤波电路，又称型RC滤波电路。见图2327所示。这种滤波电路由于增加了一个电阻R1，使交流纹

25、波都分担在R1上。 R1和C2越大滤波效果越好，但R1过大又会造成压降过大，减小了输出电压。一般R1应远小于R2。（4）LC滤波电路 与RC滤波电路相对的还有一种LC滤波电路，这种滤波电路综合了电容滤波电路纹波小和电感滤波电路带负载能力强的优点。其电路图见图2328。（5）有源滤波电路 当对滤波效果要求较高时，可以通过增加滤波电容的容量来提高滤波效果。但是受电容体积限制，又不可能无限制增大滤波电容的容量，这时可以使用有源滤波电路。 其电路形式见图2329，其中电阻R1是三极管T1的基极偏流电阻，电容C1是三极管T1的基极滤波电容，电阻R2是负载。这个电路实际上是通过三极 管T1的放大作用，将C

26、1的容量放大倍，即相当于接入一个（+1）C1的电容进行滤波。 图2329中，C1可选择几十微法到几百微法；R1可选择几百欧到几千欧，具体取值可根据T1的值确定，值高，R可取值稍大，只要保证T1的集电 极发射极电压（UCE）大于1.5V即可。T1选择时要注意耗散功率PCM必 须大于UCEI，如果工作时发热较大则需要增加散热片。 有源滤波电路属于二次滤波电路，前级应有电容滤波等滤波电路，否则无法正常工作。4、整流滤波电路总结（1）常用整流电路性能对照电路名称每个原件承受的最大反向电压每个原件的平均电流变压器次级电压有效值电流有效值半波整流3.14UI2.221Ue1.571I全波整流0.5I1.111Ue0.786I桥式整流1.571U1.111U2e1.111I注：U为负载两端电压值；I为负载上电流值；e为整流二极管压降，一般取0.7V。（2）常用无源滤波电路性能对照