1、当降至时,于是可得(3)(与VCO无关)根据以上分析可知,当Vco变小时,VT+和VT-均增大,但回差电压VT不变。6.4在图P6.4施密特触发器电路中,若G1和G2为74LS系列与非门和反相器它们的阈值电压VTH=1.1V,R1=1K,二极管的导通压降VD=0.7V,试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压VT。解(1)。I增加,I也增加,当I=VT+时,I=VTH=1.1V,即所以(2)I减小,D截止,IO=1,当I=VT-=VTH时,6.5图P6.5是具有电平偏移二极管的施密特触发器电路,试分析它的工作原理。并画出电压传输特性,G1、G2、G3均为TTL电路。解设门的
2、阈值电压为VTH,二极管导通电压为VD,当输入电压为I=0时,D导通,G2输入I为“0”,0为高电平,G3输出为1,所以为低电平;随着I增大,当IVTH(IVTH),G3输出为0,使为高电平,此时G2输入均为1,所以0变为低电平。若I继续增大,0不会发生变化。若将I从高电位逐渐减小,则只有使G1输入电压I小于VTH时,I才会又变为高电平,而此时IRF的条件下,RF/R1RF,这时可得到其振荡周期近似公式:6.17图P6.17是用反相器接成的环形振荡器电路。某同学在用示波器观察输出电压vo的波形时发现,取n=3和n=5所测得的脉冲频率几乎相等,试分析其原因。解当示波器的输入电容和接线电容所造成的
3、延迟时间远大于每个门电路本身的传输延迟时间时,就会导致这种结果。6.18在图P6.18所示环形振荡器电路中,试说明:(1)R、C、RS各起什么作用?(2)为降低电路的振荡频率可以调节哪能些电路参数?是加大还是减小?(3)R的最大值有无限制?(1)当RR1+RS(R1为TTL门电路内部电阻)时振荡频率决定于R、C,RS的作用是限制G3输入端流过的电流。(2)增大R、C数值可使振荡频率降低。(3)根据反相器的输入端负载特性可知,R不能过大。否则由于R和RS上的压降过大,当vO2为低电平时vI3将被抬高到逻辑1电平。6.19在上题所示的环形振荡器电路中,若给定R=200,RS=100,C=0.01F
4、,G1、G2和G3为74系列TTL门电路(VOH=3V,VOL0,VTH=1.3V),试计算电路的振荡频率。解根据式(6.4.8)得到振荡频率为6.20在图P6.20电路中,己知CMOS集成施密特触发器的电源电压VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V。试问:(1)为了得到占空比为q=50%的输出脉冲,R1与R2的比值应取多少?(2)若给定R1=3k,R2=8.2k,电路的振荡频率为多少?输出脉冲的占空比是多少?解()q=50%,则t1/t2=1,即()f=1/T2.7kHz,q=t1/T0.676.21图P6.21是用LM566接成的压控振荡器(原理图见图6.4.21)。给定Rext=10
5、k,Cext=0.01F,VCC=12V,试求输入控制电压vI在912V范围内变化时,输出脉冲v02频率变化范围有多大?解由式(6.4.22)知,振荡频率为当v1=9V时,代入上式得到f=5kHz。当v1=12V时,f=0。6.22上题中若输出矩形脉冲的高、低电平分别为11V和5V,试问用什么办法能把它的高、低电平变换成5V和0.1V?解可采用图A6.22所示的方法。在图(a)电路中,电路参数的配合应保证vI=5V时三极管T截止,vI=11V时T饱和导通。在图(b)电路中,稳压管的工作电压取略大于5V,并应保证v1=11V时R2上的电压高于OC门的阈值电压。6.23图P6.23是用LM331接
6、成的温度/频率变换器。其中RL是热敏电阻,它的阻值和温度的关系为RL=R0(1-T)。R0为t=25时的阻值,为温度系数,T为偏离基准温度(25)的温度增量。若给定R0=100k,=0.05,其它元件参数如图中所标注,试求:(1)t=25时的初始振荡频率。(2)温度每变化1振荡频率改变多少?(1)根据式(6.4.27)可求出t=25时的振荡频率f0。因为v1=VREF,故得(2)由式(6.4.27)得出在温度为25附件(T很小)时,上式可近似为:即在25附近温度每升高1频率增加55Hz。6.24在图6.5.2用555定时器接成的施密特触发器电路中,试求:(1)当VCC=12V而且没有外接控制电压时,VT+、VT-及VT值
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