IGBT升降压斩波电路设计Word文档下载推荐.docx

1、而全控型器件IGBT的使用为外部自动控制提供了巨大便利，因此其使用范围在直流斩波电路中很广泛，对其做研究有很好的使用意义。本文首先比较了两种具有升降压功能的DCDC变换电路，具体地分析了两种DCDC变换器的设计（拓扑结构、工作模式和储能电感参数设计），详细地阐述了该DCDC变换器控制系统的原理和实现，通过MATLAB软件中的Simulink部分建模仿真，最后给出了测试结果。关键词：直流斩波； 升降压； IGBT； 全控型目录目录11 设计任务要求21.1 设计任务 21.2 设计要求 22方案选择32.1方案一 32.2方案二 33 电路设计53.1 主电路设计 53.2 驱动电路设计 63.

2、3保护电路 84 仿真控制95心得体会11参考文献12附录1 程序清单13附录2 元件清单14答辩记录151 设计任务要求1.1 设计任务IGBT升降压斩波电路设计（纯电阻负载）设计条件：（1）输入直流电压，Ud=50V； （2）输出功率：300W （3）开关频率5KHZ （4）占空比10%-50% （5） 输出电压脉率：小于10%1.2 设计要求1，分析题目要求，提出2-3种实现方案，比较并确定主电路结构和控制结构方案；2，设计主电路原理图，触发电路原理图，并设置必要的保护电路；3，参数计算，选择主电路及保护电路元件参数4，利用仿真软件MATLAB等进行电路优化；5，最好可以建模并仿真完成相

3、关的设计电路。2方案选择2.1方案一该DCDC变换器为前后级串联结构，前级是由1T、3T、1D、2D、L、C、1R、2R构成降压变换电路，后级是由2T、2D、L、C构成升压变换电路，其中2D、L、C均出现在前、后级变电 路中。采用PWM 方式控制两个主开关管3T、2T存在一定的困难，因为它们的控制端不共地。为了实现两路控制信号共地，也只能选用功率晶体管。为此增加辅助开关管1T，且3T由NPN型改为PNP型，显然1T、2T是共地的，1T、3T是同步开关的，这就实现了两路控制信号的共地。这样，原本通过控制3T、2T来控制电路的工作状态，现在是通过1T、2T来控制，1T称为降压斩波辅助开关，2T称为

4、升压斩波主开关、3T称为降压斩波电路。其电路图如图2.1所示:图2-1原理图2.2方案二该变换器的结构是运用了全控型器件IGBT，其工作原理是：当V导通时，电源E经V向L供电使其贮能，此时电流为i1 ，同时C维持输出电压恒定并向负载R供电。V关断时，L的能量向负载释放， 电流为i2 ，负载电压极性为上负下正，与电源电压极性相反，该电路也称作反极性 斩波电路。电路图如图2.2。（加书上原理图）图2-2原理图方案比较：方案一虽然实现了升降压,但是利用开关控制升降压的变换，而在方案二中直接采用全控型器件IGBT，利用IGBT的通断控制升降压的变换，电路比较简单，而且容易操作。因此，在设计中我们选择了

5、方案二来实现升降压斩波控制。3 电路设计3.1 主电路设计我们最终采用的主电路图是第二种方案。图3-1 主电路 设电路中电感L很大，电容C也很大，使得电感电流iL和电容电压即负载电压uO基本为恒值。 该电路的基本工作原理是：当可控开关V处于通态时，电源E经V向电感L供电使其储存能量，此时电流为il，同时C维持输出电压恒定并向负载R供电。同时，电容C维持输出电压基本恒定并向负载R供电。之后使得V关断，L的能量向负载释放，电流为i2，负载电压极性为上负下正，与电源电压极性相反，该电路也称作反极性斩波电路。稳态时，一个周期T内电感L两端电压uL对时间的积分为零，即 0TULdt=0 （3-1）当V处

6、于通态期间，uL=ud；而当V处于断态期间，uL=-uo。于是: Udton=Udtoff （3-2）所以输出电压为：Uo=tontoffUd=tonT-tonUd=1-Ud （3-3）当输出端电压恒定且电流连续时，电感电流连续的临界条件：Lc=R2Dc（1-Dc）2Ts （3-4）连续模式时的电容值： C=VoDcTsRUo=IoDcTsUo （3-5）其中纹波电压为U0，周期为Ts。负载电阻 R=PoUO2 （3-6）其中 Po为输出功率根据设计要求，开关频率5KHZ，则开关周期时间为0.2ms。另设电压脉率为10%，作为仿真时电感电阻取值时的依据。3.2 驱动电路设计由于IGBT是全控型

7、器件，这给了我们利用“软件+驱动电路”的方法去实现对IGBT的开通和关断。通过对PWM信号的调制，实现对IGBT通断的控制。控制框图如下：图3-2 驱动电路控制框图在这里，我利用单片机写程序输出PWM信号。这里的程序可以通过独立按键很好的调整占空比的大小。PWM控制程序如附录1所示。软件流程图如下图3-3 软件流程图51单片机作为一款简单有很廉价的控制芯片，在这里被用来作为控制PWM信号的产生和输出，我们采用了Atmel公司生产的AT89C51单片机。其工作频率为12MHZ，我们通过定时器中断的方式来输出周期为0.02ms的PWM波。图3-4 AT89C51芯片模型IGBT为电压驱动型器件，因

8、而需要专用的混合集成驱动器，这里我们采用三菱公司生产的M57962驱动模块。其技术指标如下：特点： 单管大功率IGBT模块驱动器。M57962的改进型，管脚与M57962完全兼容，缺省参数也基本相同，可以直接代换。可按默认值直接使用，也可根据需要调节保护盲区区时间、软关断的速度、故障后再次启动的时间。 应用：可驱动IGBT （300A/1200V或 600A/600V） 一只图3-5 M57962结构图图3-6 M57962 外部接线图考虑到单片机I/O口的输出信号电压可以达到5V，而驱动模块M57962的原端输入电压要求为5V，因此可以直接将单片机PWM输出口和M57962的信号输入端13连

9、接。输出端5的PWM信号可以被抬升至到15V，由于IGBT的栅极-漏极开通电压为12V至18V，因此这时从M57962模块输出的信号可以控制IGBT的关断。3.3保护电路 缓冲电路又称为吸收电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 关断缓冲电路：又称为du/dt抑制电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。 开通缓冲电路：又称为di/dt抑制电路，用于抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。 在无缓冲电路的情况下，di/dt很大，关断时du/dt很大，并出现很高的过电压。为了防止IGBT

10、被毁坏，我们需要在IGBT上加关断缓冲电路。缓冲电阻取10k，电容仿真取10000uF。图3-7 IGBT缓冲保护晶闸管开通时的di/dt很大，我们需要加开通缓冲电路。晶闸管在实际应用中一般只承受换相过电压，没有关断过电压问题，关断时也没有较大的du/dt，因此一般采用RC吸收电路即可。缓冲电阻取500，电容仿真取0.25uF。图3-8 二极管缓冲保护4 仿真控制通过之前电路方案的选择和元件值的计算，我们利用MATLAB软件建立了仿真模型。 图4给出了由IGBT元件组成的升降压斩波电路仿真模型。 图4-1 由IGBT构成的Boost-Buck电路模型 负载输出电压仿真结果如下：图4-2（a）

11、占空比为50%时负载的波形此时L=1.9e-4，C=1.2e-4，R=8.33。图4-2（b） 占空比为80%时负载的波形此时L=5.3e-4，C=1.2e-5，R= 133.333。图4-2（c） 占空比为20%时负载的波形此时L=0.333e-4，C=7.68e-4，R= 0.5208333。 当占空比为50%时，此时电路为临界状态，理论输出电压应该为50V, 由图6（a）看出，实际输出电压在47V到53V之间波动，输出电压脉率小于10%，因此输出电压脉率处理合理范围；当占空比为80%，此时电路为升压状态，理论输出电压应该为200V，由图6（b）看出，实际输出电压在180V到200V之间波动，输出电压脉率小于10%，因此输出电压脉率处理合理范围；当占空比为20%，此时电路为降压状态，理论输出电压应该为12.5V，由图6（b）看出，实际输出电压在12.3V到12.6V之间波动，输出电压脉率小于10%，因此输出电压脉率处理合理范围。5心得体会此次电力电子课程设计，我的任务是绘制保护电路，驱动电路以及使用MATLAB软件中的Simulin