1、3一、晶体管的混合模型与此相对应的混合模型如下:图中gm为跨导:4一、晶体管的混合模型2、简化的混合模型 通常,rce远大于负载电阻,而 也远大于C的容抗,认为二者开路,如图:5一、晶体管的混合模型 由于C跨接在输入与输出回路之间,使电路分析变复杂。因此,为简单起见,将C等效在输入回路和输出回路,称为单向化。如图所示:6一、晶体管的混合模型 等效变换过程如下,变换前,从左往右看流过C的电流为:7一、晶体管的混合模型 为保证等效变换,要求流过C的电流不变,端电压为 ,其容抗为:8一、晶体管的混合模型近似计算时,取中频时的值,即 因此:同理,从C的右端看进去,可得出:9一、晶体管的混合模型 一般情
2、况下,的容抗远大于集电极的总负载,可以忽略,由此可得出简化的混合模型如下:10一、晶体管的混合模型3、混合模型的主要参数 简化的混合模型有四个电路参数:半导体器件手册中给出;:11一、晶体管的混合模型gm:与h参数模型相比,受控电流源的表达方 式不同,但表述的是同一物理量,即:12一、晶体管的混合模型 C:C的求解过程下面分析。13二、晶体管电流放大倍数的频率响应 在高频段,由于极间电容的存在,使晶体管的电流放大倍数不再象低频时保持常数,而是频率的函数。根据定义:因此14二、晶体管电流放大倍数的频率响应如图所示:15二、晶体管电流放大倍数的频率响应 16二、晶体管电流放大倍数的频率响应可见 的
3、频率响应与低通电路相似,令:称为共射截止频率。17二、晶体管电流放大倍数的频率响应其对数幅频特性与对数相频特性为:18二、晶体管电流放大倍数的频率响应由此画出波特图:图中T是使 下降到1(0dB)时的频率。19二、晶体管电流放大倍数的频率响应令对数幅频特性等于零可以求出T:20二、晶体管电流放大倍数的频率响应因为T,所以21二、晶体管电流放大倍数的频率响应在半导体手册可以查出T和C(Cob),这样就可以计算出C,而:至此,我们已得到混合模型的所有四个参数。22二、晶体管电流放大倍数的频率响应利用 的表达式,可以求出 的截止频率:23二、晶体管电流放大倍数的频率响应 是 下降到0.7070的频率,称为共基截止频率。24