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1、14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL（Acceptance Quality Level）：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC（Antireflective coating）：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony（Sb）锑 19. Argon（Ar）氩 20. Arsenic（As）砷 21. Arsenic trioxide（As2O3）三氧化二砷 22. Arsine（AsH3） 23. As

2、her：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。） 52. Depletion layer：耗尽层

3、。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。55. Depth of focus（DOF）：焦深。56. design of experiments （DOE）：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程） 58. developer：）显影设备； ）显影液

4、59. diborane （B2H6）：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源 60. dichloromethane （CH2CL2）：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。61. dichlorosilane （DSC）：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。63. dielectric：）介质，一种绝缘材料； ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电

5、绝缘功能。64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。65. disilane （Si2H6）：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子

6、密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。74. fab：常指半导体生产的制造工厂。75. feature size：特征尺寸，指单

7、个图形的最小物理尺寸。76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。78. flat：平边 79. flatband capacitanse：平带电容 80. flatband voltage：平带电压 81. flow coefficicent：流动系数 82. flow velocity：流速计 83. flow volume：流量计 84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 85. forbidden energy

8、 gap：禁带 86. four-point probe：四点探针台 87. functional area：功能区 88. gate oxide：栅氧 89. glass transition temperature：玻璃态转换温度 90. gowning：净化服 91. gray area：灰区 92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 96.

9、 hign-efficiency particulate air（HEPA） filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒 97. host：主机 98. hot carriers：热载流子 99. hydrophilic：亲水性 100. hydrophobic：疏水性 101. impurity：杂质 102. inductive coupled plasma（ICP）：感应等离子体 103. inert gas：惰性气体 104. initial oxide：一氧 105. insulator：绝缘 106. isolated line：隔离线 107. i

10、mplant : 注入 108. impurity n : 掺杂 109. junction : 结 110. junction spiking n :铝穿刺 111. kerf :划片槽 112. landing pad n :PAD 113. lithography n 制版 114. maintainability, equipment : 设备产能 115. maintenance n :保养 116. majority carrier n :多数载流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. m

11、atrix n 1 :矩阵 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :测得漏率 122. median n :中间值 123. memory n : 记忆体 124. metal n :金属 125. nanometer （nm） n ：纳米 126. nanosecond （ns） n ：纳秒 127. nitride etch n ：氮化物刻蚀 128. nitrogen （N2 ） n： 氮气，一种双原子气体 129. n-type adj ：n型 130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻 131. orient

12、ation n： 晶向，一组晶列所指的方向 132. overlap n ： 交迭区 133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 134. phosphorus （P） n ：磷 ，一种有毒的非金属元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版 136. photomask, negative n：反刻 137. images：去掉图形区域的版 138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体

13、 141. plasma-enhanced chemical vapor deposition （PECVD） n： 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺 143. pn junction n：pn结 144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语 146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构 147. poly

14、crystalline silicon （poly） n：多晶硅，高浓度掺杂（5E19）的硅，能导电。148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象 149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。154. quartz carrier n :石英舟。155. random access memory