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1、红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics导弹预警导弹预警导弹制导导弹制导红外雷达红外雷达红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics吸收边吸收边本征吸收本征吸收红外光红外光导带导带价带价带对于碲镉汞，过去没有测量到本征吸收带对于碲镉汞，过去没有测量到本征吸收带（髙吸收系数测量问题）髙吸收系数测量问题）光电跃迁光电跃迁红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics

2、 吸收边吸收边首次发现带间跃首次发现带间跃迁吸收带褚迁吸收带褚HgHg1-x1-xCdCdx xTeTe组分组分X=0.170、0.200、0.226、0.276、0.330、0.366、0.416、0.443 温度温度T 4.2 300 KLandoldtLandoldtBuersteinBuerstein III/41B 1999 III/41B 1999过去只有吸收边过去只有吸收边ScottScott红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics美美国国主主要要研研究究HgCdTe红红 外外探探测测器器单单位位：

3、#加加州州桑桑塔塔巴巴巴巴拉拉研研究究中中心心用用来来分分析析器器件件光光谱响应谱响应褚褚等等在在Kane区区获获得得最最完完整整的的HgCdTe吸吸收收曲曲线线红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysicsSeilerDG,LittlerCL,WeilerMH,SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS 1992,Vol 36 293-427b我我们们提提出出的的Eg（x,T）公公式式被被称称作作CXT公公式式，与与其其他他同同类类公公式式相相比比较较，与实验结果更为符合与实验结果更为符合作作者者Se

4、iler是是国国际际窄窄禁禁带带半半导导体体会会议议主主席席、美国碲镉汞物理化学会议主席、美国碲镉汞物理化学会议主席红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysicsX=0.334HgCdTe这一结果最早在这一结果最早在19831983年发表在中文的年发表在中文的“红红外研究外研究”杂志上，但被美国国防部杂志上，但被美国国防部ADAD报告报告出版部门翻译成英文发表在出版部门翻译成英文发表在ADAD报告上。#报告上。#褚君浩，红外研究褚君浩，红外研究,2（2）（1983）89.该文收入美该文收入美国国防部国国防部AD报告报告

5、.ChuJunhao,The intrinsic absorption spectra of HgCdTe compared with Kane modele U.S.A.AD-A135504/9.红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics美国空军研究实验室大篇幅引用我们的带间美国空军研究实验室大篇幅引用我们的带间光跃迁吸收光谱，作为理论研究的实验依据光跃迁吸收光谱，作为理论研究的实验依据对于对于 T T300K 300K 时时 x=0.265x=0.265，0.3300.330，0.4430.443；#T T4.

6、2K4.2K时，时，x x0.443 0.443 理论计算与实验结果很好符合理论计算与实验结果很好符合红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics美美 国国 主主要要 研研 制制红红 外外 器器件件 的的 单单位位J APPL PHYS 80:#1116-1127（1996）如如图图5中中虚虚线线所所示示，测测量量到到的的吸吸收收系系数数可可以以和和理理想想的的具具有有同同样样禁禁带带宽宽度度的的HgCdTe相当。#相当。#用我们的吸收光谱作为用我们的吸收光谱作为HgCdTeHgCdTe的理想吸收光谱，的理想吸收光谱

7、，并用来比较并用来比较InAs/GaInSbInAs/GaInSb超晶格的吸收曲线超晶格的吸收曲线红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics吸收光谱再次取自吸收光谱再次取自chuchu等等我们的吸收系数公式被美我们的吸收系数公式被美国海军实验室，雷松公司国海军实验室，雷松公司等定量研究负荧光现象等定量研究负荧光现象红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics三种方法定量解释三种方法定量解释负荧光现象，提了负荧光现象，提了三次用三次用Chu

8、Chu等的吸收等的吸收系数公式系数公式红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics提出的碲镉汞红外探测器截止提出的碲镉汞红外探测器截止波长表达式和禁带宽度公式，波长表达式和禁带宽度公式，被美国被美国UICUIC编入软件包，提供编入软件包，提供给美国的公司用于器件设计。#给美国的公司用于器件设计。#褚君浩褚君浩红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics带间光跃迁结果被他人写入带间光跃迁结果被他人写入8 8本专著中本专著中红外物理国家重点实验

9、室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysics褚君浩，红外物理国家重点实验室，上海褚君浩，红外物理国家重点实验室，上海 中国中国这一科学手册已经有这一科学手册已经有120120多年多年的历史，包括了人类科学和技的历史，包括了人类科学和技术各领域的基本数据和函数关术各领域的基本数据和函数关系系,每隔每隔10101515年邀请世界上年邀请世界上各领域有影响的科学家集中修各领域有影响的科学家集中修订一次订一次,被国际上认为是最权被国际上认为是最权威的科学手册。#威的科学手册。#红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalL

10、aboratoryforInfraredPhysics“从而形成半导体物理学的从而形成半导体物理学的重要分支重要分支窄禁带半导体窄禁带半导体据本人所知，这还是国据本人所知，这还是国际上的第一本专著。#际上的第一本专著。#”序序红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所NationalLaboratoryforInfraredPhysicsSynopsisSynopsisThisbookisintendedtopresentacurrentviewofthefieldofnarrowgapsemiconductorsandtheirprincipaluseasmid-andfar-inf

11、raredfocalplanearrays.Thefieldhasadvancedsignificantlyinthepast10yearsorso,andthisadvancehasnotbeencapturedinaselfcontainedbook.ProfessorChuisinauniquepositiontowriteacomprehensivebookonthissubjectforthefollowingreasons.HeheadstheShanghaiInstituteofPhysicswherealltheChineseworkonmarrowgapmaterialsisconcentrated.FifteenyearsagothelevelofeffortandsophisticationoftheChineseworkwasminimal.Nowtheyhavenotonlycaughtupwiththeworldbutarewellaheadinsomeareas.DrChuandhiscolleagueshavemasteredalltheliteratureofthissubjectonacompressedtimescale.Thisiswhyheisinauniquepositiontowriteacomprehensivebook.