材料科学和工程文档格式.docx

1、7密排六方晶胞原子数为 _个。C. 68体心立方晶胞原子数为 _个。9立方晶系的一个晶胞中（1 0）和（1 1 ）两晶面交线的晶向指数为_ 。A. 10B. 110C. 1D. 11110面心立方的晶格常数为a，（110）的晶面间距为 _ a。D. 11体心立方的晶格常数为a，（111）的晶面间距为 _ a。12体心立方的晶格常数为a，（110）的晶面间距为 _ a。13立方晶系111晶面族有_个位向不同但原子排列情形相同的晶面。D. 314立方晶系晶向族有_个位向不同但原子排列情形相同的晶向。15体心立方晶格的配位数为 _个。A 12B 8C 4D 216面心立方晶格的配位数为 _个。17体

2、心立方晶格的八面体间隙半径R= _ r。（ r为原子半径）A B C D 18_具有体心立方的晶格。A -FeB AlC CuD -Fe19_具有密排六方的晶格。D Zn20_具有面心立方的晶格。B WC MgD Cu判断正误，正确在括号内打，错误在括号内打。1.面心立方晶格原子堆垛方式为ABAB。2.密排六方晶格原子堆垛方式为ABCABC。3.各向异性是晶体区别于非晶体的一个重要标志。4.弹性模量和强度都对材料的显微组织很敏感。5.结合能很高的离子键和共价键材料，具有很高的熔点、弹性模量和低的热膨胀系数。6.晶体分为七个晶系和七种布拉菲点阵。7.原子空间堆垛方式不同的面心立方和密排六方结构都

3、能够取得空间最紧密的排列，配位数为12和致密度为。8.常利用X射线衍射技术（XRD）和电子衍射来研究晶体材料的晶体结构。9.透射电子显微镜（TEM）用于材料微小尺度范围内显微组织图像特征的观察和分析。10.实际工程材料一般为多晶体，它和单晶体一样都表现出晶体的各向异性。11.材料的结合能越大，熔点越高，原子间距转变的力越小，材料的弹性模量越低。12.原子结合力高的材料原子的内能越大，原子偏离的距离较小，其线热膨胀系数较低。13.液晶高分子材料就像一种液体状的非晶态材料。当外界的电场或温度转变时，这些高分子材料中的分子就会在小范围内排列成晶体。14.布拉菲点阵的结点反映的是晶体中原子或原子集团的

4、散布规律，结点本身并非必然代表原子，点阵和晶体结构并非必然相同。15.采用特定工艺制备的单晶材料或是定向生长的晶体材料具有各向异性的力学性能、光学性能、磁性能和介电性能。16.二氧化硅玻璃具有短程有序的结构，石英和其它二氧化硅晶体具有长程有序的结构。17.晶胞的形状和大小可由三个棱边的长度及其夹角完全表达出来，这六个参数称为晶格常数。18.立方晶系中，晶面和晶向垂直，则晶面和晶向的指数相同。反之亦然。19.晶面间距越小，晶面上原子的排列就越密集。20.面心立方和体心立方均存在正八面体间隙。21.若是间隙原子尺寸专门大，它会进入配位数更大的间隙。22.半径比为的原子会进入四面体间隙，半径比大于的

5、原子进入八面体间隙。23.许多离子晶体能够看成是由大尺寸的阴离子紧密堆垛而成的，小尺寸的阳离子位于间隙位置。第2章1图中 _ 段位错线为刃型位错，且额外半排原子面处于垂直于纸面朝上的位置。A DCB CBC BAD AD2.实际晶体强度远远低于理论强度的原因，是由于实际晶体中存在大量的 A. 晶界B.亚晶界C. 空位D. 位错3 方式不能取得过饱和点缺点。A 高温淬火B 冷变形C 辐照D 退火4 不属于面缺点。A 相界面B 位错C 堆垛层错D 亚晶界5 不属于点缺点。A 空位B 孪晶界C 置换原子D间隙原子6. 属于线缺点。A 堆垛层错C 位错7.利用 观察位错有必然的局限性，它只能观察在表面

6、露头的位错，而在晶体内部的位错则无法显示。A 缀饰法B 透射电镜C 蚀坑D场离子显微镜观测方法8.图中晶面上有位错环，其柏氏矢量b垂直于滑移面，该位错环在切应力作用下的运动特征为_。A 在位错环平面上攀移B 在位错环平面上滑移C 沿通过位错环的圆柱面滑移D 不能确定9.如图所示垂直于纸面的位错，位错正向朝纸面外，在图示切应力作用下向左运动。其柏氏矢量方向朝 。A 上B 下C 左 D 右10.由派-纳力的公式可知，_。A 滑移阻力随柏氏矢量的大小呈直线上升B滑移阻力随滑移面的面间距呈指数下降C 滑移阻力随柏氏矢量的大小呈指数下降D滑移阻力随滑移面的面间距呈指数上升 二、判断正误，正确在括号内打，

7、错误在括号内打（每题1分，共10分）1.任何一条位错线，不论其形状如何，位错线各点的柏氏矢量都相同。2.晶体中非密排面的表面能最低，故晶体力求以非密排面作为晶体的外表面。3.共格界面的界面能最低。4.共格界面的应变能最低。5.肖脱基空位是晶体中的原子迁移到晶体点阵的间隙位置，在原位置形成的空位。6.弗兰克空位是晶体中的原子离开平衡位置，迁移到表面或其它界面而在原位置形成的空位。7.点缺点的平衡浓度与化学反映速度一样，随温度升高呈指数关系增加。8.点缺点能够造成金属物理性能与力学性能的转变，最明显的是引发电阻的增加。9.滑移是上、下两部份晶体作整体性的刚性移动实现的。10.空位的数量取决于材料的

8、温度，其平衡浓度随温度升高呈直线关系上升。11.位错线的方向t与柏氏矢量b平行，为刃型位错。12.位错线的方向t与柏氏矢量b垂直，为螺型位错。13.不论是刃型位错或螺型位错，位错线的运动方向老是与位错线垂直的。14.在位错应力场作用下，溶质原于与螺型位错能发生强烈的交互作用，形成柯氏气团。15.一根不分岔的位错线，无论其形状如何转变，它只有一个恒定的柏氏矢量。16.位错线不能终止在晶体内部，只能终止在表面或界面，或与其它位错线连成结点。17.使刃型位错运动的切应力方向与位错线垂直；18.使螺型位错运动的切应力方向与螺型位错垂直；19.不论是刃或螺型位错，使位错滑移的切应力方向和柏氏矢量b都是一

9、致的；20.滑移阻力随柏氏矢量的大小呈指数上升。金属和合金的密排方向就是滑移方向。21.滑移阻力随滑移面的面间距呈指数下降。滑移面应为原子的面密度大，面间距大的密排面。所以说，滑移最容易沿着晶体中最密晶面上的最密晶向进行。22.刃型位错和螺型位错均能发生攀移运动。23.蚀坑观察位错只适合于位错密度很高的晶体。24.表面的曲率越小，则表面能越大。25.大角度晶界的迁移速度较小角度晶界小。26.奥氏体不锈钢的层错能小，层错出现的概率大，能够看到大量的层错。27.铝的层错能小，层错出现的概率大，能够看到大量的层错。28.和堆垛层错和孪晶界相较，界面能高的晶界阻碍滑移的能力最强。29.和金属和合金相较

10、，陶瓷的柏氏矢量比较小，派-纳力大。30.在共价键晶体（如硅）和聚合物中，位错不容易运动。31.位错攀移是一个热激活进程，通常只有在高温下攀移才对位错的运动产生重要影响，而常温下它的奉献并非大。第三章 凝固原理1.具有粗糙界面的金属，其长大机理为_长大。A 二维晶核B 垂直C 螺位错D 刃位错2在负的温度梯度下，常常利用纯金属都是以_方式生长。A 台阶B 胞状C 平面D 树枝状3无益于提高非均匀形核时形核率的因素是_。A 很大的过冷度B 凹曲面的固体杂质C 很大的过热度D 变质处理4无益于细化晶粒的工艺是_。A 提高过冷度B 变质处理C 振动搅拌D 减小过冷度5金属凝固时， _。A 一定为晶体

11、B 一定为非晶体C 任何冷速下都可以得到晶体和非晶体D 只有在快速凝固时才能得到非晶体6金属凝固时，临界晶核半径大小_。A 与晶核表面能、过冷度成反比B 与晶核表面能成正比，与过冷度成反比C 与晶核表面能、过冷度成正比D与晶核表面能成反比，与过冷度成正比7有形状、尺寸相同的4个Cu-Ni合金铸件，铸造以后自然冷却，偏析较严峻的是含_%Ni的铸件。A 10B 50C 90D 958假设过冷液体中出现一个立方体晶胚，形核功_。A 等于表面能B 等于表面能的1/2C 等于表面能的1/3D 等于表面能的2/39假设过冷液体中出现一个球形晶胚，形核功_。A 等于体积自由能B 等于体积自由能的1/2C 等于体积自由能的1/3D 等于体积自由能的2/310假设过冷液体中出现一个球形体晶胚，体积自由能_。二、判断正误，正确在括号内打，错误在括号内打1.过冷度越大，则形