模电复习资料判断选择填空Word格式文档下载.docx

1、可变电阻区、截止区和饱和区。第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。 （对）2、基本放大电路 在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。射极输出器不具有电压放大作用。4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。直流放大器只能放大直流信号。现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带

2、愈窄。（错）。多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。第五章差动放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。（ ）差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移。 ）从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。差动放大电路的AVD越大越好，而AVC则越小越好。放大

3、器级间耦合方式有三种：阻容耦合；变压器耦合；直接耦合；在集成电路中通常采用阻容耦合。集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。 （ ）第六章射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。（ ）电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。若放大电路的Au小于1，则接入的反馈一定是负反馈；若放大电路的Au大于1，则接入的反馈一定是正反馈。第八章电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，滞回比较器的输出状态发生 2 次跃变。第九章振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（ ）。稳定振荡器中的晶体三极管静态工作点，有利于提高频率稳定度（放大器具有正反馈特性时，电路必然产

4、生自激振荡（石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。第十章1、判断图所示的电路是否能正常稳压，说明原因。不能稳压，电路中缺少限流电阻R。2、图所示的稳压电路采用两只硅稳压管串联，万用表测得输出电压Vo为7V，判断稳压管Vz1的稳压值是多少？稳压管VZ1的稳压值是6.3V。填空题半导体1、自然界的各种物质，根据其导电能力的差别，可以分为_、_及_三大类。导体；绝缘体；2、导电性能介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为_。 半导体3、最常用的半导体材料有 和 。（硅、锗）4、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_。本征半导体5、杂质半导体可以分为_和

5、_两大类。N型半导体；P型半导体6、在导体中导电的是 ，在半导体中导电的不仅有 ，而且还有 ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。（自由电子、自由电子、空穴）7、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成_，其多子为_，少子为_。N型半导体（电子型半导体）；自由电子；空穴8、P型半导体中 是多数载流子。（空穴）9、N型半导体中多数载流子是 ，P型半导体中多数载流子是 。（自由电子、空穴）10、P型半导体中多数载流子是 ；N型半导体中少数载流子是 。空穴；11、N型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子，P型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。（自由电子、空穴、空穴、自由电子）12

6、、如果在本征半导体晶体中掺入三价元素的杂质，就可以形成_型半导体，其多子为_。P、空穴13、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的_，少子的浓度主要取决于_。浓度；温度PN结1、PN结的主要特性是具有_。单向导电性2、PN结具有 性， 偏置时导通， 偏置时截止。（单向导电性、正向、反向）3、PN结的导电特性是 ，其伏安特性的数学表达式是 。（单向导电性、略）4、PN结正向偏置时 ，反向偏置时 ，这种特性称为PN结的 。（导通、截止、单向导电性）5、当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这一数值通常称为 。（0.5、0.1、死区电压）

7、1、当二极管所加的正向电压大于 ，二极管处于正向导通状态，呈低阻。 导通电压2、一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已 ，又有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明该二极管已 。（击穿、熔断）（短路、断路）3、稳压管的稳压区是其在 区 。反向击穿4、稳压二极管工作于伏安特性曲线的 区。（反向击穿区）5、稳压管通常工作在_区。6、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在 区。晶体三极管结构1、晶体三极管内部有三个区分别是集电区、基区和 区。（发射区）2、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 ，另外一个叫做 。（发射结、集电结）分类1、三极管根据分层次序分为_型和_型两大类。

8、NPN型；PNP型2、晶体三极管有 型和 型，前者的图形符号是 ，后者的图形符号是 。（NPN、PNP、略、略）参数1、三极管的安全工作区由三个极限参数决定，_、_、_。集电极最大允许电流；集电极最大允许耗散功率；极间反向击穿电压2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _。增大3、晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO ，VBE ， 。放大1、晶体三极管工作在放大状态的外部条件是 。（发射结正偏、集电结反偏）2、三极管处于放大状态的条件是发射结 ，集电结 。正偏；反偏3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为_、集电结电压应为_ 。4、为了使三极管工作在放大区，必须使发射结_；集

9、电结_。正向偏置、反向偏置5、晶体三极管有两个PN结，即 结和 结，在放大电路中 结必须正偏， 结必须反偏。（发射结、集电结、发射结、集电结）6、晶体三极管有两个PN结，在放大电路中 结必须加正偏， 结必须加反偏。特性1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 、 和 。（放大区、截止区、饱和区）2、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于截止区时，；当三极管工作于 区时，关系式才成立；当三极管工作在 区时。3、当三极管工作在 区时，关系式ICIB才成立；当三极管工作在 区时，IC0；当三极管工作在 区时，UCE0。计算1、已知三极管，若，则该管Ic= ，Ie= 。2、若晶体三极管集电极电

10、流Ic=9mA，该管的电流放大系数=50，则基极电流IB=_。3、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是 型的晶体管,工作在 状态。4、某放大电路三极管，测得管脚直流电压分别为, 这是 管（硅、锗）， _型，集电极管脚是 。硅；NPN； 5、三极管各电极电流的分配关系是 。1、场效应管是一种 元件，而晶体管是 元件。2、场效应管从结构上可分为结型和 型两大类。技术指标1、放大电路的_是指输出信号与输入信号的变化量之比。放大倍数2、放大器的放大倍数有三种，即为 、 和 。3、对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要_些，以减轻信号源的负担，输

11、出电阻要_些，增大带动负载的能力。分析方法1、画放大器的直流通路时，将 视为开路，画交流通路时，将 和 视为短路。2、在画直流通路时，电容可以看作 路，电感可以看成 路。开（断）；短3、放大器中电压、电流的瞬时值包括 分量和 分量两部分。4、某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位Vc=Ve，则该放大器的三极管处于_工作状态。三种组态1、三极管三种基本联接方式分别是 、 、 。2、共发射极基本放大电路兼有 和 的作用。3、放大电路的三种基本组态中， 组态带负载能力强， 组态频率响应好， 组态有倒相作用， 组态向信号源索取的电流小， 组态既有电压放大作用，又有电流放大作用。共集，共基，共射，共

12、集，共射4、单管放大电路的三种基本组态中， 电路具有电压放大倍数永远小于1，输入电阻高，输出电阻低的特点。共集电极5、射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数 ，电压跟随性好，输入阻抗 ，输出阻抗 ，而且具有一定的 放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是 。多级放大电路1、常用的耦合方式有变压器耦合、 耦合和直接耦合。2、多级放大电路常用的耦合方式有：_耦合、_耦合和_耦合。阻容、直接、变压器3、一个交流放大电路 （能、不能）放大直流信号，一个直接耦合放大电路 （能、不能）放大交流信号。4、用于放大_或_的放大器,称为直流放大器。5、直流放大器输入为零时，输出偏离其起始值的现象称为 。6、产出零点漂移的原因很多