329华东交通大学本科毕业设计论文格式模板Word文档格式.docx

1、2012届专业测控技术与仪器毕业设计（论文）题目纺织品中棉含量的近红外光谱快速测定指导教师郝勇学 历博士职称讲师1. 具体要求以纺织品为研究对象，采用近红外光谱技术，通过光谱采集参数优化，结合不同的光谱预处理方法建立纺织品中棉麻含量的数学模型，实现纺织品成分的快速无损检测。2. 主要完成的工作要求（1）复杂样品光谱的采集范围：780 2500 nm（2）定量模型的误差范围：5% 3. 主要完成的工作量（1）优化光谱采集参数，结合不同的信息提取方法，建立棉麻含量的近红外光谱定量分析模型不少于2个，采用的方法原理说明书的字数不少于1.5万字，译文字数不少于2000单词。（2）模型建立和结果分析说明

2、书编写（初、终稿）2本4. 进度安排（1）查阅文献 1周（2）毕业实习 1周（3）方案确定 0.5周（4）光谱采集及相关指标测量确定 1周（5）棉麻含量定量分析模型优化建立 7周（6）模型计算说明编写（初、终稿） 3.5周（7）答辩 指导教师签字： 年 月 日教研室意见： 教研室主任签字：题目发出日期设计（论文）起止时间附注：华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题名称纺织品中棉含量的红外光谱快速测定课题来源课题类型AX导 师郝 勇学生姓名学 号专 业课题的目的和意义：随着我国服装业的发展，纺织品的质量检测越来越受到人们的重视。面料成分鉴别是纺织品质量检测的重要内容，传统的理化检测不仅分析过

3、程复杂，它首先要经过复杂的预处理，剪成细条、烘干、冷却、称重，然后选择不同的试剂进行测量，再进行烘干、冷却、称重，最后通过计算得到结果。使用该方法费时费力，有污染，测量的结果也很有可能因人而异，难以达到统一的标准。而且受人为因素影响，需要有经验的工作人员操作。近红外光谱技术是根据被测样品的近红外光谱特征得到其成分及含量，其分析效率高、速度快、成本低、非破坏性和易于在线分析等。且样品无需预处理，不需要化学试剂,安全环保；可同时测量样品内的不同成分；适用于固态、颗粒状、粉末状以及液态等各种样品，已广泛应用于牛奶、烟草、茶叶等农产品分析和石油分析领域，并取得了较好的吸收特征，纺织纤维中含有大量的有机

4、分子，因此用近红外光谱技术也可对纺织品进行检测。本研究目的是采用近红外光谱分析技术，通过对纺织品中棉麻含量的快速检测的研究，创建一种快速、无损、有效地检测纺织品中棉麻含量的方法，通过模型的优化提高预测精度，为以后对纺织品中各种成分进行快速、无损检测提供一些可靠的依据。方法及预期目标 以纺织品中棉麻含量为检测对象，深入研究了应用近红外光谱分析技术检测棉麻成分含量的一系列过程，涉及对检测条件参数的选取、数据处理、异常样品的剔除、以及回归模型的建立等方法。为实际生产中纺织品成分的快速检测提供了参考，便于进行在线检测，从而可以替代常规的化学方法。指导教师签名： 日期：课题类型： （1）A工程设计；B技

5、术开发；C软件工程；D理论研究； （2）X真实课题；Y模拟课题；Z虚拟课题 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计（论文）评阅书（1）指导教师评语：得分指导教师签字：评阅人评语：评阅人签字：华东交通大学毕业设计（论文）评阅书（2）答辩小组评语：等级 组长签字：答辩委员会意见： 答辩委员会主任签字：年 月 日（学院公章）注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计（论文）成绩评定办法评定最后成绩）。华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录题目答辩时间答辩组成员（签字）：答辩记录： 记

6、录人（签字）： 答辩小组组长（签字）：III-族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究专 业： 学 号：学生姓名： 指导教师：摘要宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是

7、在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏

8、电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstractGaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers,

9、 ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company

10、 in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the

11、nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer c

12、rystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED

13、was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目录摘要 Abstract 第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） 11 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 11. 2 III族氮化物的基本结构和性质 41. 3 掺杂和杂质特性 121. 4 氮化物材料的制备 131. 5 氮化物器件 191. 6 GaN基材料与其它材料的比较 221. 7 本论文工作的内容与安排 24第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 31 2. 1 MOCVD材料生