1、 1.6漏入、2.0源出的栅驱动阻抗; 自动轻载管理; 可调输入的保护特色; 20ns典型的关断比例延迟; 可以直接从5V输出电压供电; 可以从休眠和轻载模式下同步唤醒; 最少的外部元件;由UCC24610作反激变换器同步整流的电路如图1: 图1 UCC24610 做反激电路同步整流的基本应用电路由UCC24610作LLC谐振半桥同步整流的电路如图2: 图2 UCC24610 做半桥电路的同步整流驱动电路UCC24610的部方框电路如图3: 图3 UCC24610 的部等效方框电路* UCC24610外部引脚功能如下: 1PIN SYNC 栅关断同步端 在SYNC端一个下降沿立即令栅电压为低电
2、平,将MOSFET关断,异步端到源漏电压,而不管TON时段的状态,当功率变换器在CCM下工作时,在开关变换器的命令下必须关断控制MOSFET,将SYNC接到初级侧变换器的信号处,用一支高压电容隔离,或变压器隔离,或其他合适的元件,连续的低电平在SYNC端将会使栅电平一直为低。 2PIN EN/TOFF 使能功能和关断时段调节端,当VCC电平降到VCC(OFF)以下时,UCC24610处在UVLO模式,EN/TOFF端在IC经过一支10K电阻接到GND,部电流源也关断,当VCC超过VCC(ON)之后,10K电阻被移去,电流源开启,此后,当EN/TOFF超过VEN(ON)时,UCC24610进入运
3、行模式,而EN/TOFF降到VEN(OFF)以下时,UCC24610进入休眠模式,EN/TOFF端的电压还去调节可控制MOSFET的最小关断时间,EN/TOFF在IC部由两个水平的电流源驱动,所以EN/TOFF端上的电压可以由从EN/TOFF端到GND连接的电阻值决定。EN/TOFF在部驱动两倍电流IEN-STAR去实现使能阈值电压VEN(ON),然后进入正常的运转模式水平(IEN-ON),再调节TOFF时间,换句话说,所希望的EN/TOFF电压可以用一个外部电流源强制,调节TOFF时间可以抑制栅GATE端的输出,达到所希望的间隔,并防止由谐振或关断噪声造成的可能的虚假触发。TOFF时段在VD
4、电压超过1.5V时触发,之后GATE端从高电平到低电平。 3PIN TON 导通时段调节端,调节最小的导通时段,可以用从TON到GND接一支电阻来完成。当控制的MOSFET栅导通时,一些振铃噪声会产生出来,最小导通时段消隐VD-VS比较器,保持所控制的MOSFET处在导通状态,至少可以调节最小时间,这个时间还决定轻载时的关断点。在TON时间超出前,如果VD-VS降到5mV阈值以下。控制器传输在下一个开关周期进入轻载模式。在TON超出后,当VD-VS降到5mV以下时,器件在下一个开关周期仍旧处在运行工作状态。 4PIN VCC IC供电端,接一个直流电压给VCC,用一支0.1F电容旁路到GND,
5、PCB轨迹要最短,VCC供电给UCC24610全部电路,欠压锁定比较器可令VCC到VCC(ON)以上才工作,在VCC降到VCC(OFF)以下时安全地关断,当VCC降到VCC(OFF)以下出现时,GATE端立即降低,EN/TOFF也立即给10K电阻接到GND。 5PIN GATE 外部MOSFET的栅驱动端,通过小阻值电阻接到所控的MOSFET,引线要最短,以实现最佳的开关特性。GATE输出可达到1A峰值,源出电流、漏入电流可达到2A,即驱动足够大的MOSFET,在休眠模式或UVLO时,GATE端立即降到GND,大约只有1.6,当VCC=1.1V时,GATE端立即到GND,大约为80。 6PIN
6、 GND IC的公共端,对GATE驱动器为参考电平,UVLO比较器EN/TOFF比较器,EN/TOFF时段,TON时段,外接一0.1F瓷介电容旁路从VCC到GND。 7PIN VS端 源检测电压端,将此端接到外部所控MOSFET的源极,要以最短路径,要有最小的等效串联电感。 8PIN VD端 漏检测电压端,将此端接到外部所控MOSFET的漏极,要以最短路径,最小的等效串联电感,VD必须大于1.5V,TOFF时段必须在器件打开保险之前能控制MOSFET在下个周期导通。一旦保险打开控制MOSFET在VD降到150mV低于VS时导通。在栅驱动输出为高时,TON时段被触发,GATE仍旧为高电平,至少要
7、超过所调解的TON时段。除非在SYNC输入的脉冲被检测。在TON超出后,GATE输出在VD-VS电压减到5mV时关断,在TON超出前,如果VD-VS减小到5mV。控制器进入轻载模式,GATE脉冲在下一个开关周期被抑制。当VD电压增加到1.5V时,TOFF时段被触发,防止GATE输出,从导通进入TOFF时段。 9PIN IC底部散热端(仅QFN封装),此端接至PCB板的GND以改善散热特性。* UCC24610共有五种工作状态,如下:UVLO模式当VCC电压没有达到VCC(ON)的阈值时,或者降到UVLO阈值以下时,器件工作在低功耗的UVLO模式。在此模式中,多数部功能被禁止,ICC电流低于10
8、0A。在这种模式下,EN电流源关断,部10K电阻接于EN/TOFF端到GND之间,EN/TOFF上的电压不相干。GATE端输出为低,对VCC1.2V,一直如此,当VCC增加超过VCC(ON)阈值时,UVLO模式非常像休眠模式,除非VCC电流达到ICC(start)水平。Sleep模式休眠模式为低功耗模式,与UVLO模式很相似,在由外部控制强制VEN低于VEN(off)阈值进入此模式。休眠模式可以用来减少器件工作损耗到低于1mW,VCC电流减少到ICC(stby)水平,外部控制被任何部时间条件取代,且立即强制GATE输出为低电平,进入休眠模式,许多部电路关闭,以减小功耗,当VEN复原到VEN(O
9、N)阈值以上时,器件走出休眠模式,同时在大约25S后进入轻载模式,并允许部电路重新加电到设置状态。RUN模式运行模式是控制器正常工作模式,此时已不在UVLO或休眠或轻载模式。在此模式下,VCC电流比较高,因为全部电路都在工作,GATE输出去驱动所控制的MOSFET作同步整流,VCC电流为ICC(ON)的总和加上驱动负载及GATE输出所必须的平均电流,GATE输出占空比取决于系统线路及负载条件,可调的TON和TOFF时段,以及同步脉冲的时段。Light-load模式轻载模式是一个低功耗工作模式,它很像休眠模式,除非这种模式自动进入基于部时基条件,轻载模式自动减少在轻载条件下的开关损耗。它用抑制G
10、ATE输出脉冲的方法执行。无论何时都去检测同步导通时间,令其少于可调整的最小导通时间(TON),VCC电流减小到ICC(ON)的水平。此时,轻载模式中,MOSFET的体二极管导通时间仍旧是连续监视的,此时,检测的时间超出TON时,器件在下一个开关周期回到运行模式。故障模式及其它保护功能故障模式是一种自行保护的工作模式,控制器此时在可能的端子上检测出单一故障,在此模式中,器件进入关断状态(但不是休眠)器件驱动GATE输出为低电平,特定条件下,在RTON301K或RTON8.7K时,进入故障模式。故障模式防止进入过度条件,或不明确的导通时间,以及超出TON条件下的电流。相似的保护也提供给EN/TO
11、FF端,在故障没检测出来时,如果这段TOFF变成开路,有最小0.65s的时间,如果短路到GND,器件进入休眠模式,此外如果SYNC输入连续为低于触发电平阈值电压,GATE输出为低即进入此阶段,SYNC仍旧为此条件。* 应用信息正常工作UCC24610为绿色电源的同步整流器控制器。在VCC从0V增加时,开始进入UVLO模式,从EN/TOFF端的使能电流被禁止,直到VCC超过VCC(ON)的阈值,保持在激活状态,直到VCC超过VCC(OFF)阈值。EN/TOFF端上的电压决定控制器使能与否。控制器工作在正常运转模式下,此时使能电压(VEN)超过使能阈值VEN(ON),一直工作到VEN超出VEN(O
12、FF)阈值。在控制器使能后,VEN调节最小关断时间,它反比于VEN电压,两种状态的使能电流允许一个低值电阻REN(OFF)产生足够超出VEN(ON)的电压,进入启动状态。用一支电阻从EN/TOFF接到GND产生VEN。VEN的值基于IEN的大小,IEN流过此电阻,见图4。或者VEN由部电压源驱动提供超过VEN(ON)的电压,100ns,然后开始启动,并达到设置水平。图4 UCC24610 的EN/TOFF端电平变化曲线UCC24610作为同步整流控制器,用比较MOSFET的漏源电压来决定SR-MOSFET的导通时间,应对导通阈值和关断阈值。GATE输出在VDS超过VTH(ON)时为高电平。在V
13、DS低于VTH(OFF)时为低电平,如图5。图5 UCC24610 检测VDS电平给出栅驱动脉冲注意,因为有限的比例和上升时间,SR-MOSFET体二极管可能在VTH(ON)被超出后导通短暂时间,还有体二极管在VTH(OFF)被超出后会流过残余电流。波形如图5中描述,在反激电路中同步整流工作期间可以监视。当然,在电路中实际波形很难像图5中这样清晰,寄生电感和寄生电容造成在弯曲点处的谐振尖峰。UCC24610有控制时段并调节选择,帮助防止振铃,使之合适地工作,图6示出更实际的波形及部控制时段。 图6 UCC24610 的栅驱动波形随时序的变化最小导通时间Ton,用Ton端到地的电阻调节,消隐关断
14、时的谐振,防止GATE由于噪声和振铃从假的穿过VTH(OFF)开始关断Ton由GATE导通被触发,参看下面Ton调节部分。最小关断时间用从2PIN到GND的电阻来调节,去消除开启时的谐振,防止GATE由于超出的Coss谐振振铃,从假的穿过VTH(ON)开始导通,Toff由VDS跨过VTHARM在GATE关断后被触发。参看后面Toff调节部分。GATE输出级在控制器有了开关周期时才导通,控制器在每个成功的SR周期Toff出现之后才装备起来。在高频应用中,一个过长的Toff可能与GATE的导通时段在下一个周期干扰。如果Toff还没有从先前的周期中出现,GATE导通将会延迟。* 轻载工作在正常工作期
15、间,同步整流器导通时间比调节的最小导通时间长。如果负载电流减小到足够小,SR导通时间变得很短,超过可调的最小导通时间,轻载条件即检测出来,轻载闩锁即设置,下一个GATE输出脉冲被消隐,所以仅有的MOSFET的体二极管导通,这个SR导通时间和最小导通时间之间的比较在每个开关周期都出现,无论GATE输出脉冲使能或消隐。当负载电流增加到足够大时,体二极管导通时间变得长过可调整的最小导通时间,轻载闩锁即被消除,下一个GATE输出脉冲使能其控制的MOSFET仍作同步整流操作。图7展示进入轻载模式的DCM的反激变换器随着负载减小的应用。在图8中,展示出返回正常运转。 图7 轻载模式下UCC24610的工作波形 图
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