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1、有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET 1、Diode二极管DXXX N+ N- MNAMEOFFIC=VD 可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD是瞬态初始条件注：模型中的寄生电阻串联在正极端2、BJT双极性晶体管QXXX NC NB NE MNAMENC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。后面与二极管一样。3、JFET结型场效应晶体管JXXX ND NG NS MNAME4、MOSFETMOS场效应晶体管MXXX ND NG NS NB MNAME W=VALOther optionsM为元件名称，ND、N

2、G、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。MNAME是模型名，L沟道长，W为沟道宽。子电路 1、子电路定义开始语句.SUBCKT SUBNAM 其中，SUBNAM为子电路名，node1为子电路外部节点号，不能为零。子电路中的节点号除接地点，器件名，模型的说明均是局部量，可以和外部的一样。 .SUBCKT OPAMP 1 2 3 4 2、子电路终止语句.ENDS 假如后有子电路名，表示该子电路定义完毕；假如没有，表示所有子电路定义完毕。 .ENDS OPAMP / .ENDS3、子电路调用语句X* SUBNAM 在Spice中，调用子电路的方法是设定以字母X开头的伪元件名，其后是用来连接到子电路

3、上的节点号，再后面是子电路名。.SUBCKT INV IN OUT wn=1.2u wp=1.2u Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1.2u Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1.2u .ENDS X1 IN 1 INV WN=1.2U WP=3U X2 1 2 INV WN=1.2U WP=3U X3 2 OUT INV WN=1.2U WP=3U激励源：独力源和受控源独立源：直流源DC Sources交流小信号源AC Sources瞬态源Transient Sources脉冲源指数源正弦源分段线性源1、直流源DC Sources VXXX N+

4、 N- DC VALUE IXXX N+ N- DC VALUE V1 1 0 DC=5V I1 1 0 DC=5mA 2、交流小信号源AC SourcesVXXX N+ N- ACACMAGIXXX N+ N- AC其中，ACMAG和ACPHASE分别表示交流小信号源的幅度和相位。V1 1 0 DC=5V AC 1V3、瞬态源Transient Sources a、脉冲源又称周期源，PULSE Sources VXXX N+ N- PULSE （V1 V2 TD TR TF PW PER） 其中，V1初始值，V2脉动值，TD延时，TR上升时间，TF下降时间，PW脉冲宽度，PER脉冲周期。Vi

5、n 1 0 PULSE （0V 5V 10ns 10ns 10ns 40ns 100ns）b、分段线性源PWL SourcesVXXX N+ N- PWL （T1 V1 ） RTD=delayR=repeat_from_what_time TD=time_delay_before_PWL_start 其中,Vi是Ti时刻的值，repeat是开始重复的起始点，delay是延迟时间V1 1 0 PWL 60n 0V,120n 0V,130n 5V,170n 5V,180ns 0V,R 0 V2 2 0 PWL 60n 0V,120n 0V,130n 5V,170n 5V,180ns 0V,R 60

6、nc、VXXX N+ N- SIN（V0 VA FREQ TD THETA PHASE） 其中,VO偏置，VA幅度，TD延时，THETA阻尼因子，PHASE相位VIN 3 0 SIN （0V 1V 100MEG 2NS 5e7）d、指数源EXP SourcesVXXX N+ N- EXP（V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2） V1是初始值，V2是峰值，TD1是上升延迟时间，TAU1是上升时间常数， TD2是下降延迟时间，TAU2是下降时间常数。VIN 3 0 EXP （-4 -1 5N 30N 40N 80N）器件模型元器件需要模型语句来定义其参数值。模型语句不同于元器件定义描述语

7、句，它是以“.开头的语句，由关键字.MODEL，模型名称，模型类型和一组参数组成。无源器件定义模型参数即可。电阻模型 ：.MODEL 模型名 R keyword=value NOISE，RX: 热噪声参数，inrSQRT（NOISE4KT/R） 电容模型： .MODEL 模型名 C parameter=value 电感模型： .MODEL 模型名 L parameter=value二极管模型.MODEL 模型名 D keyword = val . 电阻、电容、电流参数.MODEL D D （CO=2PF, RS=1, IS=1P） .MODEL DFOWLER D （LEVEL=2, TOX=

8、100, JF=1E-10, EF=1E8） .MODEL DGEO D （LEVEL=3, JS=1E-4, JSW=1E-8）BJT管模型.MODEL mname NPN pname1 = val1 . .MODEL mname PNP 模型参数中一般包括LEVEL，说明哪种模型，不同级的模型有不同的模型参数集。MOS管模型.MODEL 模型名 PMOS parameters.MODEL 模型名 NMOS LEVEL=1 常用于数字电路，精度低、速度快LEVEL=2 考虑了衬底电荷对电流的影响LEVEL=13,39,49模拟电路，精度高、速度慢二、分析类型描述语句.OP：直流工作点分析严格

9、来说，这不算一种仿真类型。计算直流工作点指令，对于分析电路很有用要会看.lis文件，会在输出文件中列出一些直流参数和各结点的工作点电压与支路电流、静态功耗。一般在任何其它仿真之前都需要计算直流工作点。.op time看某一时刻的各个器件和电源的状态。.op vol time某一时刻所有节点电压。.op cur time某一时刻所有器件和电源的电流。默认状态：.ac和.dc分析是初始工作点，.tran默认时间是0。.DC：直流分析可以对参数和独立电源扫描.DC var1 START STOP STEP/其中，type有DEC（十进位/OCT倍频/LIN线性/DATAdatanm/POI（列表，N

10、p是单位X围内的点数依type而定注意：1对独立源扫描时，var为电源名，而非节点名2仿真迟滞特性要正、负双向扫描，如： .DC Vin 0 5 0.1 .DC Vin 5 0 -0.1 3注意对两个量的扫描，后面的是外循环4 SWEEP后的变量可是电压、电流或温度等变量.TRAN：瞬态分析.TRAN var1 START=start1 STOP=stop1 STEP=incr1 .TRAN 1NS 100NS 注：以1ns的步长输出到100ns.AC：交流分析.AC type np fstart fstop or SWEEP var type np start stop.AC var1 ST

11、ART = start1 STOP = stop1 STEP = incr1 .AC DEC 10 1K 100MEG 注：一共有4种DEC 十进制的（decade variation） OCT 八进制的（octave variation） LIN 线形的（linear variation） POI 列举的（list of points）.NOISE：噪声分析用来计算各个器件的噪声对输出节点的影响并给出其均方根并输出，可完成.AC语句规定的各频率的计算，应在.AC分析之后。.NOISE ovv sram inter Ovv输出变量，sram输入源，inter频率间隔三、控制语句.INCLUDE

12、语句.INCUDE语句：引用一个文件，被引用的文件置于引用文件前。LNA .include “me98xxxx/model.sp“ .LIB 语句：.lib filename entryname 该语句根据文件路径和文件名来调用一个库文件，一般该文件包含器件模型。.lib MODELS cmos1 MODELS文件：.MODEL CMOS1 nmos 我们仿真中加库的语句应该是.LIB D:TESTPROCESS0.6U BCD V0.1PHASE1.LIB TT.PARAM 语句.PARAM语句：定义一个变量。.PARAM = 例子: .PARAM width = 20u .PARAM le

13、ngth = sqrt（width）*1.65M1 3 2 0 0 NMOS width length .DATA 语句.DATA语句：给一个数组赋值。例子：.DATA D1 width length RL + 50u 20u 1K + 60u 10u 10K + 100u 25u 1K .ENDDATA.ALTER语句.ALTER语句：使用不同的参数和数据以返回一个仿真结果。语法：.ALTER title_string是任何最长至72个字母的字符串。.alter运行所需的适宜的字符串在每个输出列表文件和图形数据文件.tr#的标题局部打印出来。.GLOBAL 语句.GLOBAL语句：定义全局变量。