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1、 （2）HYUNDAI （3）MICRON（4）NEC（5）SIEMENS（6）MITSUBISHI（7）HITACHI（8）LG（9）TOSHIBA （10）TI 2、DRAM生产厂家分布 DRAM生产厂家分布如图1所示。 图1：DRAM 生产厂家分布3、DRAM发展趋势 DRAM市场曾经在1998年1999年度动荡不止，全球各主流厂家之间展开了剧烈的竞争，进入2000年后，随着厂家之间兼并和联合的结束，基本上形成了以美、韩、日厂家为主的三大集团，辅之以东南亚一些主要面向PC行业的小厂家。 （1）目前64Mb主流SDRAM已开始向128Mb、256Mb过渡，2000年128Mb SDRAM产

2、量将超过64Mb，2001年将以128Mb、256Mb为主； （2）能提高存储器存取速度的新产品不断推出，如：EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等，这些新型DRAM是不同厂家推出的产品，目前占据主导地位的是SDRAM，下一代的新型DRAM预计将会在DDR DRAM、SLDRAM、RDRAM中产生； （3）DRAM器件从最初的FPM DRAM到EDO DRAM、突发方式EDO DRAM以致今天的SDRAM、CDRAM、EDRAM、RDRAM等，其发展更新速度已经越来越快，周期越来越短。FPM 和EDO类型DRAM已经淘汰，SDRAM和RD

3、RAM的竞争已明朗化，今后会成为两大主流DRAM，通信产品中以SDRAM类型为主；5、主流厂家芯片选型方向 M 厂家：MICRON、HYUNDAI、SAMSUNG、NEC、HITACHI等 M 选取类型：SDRAM或RDRAM M 容量大小：64Mbit及以上 M 数据宽度：16bit及以上 M 适用主频：100MHZ及以上（多数厂家CAS Latency有两种选择）三、FLASH发展趋势1、FLASH厂家排名（99年）： （1）INTEL 600mil/年（产能） （2）AMD 400mil/年（产能） （3）FUJITSU . （4）SHARP . （5）ST 300mil/年（产能） （

4、6）TOSHIBA . （7）ATMEL . .表示产能在此范围内2、FLASH生产厂家分布： FLASH生产厂家分布如图2所示 图2：FLASH生产厂家分布3、FLASH发展趋势 FLASH技术发展向高速和大容量方向发展。 以上四个厂家为代表的FLASH存在技术和工艺上的差异，INTEL、ATMEL、AMD三家均采用FLASH技术，可简称“AMD体系”，而SST较为独特，一直采用EEPROM的技术来做FLASH。因此： （1）SST可以将Setor Size（扇区）做的很小128Byte，FLASH扇区小、Dice Size做的较大，因此很难做到大容量，目前，SST的技术还不能突破16Mb的

5、限制； （2）目前 AMD体系厂家做的Setor Size最小至64Kb，而AMD体系的Dice Size 较小，可以作到大容量。目前，INTEL的产能状况好，技术领先，在0.25um、0.18um工艺水平线，目前唯一能做到大批量生产，而且已经开始主推升级版本，0.4um的器件在未来一年内会停产。 （3）FLASH技术发展向高速和大容量方向发展，今后生产4Mb以下容量的厂家会越来越少，目前小容量FLASH的主流厂家为：ST、SST、WINBOND、ATMEL、MOSEL等，由于台系厂家的FLASH器件较适用于PC，消费电子类产品，其檫写次数只能做到几十次或更少，这就要求我们不得不进行容量上的升

6、级使用。 由于目前全球化的FLASH供不应求，新的需求还在增长，FLASH成为厂家赖以生财的下蛋母鸡，因此，除了现有主流厂家扩大产能外，新厂家开始界入，象MICRON、HYUNDAI、SAMSUNG等厂家计划增加FLASH生产线的投入，2000年下半年这些厂家当有大量FLASH器件进入市场，因此，目前的FLASH体系很有可能随之而改变；4、主流厂家及芯片选型方向 M 主流厂家：INTEL、FUJITSU 备选厂家：SST 、MXIC 、ATMEL 、ST 、HYUNDAI8位、16位 M 存储容量：新选用的FLASH容量要求在1Mbit以上 M 速度等级：55ns、70ns、90ns （1Mb

7、it 、4Mbit的FLASH） 4Mbit以上的器件选用厂家推荐的速度等级 M 封装类型：PLCC、TSOP、SSOP M 注意事项： （1）选用INTEL公司FLASH器件的新开发单板及待转产单板，尽量选用C3系列（3.3V器件）的FLASH，现阶段需要使用J5系列FLASH的单板要准备好升级为J3系列的方案； （2）新开发的单板中暂时不选用INTEL 公司J3系列的FLASH，该系列器件厂家目前处于样件阶段；今后选用时一定要在硬件设计中考虑兼容E28F320J3、28F640J3、E28F128J3，这三种器件可以实现PINPIN兼容，主要区别在于对多余地址脚的处理； （3）选用网上AM

8、D体系的FLASH，所有单板必须从软件上兼容以下厂家的器件：AMD、ST、FUJITSU、SST、HYUNDAI、MXIC等；四、SRAM发展趋势与选型指导1、SRAM厂家分布 SRAM厂家分布如图3所示 图3：SRAM厂家分布2、SRAM发展趋势 （1）SRAM发展向高速、高数据宽度、同步、大容量、低电压方向发展。 （2）各厂家对5V SRAM器件的发展已经停止，异步类型SRAM中速度位70ns/100ns的器件趋于停产； （3）各厂家对SRAM的投入与FLASH、DRAM相比明显偏小，目前能提供低容量慢速的异步SRAM器件厂家很少，欧美、日系厂家基本上是先满足自己国内需求，产能可以维持增长

9、的在于韩系厂家。 今后我们应该关注同步类型SSRAM和低电压系列的异步SRAM，同时SRAM在速度容量上都在提升3、主流厂家及芯片选型方向IDT、CYPRESS/GALVANTECH、SAMSUNG、MICRON等 M 数据宽度： 8位、16位 （ 异步类型SRAM ） 18位、36位、64位（同步类型SRAM）新选用的普通异步类型SRAM容量要求在1Mbit以上； 新选用的同步类型SRAM容量要求在128K*18bit及128K*36bit以上;55ns、70ns、20ns 、15ns（以上为异步类型） 10ns、8.5ns 、7ns（同步类型） M 封装类型：SOP、SOJ 、TSOP、T

10、QFP五、各类存储器主要应用 M EPROM：应用于小容量处理系统中作为固化程序用； M EEPROM：应用于需要存放基本信息的单板、网卡中，或与部分网络处理器配套使用， 存放配置信息； M FLASH：应用于系统或PC中，做BIOS或存放代码、数据； M 同步SRAM：应用于高速处理系统中，与高频CPU或FPGA逻辑配合适用； M 双端口SRAM：应用于各方需要相互通信的系统之中，如做邮箱设计； M SDRAM：主要用于做内存，器件容量很大，适合做读写缓冲区； 附录1、DRAM技术简介 （1）FPM DRAM ： 通过保持同一个行地址来选择不同的列地址实现连续访问，依靠减少建立行地址的延时从

11、而提高连续数据访问速度；当时钟频率高于33MHZ时，由于没有足够的充电保持时间，将会使读出的数据不可靠； （2）EDO DRAM 是在FPM技术上发展而来，它是在RAM的输出端加一组锁存器构成二级 内存输出缓冲单元，用于存储数据并一直保持到数据被可靠地读取为止，这样就扩展了数据输出的有效时间，EDO DRAM可以实现在50MHZ时钟下稳定工作，不能超出66MHZ； （3）突发方式EDODRAM （Burst EDODRAM）是在EDO DRAM基础之上发展起来的可以提供更高有效带宽的EDO DRAM，它可以对可能所需的4个数据地址进行预测并自动预先形成，将稳定工作频率提高到66MHZ； （4）

12、SDRAM （Synchronous DRAM）是通过同步时钟对控制接口的操作和安排片内隔行突发方式地址发生器来提高存储器的性能，SDRAM不同于传统的DRAM需要系统来产生个别的地址对存储器中存放的每个数据字进行访问，它只需要一个首地址就可以对一个存储块进行访问；所有的输入采样和输出有效都在同一个系统时钟的上升沿，同步时钟频率可以达到66MHZ150MHZ，它比一般DRAM多一个可编程方式寄存器； （5）CDRAM （Cached DRAM）是Mitsubshi公司开发的专有技术DRAM，它通过DRAM芯片，集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的

13、性能，目前CDRAM可以做到4Mb和16Mb，其片内Cache为16Kb，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHZ及以上的数据访问，流水线存取时间为7ns； （6）EDRAM （Enhanced DRAM）是由Ramtron公司推出的带有高速缓冲存储器的增强型动态读写存储器，它采用异步操作方式，由于采用改进的DRAM 0.76umCMOS工艺和减小寄生电容和提高晶体管增益的结构技术，其性能大大提高，行访问时间为35ns，读/写访问时间可以提高到65ns，页面写入周期时间为15ns；EDRAM也在片内DRAM存储阵列的列译码器上集成了2K位15ns的静态RAM高速缓冲存储器Cache，和

14、后写寄存器以及另外的控制线，并允许SRAM Cache 和DRAM独立操作，每次可以对一行数据进行高速缓冲，它还可以象标准的DRAM一样，对任一个存储单元用页面或静态列访问模式进行操作，访问时间只有15ns； （7）RDRAM （Rambus DRAM）是Rambus公司利用其自己研制的一种独特的接口技术代替页面方式结构的一种新型动态存储器；这种接口技术是在处理器与DRAM之间使用了一种特殊的9位低压负载发送线，用250MHZ同步时钟工作，使用字节宽度地址与数据复用的串行总线接口，这种接口又称作Rambus通道，这种通道嵌入到DRAM中就构成Rambus DRAM；它通过使用250MHZ时钟的

15、两个边沿使突发数据传输率达到500MHZ；在采用Rambus通道的系统中，每个芯片内部都有自己的控制器，用来处理地址译码和页面高速缓存管理，由此一片存储器子系统的容量可达512K字节，并含有一个总线控制器，不同容量的存储器有相同的引脚并连接在同一总线上； （8）DDR DRAM （双数据传输率同步动态读写存储器）是在SDRAM基础之上发展而来的，他采用延时锁定环（Delay-locked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，故称作双数据传输率DD

16、R DRAM，它实际上是第二代SDRAM。 （9）SLDRAM （同步链动态读写存储器）是由IBM、HP、APPLE、NEC、FUJITSU、TI、HYUNDAI、MICRON、TOSHIBA、SAMSUNG、SIEMENS等业界大公司联合制定的一个开放性标准，委托Mosaid Technologies公司设计，它是在DDR DRAM基础上发展的一种高速动态读写存储器，具有和DRDRAM相同的高数据传输率，但是它比其他DRAM工作频率要低，制造成本较低；SLDRAM原本最有希望成为成为高速DRAM开放性工业标准的动态读写存储器，但是由于SLDRAM联盟是一个松散的联合体，众成员之间难以协调一致

17、，在研究经费上的投入也不能达成一致，加之INTEL公司不支持这种标准，所以这种存储器难以形成气候，敌不过INTEL公司鼎立支持的Rambus 公司的DRDRAM； （10）DRDRAM （Rambus 接口DRAM），从1996年开始，Rambus公司就在INTEL公司的支持下制定新一代RDRAM标准，这是一种基于协议的DRAM，与传统的DRAM不同的是其引脚定义会随命令改变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线，其引脚数仅为正常DRAM的三分之一，当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加硬件引脚 ，这种芯片可以支持400MHZ外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以

18、使数据传输速率达到800MHZ。同时通过把数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHZ时就可以使最大数据输出率达1.6Gb/s；INTEL公司坚定地推举DRDRAM作为下一代高速内存的标准，并对MICRON、TOSHIBA和SAMSUNG等公司组建DRDRAM生产线和测试线投入资金，其他厂家正努力与其抗争，最近，AMD宣布今年推出K7微处理器不打算采用Rambus DRAM。IBM也放弃了对RDRAM的支持。附录2、FLASH技术简介 FLASH （又称Flash PEROM 即Programmable Erasable Read Only Memory ） ，俗称闪烁存储器，意思无非是

19、相对于传统EEPROM来说的，即可以用电气的方法快速地檫写；FLASH器件最早由INTEL在80年代推出，后来由多个厂家加以发展，形成了不同的体系结构，INTEL体系结构为NOR型，TOSHIBA为NAND型，HITACHI和MITSUBISHI在前两种基础之上分别开发出“与”AND型和DINOR型（采用划分位线技术），这样做的目的主要是来提高存储器的密度；如NOR型结构适用于随机存取数据：若干存储单元采用并联方式构成“或非”阵列，存储单元的写入采用EPROM的热电子注入方式，所以需要有两个供电电压，一个用于芯片电路电压，另一个用于编程和檫除的高压；NAND型结构适用于字节串行操作：这种结构中

20、将存储单元的漏极和源极相互串联形成列，把控制栅极并联在一起的单元形成行，由于通常列的数量远大于行的数量，所以在读写操作时，可以操作更多的位提高读写速度；AND型结构包含了前面两种结构的特点；DINOR型则主要是在NOR基础上采用了不同的檫除和写入方法以及单元排列的差异；从适用角度上分析，无论采用何种结构形式，供电电压可以分成两大类：一类是从用紫外线檫除的EPROM发展而来的需要用高压编程的FLASH（这一类器件已经趋于淘汰），如多数厂家的28系列；一类是从单一电源供电、编程的EEPROM发展而来的FLASH，如29系列、39系列；按照用途，FLASH一般可分为小容量和大容量两类。大容量的FLA

21、SH一般选用INTEL 、AMD等，用于存放数据、代码等；小容量FLASH多用于单板BIOS或支持在线编程更改等，可选型号及供应商较多，公司目前使用较多的是AMD、FUJITSU、SST、MXIC的28、29、39等系列，一般来说，28系列的FLASH为5V的读工作电压和12V的写工作电压，29系列为单一5V读写电压，对SST来说，其比较特殊一些，由于SST纯粹是在EEPROM的技术之上来做其FLASH，因此，它基本上都是单一电源供电。其实，FLASH发展到今天，技术已经获得极大的突破，如1.8V的FLASH已经广泛应用于手机、商务通等产品中，这些FLASH将来还会支持诸如WAP、IP 产品中

22、的相关要求等，目前，容量高达128Mb的器件正在推出；附录3、SRAM技术简介 SRAM 与DRAM 的区别在于 DRAM 必须定时刷新， 而 SRAM 存储数据时无需自动刷新。SRAM 的优势是它比 DRAM 速度快，当前最快的SRAM速度可达到 7ns。 它的缺点是价格高、容量上也不可能做到很大。SRAM 在系统中常用作二级高速缓冲存储器，也称为 L2 cache。 Async SRAM（asynchronous SRAM， 异步SRAM）。 早在 386 的年代就有异步 SRAM， 而如今许多 PC 的 L2 cache 仍在使用它。它之所以被称为异步的是由于它与系统时钟不同步，因此 C

23、PU 必须等待来自 L2 cache 的数据。其时间比 DRAM要短，但毕竟还是有等待。Sync SRAM（synchronous burst SRAM， 同步突发SRAM），与SDRAM 类似，SSRAM 与系统时钟同步，因此它比通常用于 L2 cache 的异步 SRAM 速度要快，大约为 8.5ns。 PB SRAM（pipeline burst SRAM,流水线突发式SSRAM）。使用突发技术，可以聚集 SRAM 请求或将其流水线化，这样，突发中的请求几乎能够同时执行。PB SRAM 使用流水线，不过略慢于系统同步速度，因为它是专门为 75MHz及以上 更高的总线速度设计的. Flow

24、_through SRAM（同步直通SSRAM ），与流水线类型的SSRAM差异在读写时序上，应用差异在CPU或核心处理器对存储的要求不同，控制逻辑不同。 ZBT SRAM（Zero-Bus-Turn SRAM,零总线翻转SSRAM）,ZBT SRAM指的是“零总线翻转”，即在读写时序转换中没有时间浪费在等待上，对总线的利用达到100，它的控制时序相对来说比较简单，如果你要自己作逻辑控制存储器的读写时，运用ZBT的SRAM比用其他类型的SRAM效果要好，其读写时序相对较为简单。附录4、适应宽带产品的存储器带宽标准发展动态（FIFO器件） 美国Cypress公司近期推出80位宽的BeastTM系

25、列器件，从而使其他公司FIFO器件黯然失色。这种新的FIFO器件不仅能以5Mbit工作在200MHz，而且能以2.5V的低压工作。Beast FIFO体现了Cypress使专用存储器带宽最大化的战略。Beast FIFO特点: （1）Beast FIFO器件能够提供在输入输出两个端口的总线匹配功能，允许x80器件构置成x40、x20、x10或宽度的任何组合（可设定），x80位接口能够很容易地适应处理器和DSP（数字信号处理器）的64位数据宽接口。同时具有增加特殊奇偶位或外部控制信息位以便用数据位进行缓冲的能力，从而允许增强系统容错能力和提供一种超频带（out of band）信令的一般方法。

26、（2）设计人员在利用FIFO的整个深度时，能很方便地为不同宽度的总线进行接口。此外，两个独立的端口能够以不同的数据速率运作，在多个不同的时钟区域之间实现无缝接口，无须外接逻辑。 （3）Beast系列把存储缓冲能力扩展到了5M位，成为可以获得的最大FIFO。这种器件十分适用于带宽需求强烈的局域网（LAN）、宽域网（WAN）和存储连接 网（SAN），这些网都能用于传送和储存迅速扩充的数据量、因特网上传送的话音和图像业务量。（带宽器件的字宽端口数时钟速度。） （4）2.5V Beast器件是第一种低功耗FIFO，并且在此工作范围内仍能达到最高的开关速度。向2.5V FIFO转移是受已经向着低电压发展以减少功耗的处理器和存储器所驱动。价格和供应时间 Cypress的64k80 Beast FIFO（CY4808V25）采用19mm19mm的、具有288球的BGA封装，引线间距为1mm。Beast FIFO的样品，计划2000年二季度提供，大批量生产放在第三季度。Beast FIFO的单价为98美元（批量10000 只）。