1、3. 在理论分析与实验研究相结合的基础上,力求深化对磁场边值问题、自感参数和磁场测量方法等知识点的理解,熟悉霍耳效应高斯计的应用。二、实验原理(1)球形载流线圈(磁通球)的磁场分析如图1-1所示,当在z向具有均匀的匝数密度分布的球形线圈中通以正弦电流i时,可等效看作为流经球表面层的面电流密度K的分布。显然,其等效原则在于载流安匝不变,即如设沿球表面的线匝密度分布为W,则在与元长度对应的球面弧元上,应有因在球面上,所以代入上式,可知对应于球面上线匝密度分布W,应有即沿球表面,该载流线圈的线匝密度分布W正比于,呈正弦分布。因此,本实验模拟的在球表面上等效的面电流密度K的分布为由上式可见,面电流密度
2、K周向分布,且其值正比于。因为,在由球面上面电流密度K所界定的球内外轴对称场域中,没有自由电流的分布, 所以, 可采用标量磁位m为待求场量,列出待求的边值问题如下:上式中泛定方程为拉普拉斯方程,定解条件由球表面处的辅助边界条件、标量磁位的参考点,以及离该磁通球无限远处磁场衰减为零的物理条件所组成。通过求解球坐标系下这一边值问题,可得标量磁位m1和m2的解答,然后,最终得磁通球内外磁场强度为 (1-1)和 (1-2)基于标量磁位或磁场强度的解答,即可描绘出磁通球内外的磁场线分布,如图1-3所示。由上述理论分析和场图可见,这一典型磁场分布的特点是:)球内H1为均匀场,其取向与磁通球的对称轴(z轴)
3、一致,即 (1-3)球外H2等同于球心处一个磁偶极子的磁场。(2)球形载流线圈自感系数L的分析计算在已知磁通球的磁场分布的情况下,显然就不难算出其自感系数L。现首先分析如图1-4所示位于球表面周向一匝线圈中所交链的磁通,即然后,便可分析对应于球表面上由弧元所界定的线匝dW所交链的磁通链这样,总磁通链 就可由全部线匝覆盖的范围,即由0到 的积分求得最终得该磁通球自感系数L的理论计算值为 (1-4) 在实验研究中,磁通球自感系数L的实测值可通过测量相应的电压、电流来确定。显然,如果外施电源频率足够高,则任何电感线圈电阻在入端阻抗中所起的作用可被忽略。此时,其入端电压和电流之间的相位差约等于90,即
4、可看成一个纯电感线圈。这样,由实测入端电压峰值与电流峰值之比值,即可获得感抗L的实测值,由此便得L的实测值。(3)感应电势法测磁感应强度 若把一个很小的测试线圈放置在由交变电流激磁的时变磁场中,则根据法拉第电磁感应定律,该测试线圈中的感应电动势 (1-5)式中,为与测试线圈交链的磁通链。如果测试线圈的轴线与磁场方向相一致,且磁场由正弦交变电流激励,那末,对应于式(1-5)的有效值关系为由于测试线圈所占据的空间范围很小,故测试线圈内的磁场可近似认为是均匀的,因此有=BS=0HS,从而,被测处的磁感应强度 (1-6)式中,N1 为测试线圈的匝数; E 为测试线圈中感应电势的有效值(V); B 为被
5、测处磁感应强度的有效值(T); f 为正弦交变电流的频率,本实验采用5 kHz的交流; S 为测试线圈的等效截面积(m2)(关于S的计算方法参阅附录1)。(4)霍耳效应法测磁感应强度霍耳元件被制备成一块矩形(bl)半导体薄片,如图1-5所示。当在它的对应侧通以电流I,并置于外磁场B中时,在其另一对应侧上将呈现霍耳电压Vh,这一物理现象称为霍耳效应。霍耳电压为 (1-7)式中,Rh为霍耳常数,取决于半导体材料的特性; d 是半导体薄片的厚度; f(l/b)是霍耳元件的形状系数。由式(1-7)可见,在Rh 、d、I、f(l/b)等参数值一定时,Vh B (Bn)。根据这一原理制成的霍尔效应高斯计,
6、通过安装在探棒端头上的霍尔片,即可直接测得霍尔片所在位置的磁感应强度的平均值(T或Gs,1T=104 Gs)。本实验采用5070型高斯计,它既可测量时变磁场,也可测量恒定磁场(该高斯计使用方法简介参阅附录2)。应指出,在正弦交流激励的时变磁场中,霍尔效应高斯计的磁感应强度平均值读数与由感应电势法测量并计算得出的磁感应强度的有效值之间的关系为 (1-8)三、实验内容(1) 测量磁通球轴线上磁感应强度B的分布) 沿磁通球轴线方向上下调节磁通球实验装置中的测试线圈,在5 kHz正弦交变电流(I = 1 A)激励情况下,每移动1 cm由毫伏表读出测试线圈中感应电势的有效值E,然后,应用式(1-6)计算
7、磁感应强度B;) 在上述激磁情况下,应用5070型高斯计及其探棒,通过调节探棒端头表面位置,使之有最大霍耳电压的输出(即高斯计相应的读数最大),此时,探针面应与磁场线正交。由此可以由高斯计直接读出磁通球北极(r = 0,z = R)处磁感应强度Bav 。(2) 探测磁通球外部磁场的分布) 在5 kHz正弦交变电流(I = 1 A)激励情况下,继续探测磁通球外部磁场的分布。测试表明,磁场分布如同图1-3所示:磁场正交于北极表面;在赤道(r = R,z = 0)处,磁场呈切向分布;磁通球外B的分布等同于球心处一个磁偶极子的磁场;) 在直流(I = 1 A)激励情况下,应用高斯计重复以上探测磁通球外
8、部磁场分布的实测过程,并定量读出磁通球北极(z = R)处磁感应强度B 。(3) 磁通球自感系数L的实测值本实验在电源激励频率为5 kHz的情况下,近似地将磁通球看作为一个纯电感线圈。因此,通过应用示波器读出该磁通球的激磁电压u(t)和电流i(t)的峰值 本实验中,i(t)的波形可由串接在激磁回路中的0.5 无感电阻上的电压测得,即可算出其电感实测的近似值L。应指出,以上电压峰值读数的基值可由示波器设定,而电流峰值读数的依据既可来自于数字电流表的有效值读数,也可来自于0.5 无感电阻上的电压降。(4) 观察电压、电流间的相位关系应用示波器观察磁通球的激磁电压u(t)和电流i(t)间的相位关系;
9、四、实验报告要求(1)画出沿磁通球轴线B(z)|r=0的分布曲线,并按式(1-1)或式(1-3)的解析解,分析讨论理论值与实测值之间的对应关系,以及磁通球内磁场分布的特征;(2)对磁通球北极处在交流激磁(I = 1 A)情况下测试线圈和高斯计的读数,以及在直流激磁(I = 1 A)情况下高斯计的读数,予以比较,并进而给出该处磁感应强度B的实测值与理论值之间的比较;(3)计算磁通球自感系数L的实测值,并按式(1-4)由磁通球的设计参数算出自感系数L的理论值,加以比较和讨论;(4)对实验内容(4)所观察的电压、电流间的两种相位关系,给出分析和讨论。五、仪器设备名称型号、规格数量备注磁通球球半径R
10、= 5 cm线匝数N = 131 匝材料:环氧树脂( 0)无感取样电阻(0.5 )1精心缠绕的线匝模拟了z向具有均匀匝数密度分布的磁通球的设计要求磁通球激磁电源直流:0 1.3 A交流:5 kHz,0 1.3 A交流毫伏表0 100 mV测试线圈内径R1 = 1.0 mm外径R2 = 3 mm线圈寛度b = 1.5 mm线匝数N1 = 60示意图见附录1高斯计5070型0.1-1-10-200-2k-20 kGs可测量恒定或时变磁场示波器20 MHz模拟示波器六、附录(1)测试线圈等效截面积的计算测试线圈的轴向剖面图如图1-6所示。由于线圈本身的尺寸很小,故线圈内的磁场分布可近似认为是均匀的。
11、图中半径为r,厚度为dr的薄圆筒状线匝所包围的轴向磁通为故与该薄筒状线匝所交链的磁通链为式中是薄筒状线圈对应的匝数。将上式取积分,就可求出测试线圈的磁通链因此,测试线圈的等效截面积为(2)5070型高斯计的使用方法(简介)本实验应用的5070型高斯计配有横向探棒,其结构示意图如图1-7所示。使用操作步骤如下:,将横向探棒接入高斯计右侧插孔中;,自测:接通电源(按下POWER键),高斯计即进入自测过程。若有故障,则显示“Err”;,测量模式选择:调节FUNCTION选择器的指示,在MODE位置上配合SELECT键,可显示DC(恒定磁场)或AC(时变磁场)两种测量模式的选择;,测量单位的选择:调节
12、FUNCTION选择器,在UNITS位置上配合SELECT键,可显示G(高斯)、T(特斯拉)或A/m(安/米)三种测量单位的选择(前二者对应于磁感应强度B在CGS制与SI制中的单位(1 T = 104 Gs);后者则对应于磁场强度H在SI制中的单位);,测试量程选择:调节FUNCTION选择器,在RANGE位置上配合SELECT键,可显示所期望的测试量程,如G、kG等;,零位调整:高斯计探棒初始读数置零的操作是保证磁感应强度测量精度的前提条件。首先,为屏蔽外磁场对探棒零读数的影响,可将探棒插入“零磁通腔”内;然后,可选择自动调零功能,即将FUNCTION选择器置于ZERO的位置,按下AUTO键
13、,约在5-10秒内该高斯计自动完成探棒初始读数置零操作。,测量:将FUNCTION选择器置于MEASURE位置,即可读出被测场点处的磁感应强度值。如果被测磁场范围未知时,应选择高量程测试(测量时,对应于G和T的测量单位的选择,超量程指示为“1999”)。实验二:磁悬浮4. 观察自稳定的磁悬浮物理现象;5. 了解磁悬浮的作用机理及其理论分析的基础知识;6. 在理论分析与实验研究相结合的基础上,力求深化对磁场能量、电感参数和电磁力等知识点的理解。(1) 自稳定的磁悬浮物理现象由盘状载流线圈和铝板相组合构成磁悬浮系统的实验装置,如图2-1所示。该系统中可调节的扁平盘状线圈的激磁电流由自耦变压器提供,从而在50 Hz正弦交变磁场作用下,铝质导板中将产生感应涡流,涡流所产生的去磁效应,即表征为盘状载流线圈自稳定的磁悬浮现象。(2)基于虚位移法的磁悬浮机理的分析在自稳定磁悬浮现象的理想化分析的前提下,根据电磁场理论可知,铝质导板应被看作为完纯导体,但事实上当激磁频率为50 Hz时,铝质导板仅近似地满足这一要求。为此,在本实验装置的构造中,铝质导板设计的厚度b还必须远大于电磁波正入射平表面导体的透入深度d(b d)。换句话说,在理想化的理论分析中,就交变磁场的作用而言,此时,该铝质导板
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