动态可重构技术浅述中国半导体分立器件分会Word格式文档下载.docx

1、P680-尺寸缩小对沟槽MOSFET 性能的影响P683-Ge 组分对SiGe HBT 主要电学特性的影响工艺技术与材料P688-退火温度对CoTiO2 微结构和磁特性的影响P690-Ar 气氛下快速退火对CZ-Si 单晶中FPD 的影响P694-TiN 薄膜表面形貌的分形表征及其演化特征P698-0.15m 低压CMOS 工艺技术改进P701-ZnO / （Ni） 薄膜的制备与发光性能的研究封装测试与设备P705-ESD 与EMP 对微波晶体管损伤机理研究P711-基于ADAMS 仿真点浆装置的设计开发P714-环氧树脂式探针卡消耗模拟模型P718-半导体激光器封装中热应力和变形的分析集成电

2、路设计与开发P721-用于CDR 电路的相位插值选择电路设计P726-低功耗高增益CMOS LNA 的设计P730-基于高性能数字芯片的多协议可编程接口设计P734-DDS+PLL 宽带频率合成器的设计与实现黄立平，潘炜（1 青海民族学院 电子工程与信息科学系，西宁；2 西南交通大学 信息科学与技术学院，成都）摘要：为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的阈值特性，在以往研究双稳态的原简化模型的基础上，将H 参量引入到载流子密度中，建立了H 参量简化模型和H 参量模型，并得到了计算调谐范围的解析式；采用数值计算和模拟的方法，在阈值载流子密度按波长的分布图谱中得到激光器的调谐范围，比较了

3、三种模型在表达调谐特性方面的差异。结果表明：新的两种模型能够从阈值载流子密度图谱中反映更多的调谐特性， H 参量模型较H 简化模型精确了一个二极管模式的间隔。关键词：激光技术； H 参量模型； H 参量简化模型；阈值载流子密度；调谐范围方思麟，于书文，刘维峰，刘爱民（大连理工大学 物理与光电工程学院，辽宁大连）部分III-V 族化合物半导体具有较窄的禁带宽度，对红外发射体的温度要求较低，非常适宜制备热光伏（TPV）电池。简要介绍热光伏系统的基本结构，讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP 几种主要窄带隙III-V 族化合物半导体的热光伏电池的研究情况，对它们的制备方

4、法和主要性能参数进行了比较，分析了各自的优缺点，指出了我国热光伏技术的发展趋势。热光伏；III-V 族半导体；窄带战瑛，牛萍娟，李晓云，王小丽，彭晓磊（天津工业大学 信息与通信工程学院，天津）探讨了GaAs 基AlGaInp LED 的最新研究与进展，介绍了AlGaInp 红光LED 外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题，探讨了几种高效率的LED 器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED 器件的制作方法以及一些提高外量子效率的AlGaInp LED 器件结构，最后探讨了AlGaInp LED 在作为固体光源发展过程中仍然需要面对的挑战。AlGaInp L

5、ED；发光二极管；外量子效率李咸珍，刘玉岭，宗思邈，张伟，江焱（河北工业大学 微电子技术与材料研究所，天津）介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺，对其抛光机理进行了理论分析，重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论，定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FAO 型活性剂以保护SiO2 胶粒的双电子层结构。通过实验比较了在SiO2 磨料碱性抛光液中加入CeO2 对抛光速率的影响，得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件。在常温条件下工艺参数为转速60 r/min、压力0.22 MPa和流速210 mL/min时，能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量。化学机械抛

6、光；微晶玻璃；氧化铈孙薇，刘玉岭，张伟，时慧玲，侯丽辉超大规模集成电路多层Cu 布线平坦化中，抛光磨料是CMP 系统的重要组成部分，是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP 中磨料的作用和影响，指出碱性的纳米级SiO2 水溶胶是ULSI 多层Cu 布线CMP 的理想磨料。并进一步通过对多层Cu 布线CMP 硅溶胶磨料的优化研究，指出采用小粒径、低粒径分散度、高质量分数的SiO2水溶胶磨料，可有效地解决平整度差、塌边、碟形坑、表面粗糙度差等问题，获得了良好的抛光效果。磨料；速率；表面状态侯丽辉，刘玉岭，王胜利，孙薇，时慧玲，张伟（河北工业大学 微电子技术与材料研

7、究所天津）影响LiNbO3 化学机械抛光速率的因素很多，如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等。主要研究了抛光液对去除速率的影响，采用磨料+ 碱+ 活性剂的配方，首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理，然后结合各因素的部分相关实验，从机械、化学角度分析其性质特点，对LiNbO3 晶片的去除速率进行了研究。结果表明，在保证获得较好抛光表面的前提下，采用的磨料质量分数越高越好，但活性剂体积分数不宜过高，溶液pH值采用无机碱进行调节，即可获得较高的去除速率。铌酸锂；去除速率；抛光液王学军，王姝媛，贺敬良，柳滨，周国安（北京信息科技大学，北京；北京中油燃气有限公司，北京；. 中国电子科技集团公司

8、 第四十五研究所，北京）对CMP 工艺过程中的一种终点监测技术进行论述，分析了国外某公司抛光机的电机电流变化监测技术，在此基础上，设计了一种高精度的电流监测和电流电压转换电路，电流监测基于LTC6102 高精度电流监测放大器，电流电压转换电路基于MAX472 高精度电流传感放大电路和MAX951 微功耗比较放大电路。改进的电路构成简单，监测精度高，成功实现了从安培级的负载电流中辨别出微安级电流变化的精度。实验证明，该电路精度好于1，显著提高了终点监测精度。终点监测；电流电压转换陈肖科，程秀兰，周华（1. 上海交通大学 微电子学院，上海；2. 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海）随着半导

9、体技术的不断发展，集成电路的互连线尺寸不断减小，Cu-CMP 已经成为深亚微米工艺中的重要技术。分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP 后Cu 金属坑状缺陷的产生机理，使用应用材料公司生产的Mirra Mesa Intergrated CMP System 工艺设备，利用该设备上的研磨头喷头和芯片吸附装置上的平台冲洗部件，对采用双大马士革Cu 工艺的图形化200 mm 实验芯片在Cu-CMP 后设计了不同条件下高压力的去离子水冲洗芯片固定环的实验，给出一种优化了的研磨头清洗方案，从而减少了Cu-CMP 后Cu 金属坑状缺陷的产生。Cu 化学机械研磨；坑状缺陷；研磨头；研磨盘王勇

10、，冯震，宋建博，李静强，冯志宏，杨克武（中国电子科技集团公司 第十三研究所 专用集成电路国家重点实验室，石家庄）采用双台面隔离工艺，实现了器件有源区隔离，隔离电压大于250V / 10A。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进，实现了较理想的肖特基势垒特性，电压也得到了大幅度提高，理想因子n 值小于1.7，源漏击穿电压大于50V / 1mA，栅源击穿电压大于40V / 1mA，最终实现器件X 波段连续波输出功率20 W，功率增益7 dB，功率密度8W / mm。氮化镓高电子迁移率晶体管；肖特基势垒；击穿电压；输出功率陈开宇，刘佩林（上海交通大学 电子与通信工程学院，上海）介绍了沟槽MO

11、SFET （TMOS）的器件特性。为获得更小的Rdson （导通电阻）A （面积）值，讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4 m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺，利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险，最终通过试验验证，得到了高稳定性低导通电阻的低压TMOS。沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管；突起式多晶硅；器件穿通；沟槽式接触；多晶硅去除量王煊，徐碧野，何乐年（浙江大学 超大规模集成电路设计研究所，杭州）采用SiGe 异质结结构提高晶体管的性能，分析了Ge 对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1

12、-xGex 薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge 含量以及分布的要求和Ge 组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HBT 的 和f T 等主要特性参数，Ge 的引入以及Ge 的分布情况对提高这些参数有着显著的影响。Ge 的引入对晶体管主要特性参数的提高使得SiGe HBT 技术在微波射频等高频电子领域可以有更重要的应用前景。SiGe 质结晶体管；Ge 组分；超高真空化学气相沉积曲蛟，贾利云，许佳玲，侯登录（1 河北建筑工程学院 数理系，河北张家口；2 河北师范大学 信息与物理科学学院，石家庄）为了研究在稀释磁性半导体CoTiO2 薄膜中不同退火温度对薄膜结构和磁性的影响，通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了CoTiO2 薄膜样品。然后利用扫描探针显微镜以及振动样品磁强计对所制得的薄膜样品磁性和微结构的变化进行了研究。研究发现，热处理温度对薄膜的微结构和磁性能有很大的影响。扫描探针显微镜对样品的微结构分析结果表明，在400 时磁性相的分布比较均匀，Co 掺杂到TiO2 结构当中且没有Co 颗粒或团簇；振动样品磁强计测量样品的磁性能结果显示该样品具有明显的室温铁磁性。稀磁半导体；磁性；CoTiO2 薄膜乔治，李同锴，刘彩池，冀建利，张彦立（1 石家庄铁道学院 数理系，石家庄；2 河北工业大学 信息功能材料研究所，天津