单相双半波晶闸管整流电路设计Word格式文档下载.docx

1、0 180 ;在整个设计中要注意培养灵活运用所学的电力电子技术知识和创造性的思 维方式以及创造能力要求具体电路方案的选择必须有论证说明，要说明其有哪些特点。主电路具体电路元器件的选择应有计算和说明。 课程设计从确定方案到 整个系统的设计，必须在检索、阅读及分析研究大量的相关文献的基础上，经过剖析、提 炼,设计出所要求的电路（或装置。课程设计中要不断提出问题，并给出这些问题的 解决方法和自己的研究体会。在整个设计中要注意培养独立分析和独立解决问题的能力。 要求学生在教师的指导下，独力完成所设计的系统主电路、控制电路等详细的设计 （包括计算和器件 选型。课题设计的主要内容是供电方案的选定，主电路的

2、设计，电路元件的选择，保护 电路的选择，主电路的分析说明，主电路元器件的计算和选型，以及控制 电路设计。 报告最后给出所设计的主电路和控制电路标准电路图。前述电力电子学,又称功率电子学（Power Electronics。它主要研究各种电力电 子 器件,以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置 ，以完成对电能的变换和控制。它既是电子学在强电（高电压、大电流或电工领域的一个分支，又是 电工学在弱电（低电压、小电流或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相 结合的 新科学。电力电子学是横跨 电子” 电力”和控制”三个领域的一个新兴工程技 术学科。随着科学技术的日益发展，人们对电路的要求也越来

3、越高，由于在生产实际 中 需要大小可调的直流电源，而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定 ，利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能 ，是目前获得直流电能的主 要方法，得到了广泛应用。在电能的生产和传输上，目前是以交流电为主。电力 网供给 用户的是交流电，而在许多场合，例如电解、蓄电池的充电、直流电动机 等，需要 用直流电。要得到直流电，除了直流发电机外，最普遍应用的是利用各 种半导体元 件产生直流电。这个方法中，整流是最基础的一步。 整流，即利用具 有单向导电特 性的器件，把方向和大小交变的电流变换为直流电。 整流的基础是 整流电路。由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的

4、电力技术领域 ,利用半 导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制 ，而构成的一门完 整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处 ，因此要学 好这门 课就必须做好课程设计，因而我们进行了此次课程设计。 又因为整流电路应用非常广泛，而单相全控桥式晶闸管整流电路又有利于夯实基础 ，故我们将单 结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的 课 题。一、单相双半波晶闸管整流电路供电方案的选择 单相桥式全控整流电路此电路对每个导电回路进行控制，无须用续流二极管，也不会失控现象，负载形式 多样,整流效果好，波形平稳，应用广泛。变压器二次绕组中，正负两个半

5、周电流方向 相反且波形对称，平均值为零，即直流分量为零，不存在变压器直流磁化问题，变压器 的利用率也高。并且单相桥式全控整流电路具有输出电流脉动小 ，功率因素高的特 点。但是，电路中需要四只晶闸管，且触发电路要分时触发一对晶闸管,电路复杂，两 两晶闸管导通的 时间差用分立元件电路难以控制。单相双半波可控整流电路单相双半波可控整流电路又称单相全波可控整流电路。此电路变压器是带中心 抽头的，在u 2正半周T1工作，变压器二次绕组上半部分流过电流。 u 2负半周，VT2工作,变压器二次绕组下半部分流过反方向的电流。 单相全波可控整流电路的U d波形与单相全控桥的一 样,交流输入端电流波形一样，变压器

6、也不存在直流磁化 的问题。当接其他负载时，也有相同的结论。因此,单相全波与单相全控桥从直流 输入端或者从交流输入端看均是一致的。 适用于输出低压的场合作电流脉冲大（电阻性负载时。在比较两者的电路结构的优缺点以后决定选用单相全波可控整 流电路作为主电路。具体供电方案电源电压：交流100V/ 50Hz单相双半波晶闸管整流电路主电路设计1.主电路原理图单相全波整流电路如图（a所示，波形图如图（b所示。图（a单相全波整流电路图（b单相全波整流电路及波形图根据图中（b可知，单相全波整流电路的输出电压与桥式整流电路的输出电压相 同。（1输出平均电压为：OU L U =2U 2sin 3 td（ w t=2

7、2U 2=0.9 U2（2）流过负载的下均电流为:：极伶所祇煙的眾大反向电压为：=22 U,W）单相全波整流电路的脉动乐数5 q单相桥式築流电路郴同;在匏相全波整流电路的变压黔中*只冇交流电流流过;而在半波和桥式整流电路中；均 有直流分量流过.单相全波整流电路的总体性能优F单相半波和桥式整流电跻”故广泛应用 于1流电源中“2.变压器二次侧电压的计算电源电压交流100/ 50Hz ,输出功率:500W ,移相范围:0 180 :设R=1.25Q , a =0U d =25V3变压器一、二次侧电流的计算P=ldG ld=20AU1/Ud=100/25 N1/N2=4/1 I 1=ld /4=5 A

8、 4.变压器容量的计算S=U1i 仁 100 5=0.5kVA5.变压器型号的选择 N1:N2=4:1 ; S=0.5kVA三、电路元件的选择整流元件的选择由于单相双半波整流带阻性负载主电路主要元件是晶闸管，所以选取元件时主 要考虑晶闸管的参数及其选取原则。（1整流元件中电压、电流最大值的计算1.晶闸管的主要参数如下：1额定电压U NVT（1断态重复峰值电压U DRM断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时 ，允许重复加在器件上的 峰 值电压。（2反向重复峰值电压U RRM反向重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的 反 向峰值电压。通常取U DRM和U RRM中较小

9、的,再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的 额定电压。在选用管子时，额定电压要留有一定裕量，应为正常工作时晶闸管所承受 峰值电压的23倍，以保证电路的工作安全。晶闸管的额定电压 RRM DRMNVTU , minU NVT （23 22U 2 （31 U NVT :工作电路中加在管子上的最大瞬时电压U NVT =（2-322U 2=（141.4-212.1 V通过晶闸管的电流的平均值I vT（AV2额定电流I NVTlvt（AV=ld /2=10Alm=n I Vt（AV=31.4A（2整流元件型号的选择晶闸管的选择原则：1所选晶闸管电流有效值I VT大于元件在电路中可能流过的最大电流有效 值。

10、2.选择时考虑（1.52倍的安全裕量。即VT NVT I I 25. 1（ /1.57=（19.1-25.5 AINVT =20A则晶闸管的额定电流为I NVT =20A.在本次设计中选用2个KP20- 2的晶闸管.四、保护元件的选择（1变压器二次侧熔断器的选择采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。在选择快熔时应考虑：1电压等级应根据熔断后快熔实际承受的电压来确定2电流容量应按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。快熔一 般与电力半导体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流 母线中。3快熔的t I 2值应小于被保护器件的允许t I 2值、4

11、为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。因为晶闸管的额定电流为20A,快速熔断器的熔断电流大于1.5倍的晶闸管 额 定电流，所以快速熔断器的熔断电流为 30A。（2晶闸管保护电路的选择1过电流保护当电力电子变流装置内部某些器件被击穿或短路；驱动、触发电路或控制电 路发生故障；外部出现负载过载；直流侧短路；可逆传动系统产生逆变失败；以及交 流电源电压过高或过低；均能引起装置或其他元件的电流超过正常工作电 流,即出现 过电流。因此，必须对电力电子装置进行适当的过电流保护。 2过电压保护设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压 的 侵袭。同时,设备自身运行中

12、以及非正常运行中也有过电压出现。 因此，必须对电 力电子装置进行适当的过电压保护。（3保护电路原理图及工作原理图4.0过流、过电压保护电路五、单相双半波整流电路的相控触发器电路 （1相控触发电路原理图及工作原KJ004 y 6 7 S晶闸管触发主要有移相触发、 过零触发和脉冲列调制触发等。 触发电路对其 产生的触发脉冲要求：1触发信号可为直流、交流或脉冲电压。2触发信号应有足够的功率（触发电压和触发电流。3触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后，阳极 电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。4触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。 单结晶体管

13、触发电路：由单结晶体管构成的触发电路具有简单、 可靠、抗干扰能力强、温度补偿性 能好,脉冲前沿徒等优点，在容量小的晶闸管装置中得到了广泛应用。 他由自激 震 荡、同步电源、移相、脉冲形成等部分组成，电路图如图5.0所示。（2相控触发芯片的选择相控触发电路芯片选择KJ004集成触发电路芯片构成的集成触发器 KJ004可 控硅移相电路可控硅移相触发电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中 ，作可控硅的双路脉冲移相触发。器件输出两路相差 180度的移相脉冲，可以方便地构成全控桥式触发器线路。 电路具有输出负载能力大、 移相性能好、正负半周脉 冲相位均衡性好、移相范围宽、对同步电压要求低 ，有脉冲列调制

14、输出端等功能 与特功能输铭唐波形-Vee（UQ）空地同步输综比微分阻対锁调十Vcc出成入较制引线脚IJ.123456789101112131415六、单相双半波整流电路设计总设计结果（1晶闸管工作原理晶闸管由四层半导体（P 1、N 1、P 2、N 2组成,形成三个结J 1（P 1N 1、J 2（N 1P 2、J 3（P 2N 2并分别从P 1、P 2、N 2引入A、G、K三个电极如图 6.0（左所示。由于具有扩散工艺，具有三结四层结构的普通晶闸管可以等效成如图 6.0（右所 示的两个晶闸管T 1（P 1-N 1-P 2和（N 1-P 2-N 2组成的等效电路。图6.0晶闸管的内部结构和等效电路一个PNPN四层结构的两端器件，可以看成电流放大系数分别为1a和2a的211P N P和221N P N晶体管，其中2J结为共用集电结。当器件加正向电压时。正偏1J结注入空穴经过1N区的输运,到达集电极结（2J空穴电流为A I 1而正 偏的3J结注入电子，经过2P区的输运到达2J结的电流为K I 2 a由于2J结处于 反向,通过2J结的电流还包括自身的反向饱和电流 CO I