传感器原理与工程应用考试题库Word文档下载推荐.docx

1、3.电阻式传感器是将被测量变化转换成（ B ）变化传感器。A.电子B.电压 C.电感D.电阻3.1电阻应变片配用测量电路中，为了克服分布电容影响，多采用（D ）。A直流平衡电桥 B直流不平衡电桥C交流平衡电桥 D交流不平衡电桥3.2电阻应变片初始电阻数值有各种,其中用最多是 （ B ）。A、60 B、120 C、200 D、3503.3电阻应变片式传感器普通不能用来测量下列那些量（D）、位移、压力、加速度、电流3.4直流电桥平衡条件为（ B ）A相邻桥臂阻值乘积相等 B相对桥臂阻值乘积相等C相对桥臂阻值比值相等 D相邻桥臂阻值之和相等3.5全桥差动电路电压敏捷度是单臂工作时（ C ）。A. 不

2、变 B. 2倍 C. 4倍 D. 6倍3.6、影响金属导电材料应变敏捷系数K重要因素是（B ）。A导电材料电阻率变化 B导电材料几何尺寸变化C导电材料物理性质变化 D导电材料化学性质变化3.7、产生应变片温度误差重要因素有（A、B ）。A电阻丝有温度系数 B试件与电阻丝线膨胀系数C电阻丝承受应力方向不同 D电阻丝与试件材料不同3.8、直流电桥平衡条件是（ A ）。A 相临两臂电阻比值相等 B 相对两臂电阻比值相等C相临两臂电阻比值不相等 D 所有电阻都相等4、变气隙式自感传感器，当衔铁移动使磁路中空气缝隙面积增大时，铁心上线圈电感量将（ A ）。A增大 B减小 C不变 D无法拟定4.1、差动螺

3、线管式电感传感器配用测量电路有（ C ）。 A直流电桥 B变压器式交流电桥C差动相敏检波电路 D运算放大电路差4.2、差动变压器属于（ D ）。A.电容式传感器B.压电式传感器C.电阻式传感器D.电感式传感器4.3、涡流式压力传感器运用涡流效应将压力变化变换成线圈（ D ）。A.电阻变化B.电容变化C.涡流变化D.阻抗变化4.4下列不是电感式传感器是 D 。A 变磁阻式自感传感器 B 电涡流式传感器 C 变压器式互感传感器 D 霍尔式传感器（磁电式传感器）4.5下列传感器中不能做成差动构造是 A 。 A 电阻应变式 B 自感式 C 电容式 D 电涡流式4.6关于电涡流传感器说法不对的是（ ）A

4、、电涡流传感器是基于电磁感应原理工作B、电涡流传感器是由涡流线圈和支架构成C、电涡流传感器可以实现无接触测量D、电涡流传感器只测量静态量，不能测量动态量。5、电容式传感器是将被测量变化转换成（ ）变化一种传感器A.电容量 B.电感量C.介电常数 D.距离5.1变间隙式电容传感器非线性误差与极板间初始距离d0之间是（）。A 正比关系B 反比关系C 无关系5.2、下列不属于电容式传感器测量电路是（ ）A调频测量电路 B运算放大器电路 C脉冲宽度调制电路 D相敏检波电路5.3、如将变面积型电容式传感器接成差动形式，则其敏捷度将（ ）。A. 保持不变 B.增大一倍C. 减小一倍 D.增大两倍5.4、当

5、变隙式电容传感器两极板极间初始距离d0增长时，将引起传感器（ ）A敏捷度K0增长 B敏捷度K0不变C非线性误差增长 D非线性误差减小5.5、用电容式传感器测量固体或液体物位时，应当选用（A变间隙式 B变面积式C变介电常数式 D空气介质变间隙式5.6、关于差动脉冲宽度调制电路说法对的是（ BD ）。A. 合用于变极板距离和变介质型差动电容传感器B. 合用于变极板距离差动电容传感器且为线性特性C. 合用于变极板距离差动电容传感器且为非线性特性D. 合用于变面积型差动电容传感器且为线性特性5.7、下列不属于电容式传感器测量电路是（ D ）C脉冲宽度调制电路 D相敏检波电路5.8电容式传感器采用“驱动

6、电缆”技术是为了减少或消除（ ）影响。A温度变化 B寄生电容 C边沿效应 D非线性6、霍尔元件不等位电势产生重要因素不涉及（ ）A霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上B半导体材料不均匀导致电阻率不均匀或几何尺寸不均匀C周边环境温度变化D勉励电极接触不良导致勉励电流不均匀分派61、下面不属于不等位电势U0产生因素是（ ）。A、霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； B、半导体材料不均匀导致了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀；C、元件由金属或绝缘体构成；D、勉励电极接触不良导致勉励电流不均匀分布等。6.2、关于霍尔传感器说法不对的是（ ） A、霍尔片越厚，霍尔传感器输出敏捷度越大B、霍尔片越

7、薄，霍尔传感器输出敏捷度越大C、霍尔传感器可以作测量元件D、霍尔传感器可以作开关元件7、压电晶片连接方式中串联接法（ ）A、输出电压大，自身电容小，适当用于以电压作输出信号B、输出电荷大，自身电容大， 时间常数大C、输出电压小，自身电容大，适当用于以电压作输出信号D、输出电荷小，自身电容小， 时间常数大7.1两个型号相似压电片串联使用时，下列说法对的是（ ）A、等效输出电荷增大一倍 B、等效输出电容增长一倍C、等效输出电压增长一倍 D、都不对的7.2关于压电式传感器中压电元件连接，如下说法对的是（ ）A与单片相比，并联时电荷量增长1倍、电容量增长1倍、输出电压不变 B. 与单片相比，串联时电荷

8、量增长1倍、电容量增长1倍、输出电压增大1倍C与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍 D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变7.3 用于厚度测量压电陶瓷器件运用了 原理。A.磁阻效应 B. 正压电效应 C.逆压电效应7.4 下面材料中不是压电材料有（）。A石英晶体 B氧化锌C铌酸钾晶体 D有机玻璃7.5、石英晶体在沿机械轴y方向力作用下会（ ）A产生纵向压电效应 B. 产生横向压电效应C不产生压电效应 D. 产生逆向压电效应7.6、在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中电荷放大器输出电压与（ ）成正比。A输入电荷 B.反馈电容C电缆电容 D.

9、放大倍数7.7对石英晶体，下列说法对的是（ ）。A. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。B. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生。C. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生。D. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生。7.8、石英晶体和压电陶瓷压电效应对比对的是（ ）A. 压电陶瓷比石英晶体压电效应明显，稳定性也比石英晶体好B. 压电陶瓷比石英晶体压电效应明显，稳定性不如石英晶体好C. 石英晶体比压电陶瓷压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好D. 石英晶体比压电陶瓷压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好7.9、两个压电元件相并联

10、与单片时相比说法对的是（ ） A. 并联时输出电压不变，输出电容是单片时一半B. 并联时输出电压不变，电荷量增长了2倍C. 并联时电荷量增长了2倍，输出电容为单片时2倍D. 并联时电荷量增长了一倍，输出电容为单片时2倍7.10、两个压电元件相串联与单片时相比说法对的是（ ）A. 串联时输出电压不变，电荷量与单片时相似B. 串联时输出电压增大一倍，电荷量与单片时相似C. 串联时电荷量增大一倍，电容量不变D. 串联时电荷量增大一倍，电容量为单片时一半7.11、用于厚度测量压电陶瓷器件运用了（ ）原理。A. 磁阻效应 B. 压阻效应C. 正压电效应 D. 逆压电效应7.12、压电陶瓷传感器与压电石英

11、晶体传感器比较是（）。A前者比后者敏捷度高 B后者比前者敏捷度高C前者比后者性能稳定性好 D前者机械强度比后者好7.13、压电式传感器当前多用于测量（A静态力或压力 B动态力或压力C位移 D温度7.14、石英晶体在沿机械轴y方向力作用下会（ ）。7.15、在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中电荷放大器输出电压与（ ）成正比。7.16、石英晶体在沿电轴X方向力作用下会（ D ）A不产生压电效应 B. 产生逆向压电效应 C. 产生横向压电效应 D产生纵向压电效应 7.17、关于压电式传感器中压电元件连接，如下说法对的是（ ）9下列光电器件中，基于光电导效应工作是（ ） A光电管 B光敏

12、电阻 C光电倍增管 D光电池9.1、封装在光电隔离耦合器内部是（ ）A一种发光二极管和一种发光三极管B一种光敏二极管和一种光敏三极管C两个发光二极管或两个光敏三极管D一种发光二极管和一种光敏三极管9.2、光电二极管工作是需（ ） A、加正向工作电压 B、加反向工作电压 C、不需加电压 D、正、反电压都可以9.3、关于光敏电阻描述，对的是（ ）A、暗电阻大 B、亮电阻大C、同样大 D、无法比较9.4、基于外光电效应光电器件有（ ）A、光电倍增管 B、光电池 C、光敏电阻 D、发光二极管9.5、运用内光电效应原理制成光电元件是（ ）。A光电管 B光电倍增管C光电池 D光敏电阻9.6、下列器件中是基于外光电效应制成是 。A 光敏电阻 B 光电池 C 光电倍增管 D 光敏晶体管9.7光敏电阻特性是（ D ） A有光照时亮电阻很大 B无光照时暗电阻很小